CEA-Leti将FRAM工艺缩至22nm
CEA-Leti研究人员利用3D电容架构将FRAM工艺缩至22nm,实现0.0028μm²超小单元。通过垂直集成HZO薄膜,该技术匹配10nm SRAM密度,并计划集成至22nm FDSOI平台。
利多
FRAM技术发展,但短期对现货价格无直接影响。
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CEA-Leti研究人员利用3D电容架构将FRAM工艺缩至22nm,实现0.0028μm²超小单元。通过垂直集成HZO薄膜,该技术匹配10nm SRAM密度,并计划集成至22nm FDSOI平台。
FRAM技术发展,但短期对现货价格无直接影响。
罗德与施瓦茨与瑞昱半导体成功验证了针对蓝牙LE高数据吞吐量功能的行业首个测试方案,并计划在2026年展会上展示基于瑞昱RTL8922D和RTL8773J芯片的测试。该技术将蓝牙LE最大数据速率从2 Mbps提升至7.5 Mbps,旨在支持下一代低延迟音频与高速数据传输应用。
此为远期研发进展,对当前芯片供应链、现货价格及交易决策无直接影响。
WBA发布由Intel等主导的AI/ML Wi-Fi报告,强调通过标准化和混合架构提升网络效率。报告指出传统规则管理已无法满足日益复杂的Wi-Fi需求。
该技术趋势主要指向Wi-Fi 8及未来网络设备,对当前现货市场供需影响有限。
CEA-Leti与CEA-List在ISSCC发布电光路由器小芯片,能效达3.19pJ/比特,光路建立仅18纳秒。该技术旨在为未来HPC和AI加速器系统实现芯片级动态光互连。
此为远期研发里程碑,对当前电子元件供需与价格无直接影响。
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