压接连接器向AI及工业领域扩张
压接连接器向AI及工业领域扩张，采用CuNiSi等合金材料。该技术提供免焊接组装方案，支持高集成度与功率密度。
利多
关注高密度连接器及铜合金材料需求，但无具体价格或产能变动数据。
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压接连接器向AI及工业领域扩张，采用CuNiSi等合金材料。该技术提供免焊接组装方案，支持高集成度与功率密度。
关注高密度连接器及铜合金材料需求，但无具体价格或产能变动数据。
台积电将微通道冷却纳入研发路线图，以解决AI芯片功耗激增的问题（5年内6倍）。随着封装功耗从600W增加到4100W，行业正从风冷转向液冷。
该技术代表了先进封装的长期方向，但制造挑战意味着短期内不会出现供应中断。
三星2024年量产钼字线，美光2025年跟进，SK海力士2026年底推出375层产品，预计2027年钼沉积设备市场超10亿美元。因钨在300层以上堆叠中触及物理极限，钼成为3D NAND制造必选项。
前道设备商，如Lam Research和TEL。
三星zHBM散热降低50%且密度提升10倍，液冷技术在AI芯片中的渗透率预计升至60%。随着3D堆叠加剧散热挑战，行业正加速转向CPO和STCO解决方案。
先进封装与液冷技术需求。
BEOL集成磁技术通过在CMOS晶圆上沉积磁薄膜和导电绕组，将无源元件嵌入半导体制造工艺。该技术利用标准金属互连步骤和低温沉积工艺，制造平面螺旋或环形微型电感器，减少寄生电阻和电感。
第3部分详解CXL内存扩展器验证流程，涵盖系统RAM与设备DAX集成模式及调试工具使用。文章回顾了引导路径以区分传输缺陷与配置错误。
CXL内存扩展器技术验证进展。
SK海力士开发CTI技术，将176层3D NAND干扰减少30%，保持力提升45%，单元尺寸缩小10%。为解决高堆叠3D NAND垂直干扰问题，公司转向缩小单元尺寸以增加容量。
技术突破为AI内存扩展铺平了道路，但尚未对现货价格产生直接影响。
SK海力士通过CTI创新技术推动176层3D NAND加速量产。该技术基于IEDM展示的先进架构，旨在提升存储密度。
该技术后续良率表现及量产时间表。
文章指出触觉感知是物理AI的关键瓶颈，机器人需通过多模态传感实现安全交互。这预示着触觉传感器和力传感器在机器人领域的需求将显著增长。
触觉传感器需求前景看好。
Teradyne的LASAR平台展示了从制造缺陷检测向功能安全模拟的转变。随着汽车、工业和医疗领域对安全要求提高，故障模拟方法从随机缺陷建模转向系统性安全分析。
利多EDA工具厂商长期技术发展，但短期无供需影响。
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。
标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
Solidigm VP Avi Shetty 展望未来技术，包括 PCIe 6.0 SSD 和液冷存储。这是技术路线图讨论，而非供应链冲击。
三星计划2030年左右通过键合技术实现1000层堆栈，SK海力士已量产321层。当前主流产品为200-300层，未来堆栈层数提升将带来PB级容量。
该技术趋势预示未来供应增加，但短期内对现货价格无直接影响。
台积电在2026年欧洲技术研讨会上公布A12、A13及N2U工艺路线图，目标在先进封装中提升48倍晶体管密度。此次更新通过设计-技术协同优化（DTCO）和背供电技术，旨在提升能效并支持未来AI算力需求。
该路线图虽预示未来先进制程需求，但未涉及当前现货价格或产能变动。
Synopsys推出定制化基础IP以支持下一代汽车计算需求。随着软件定义汽车的发展，汽车SoC对能效和可靠性要求提高，FinFET技术成为关键。
Synopsys 定制化 IP 助力汽车 SoC 设计，反映汽车芯片技术升级趋势。
MIPI联盟宣布索尼、南芯半导体、Valens和Velinktech四家厂商在AutoSens USA演示8Gbps A-PHY SerDes互操作性。此次演示标志着A-PHY规范成熟度提升及合规计划启动，旨在增强汽车OEM的供应链信心。
该技术趋势利好长期ADAS供应链，但短期内对现货价格无直接影响。
Ainekko宣布其CORE-ET硅平台（ETSP）加入OpenHW基金会开源项目。该平台基于64位RISC-V架构和MRAM内存，专为边缘AI推理设计。此举旨在推动开源AI硬件生态发展，对短期现货价格无直接影响。
三星成功研发出900层3D NAND芯片，通过堆叠两个450层串组成。尽管竞争对手目前处于192至321层水平，三星计划今年量产400层技术。
这一技术突破将迫使竞争对手加速追赶，并预示未来存储成本下降和产能提升。
英飞凌主导欧盟91亿欧元Moore4Power项目，联合62家机构研发下一代功率电子。该项目聚焦“More than Moore”异构集成，涵盖Si、SiC及GaN技术，应用于风电、电动车及铁路。
该技术路线图对未来SiC/GaN产能及效率提升具有长期指引意义。
华为发布LogicFolding架构与Tau定律，宣称1.4nm级密度提升55%。为规避EUV限制，采用时序缩放替代摩尔定律。
预计2026年Mate 90系列首发，短期无现货价影响。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |