NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：8/100
Adroit Materials研发GaN新掺杂工艺瞄准高压应用
NC State与Adroit Materials等机构研发出采用Mg注入与UHP退火的选择性p型掺杂技术，用于制造kV级低导通电阻垂直GaN器件。该技术旨在提升高压GaN功率器件的能效，属于实验室阶段的工艺突破。中性：此为远期研发进展，对当前功率半导体供应链、库存及交易价格无直接影响。
GaN Power Devices
R&Dtechnology-milestone
来源：Semiconductor Today · 2022/9/7 · 查看原始来源
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