NuAxi半导体贸易情报
低影响影响力评分：10/100
CEA-Leti将FRAM工艺缩至22nm
CEA-Leti研究人员利用3D电容架构将FRAM工艺缩至22nm，实现0.0028μm²超小单元。通过垂直集成HZO薄膜，该技术匹配10nm SRAM密度，并计划集成至22nm FDSOI平台。利多FRAM技术发展，但短期对现货价格无直接影响。
FRAMFeRAMSRAMEmbedded Memory
R&DTechnologyMemory
来源：Electronics Weekly · 2026/6/16 · 查看原始来源
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