三星代工推迟1.4nm量产至2029
三星代工宣布推迟1.4nm工艺量产至2029年，并坚持使用2nm工艺三年。TSMC计划在2026年H2量产1.6nm A16工艺，三星则推迟High-NA EUV的应用。
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该消息属于技术路线图调整，对当前现货价格无直接影响。
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三星代工宣布推迟1.4nm工艺量产至2029年，并坚持使用2nm工艺三年。TSMC计划在2026年H2量产1.6nm A16工艺，三星则推迟High-NA EUV的应用。
该消息属于技术路线图调整，对当前现货价格无直接影响。
AMD Zen7架构（代号Snowmass）预计2028年年中发布，采用台积电1.4nm工艺，核心数达384个，IPC提升15-25%。该架构将采用台积电A14工艺及3nm/4nm混合芯粒设计，进一步强化AMD在服务器领域的竞争力。
长期技术路线图确认，强化AMD在高端服务器市场的竞争力。
台积电A14工艺性能与256Mb SRAM良率逼近90%，较四月提升约5%与10%。得益于N2代GAA技术的经验积累，A14开发进度显著快于N2。
AI与HPC客户强劲需求，但良率提升可能缓解未来供应压力。
英特尔计划推出双面供电的14A Gen2工艺，将金属间距压缩至21纳米。此举旨在应对台积电与三星的1.4纳米技术攻势。
英特尔代工竞争力提升，但量产时间表仍存不确定性。
三星电子将1.4nm量产推迟至2029年，并将Exynos 2800处理器工艺从1.4nm切换至2nm。此举旨在优先发展2nm工艺并提升良率。
三星推迟1.4nm量产及Exynos 2800节点切换，显示其战略重心转向良率优化而非激进制程。
台积电计划2028年量产A14工艺，苹果A22 Pro将首发。该工艺承诺同速下功耗降30%，但晶圆报价4.5万美元，单颗芯片成本将超100美元。
长期成本压力显著。
黄仁勋称华为的Tau Scaling Law为突破，但未对TSMC构成威胁。华为LogicFolding技术旨在通过堆叠电路层实现高性能，预计2026年应用于Kirin芯片。
黄仁勋的评论缓解了对TSMC先进封装业务的担忧，但华为量产的不确定性限制了短期影响。
华为宣布“韬定律”路线图，计划2031年实现等效1.4nm工艺。该技术通过逻辑折叠和“时间缩微”等创新，规避EUV依赖。
这是长期研发里程碑，对当前现货市场无交易影响。
华为提出“韬定律”替代摩尔定律，预计2031年高端芯片晶体管密度达1.4nm水平。面对EUV光刻机受限，华为以“时间缩微”替代“几何缩微”实现技术演进。
长期技术路线图验证，但短期无供需影响。
华为声称将于2031年实现1.4nm等效芯片技术。目前全球先进制程极限约为1.4nm，台积电已量产2nm并计划2028年量产1.4nm。
该技术路线图属于长期研发里程碑，对当前现货市场供需无直接影响。
华为发布LogicFolding架构与Tau定律，宣称1.4nm级密度提升55%。为规避EUV限制，采用时序缩放替代摩尔定律。
预计2026年Mate 90系列首发，短期无现货价影响。
华为计划于2031年实现1.4nm等效密度工艺，采用无EUV的“Logic Folding”技术。该技术基于Tau Scaling Law，旨在通过优化电路架构提升性能与密度。
无直接供需影响，属长期研发规划。
三星、英特尔及台积电已启动2nm量产并规划1.4nm节点。台积电侧重差异化技术，三星聚焦良率，英特尔则激进推进GAA与High-NA EUV。
未来先进制程产能与技术路线图将重塑供应链格局。
三星晶圆代工4nm FinFET制程良率据称突破80%，标志该工艺进入成熟阶段。该制程同时作为其第六代HBM4存储芯片的基底芯片工艺。
此为长期技术竞争里程碑，对当前元件价格及供应无直接、即时影响。
三星电子通过升级至4nm工艺的PMBIST测试架构，提升了其第六代HBM4的生产良率。此举旨在追赶HBM市场领导者SK海力士。
此为长期研发进展，对现有HBM产品的供应、价格及短期交易无直接影响。
骁龙6 Gen3采用三星4nm工艺，配备Adreno 710 GPU。该芯片定位入门级5G市场，与三星自研Exynos 1380形成对比。
新品发布对现有入门级芯片需求影响有限。
三星2nm制程良率据报约为55%，低于60%的稳定量产门槛，后端处理后有效良率预计降至40%。高通因此选择台积电N2P工艺生产其下一代旗舰芯片，三星则获得特斯拉及DeepX订单。
三星良率提升速度将决定其代工业务盈利及供应链多元化格局。
富士通计划开发1.4纳米AI芯片并交由日本Rapidus生产，专注于低功耗服务器应用。此举是日本重建先进半导体制造能力战略的一部分。
/利空/关注：此为长期研发与产能建设计划，对当前元器件供应、价格及交易决策无直接影响。
三星计划2030年推出1nm制程，并报告其2nm良率已超60%，特斯拉AI6芯片预计2027年采用SF2T工艺量产。台积电和Rapidus亦在推进1nm路线图，加剧先进制程竞争。
此为长期技术路线宣示，对当前供应链、库存及现货价格无直接影响。
Rapidus计划在1nm节点将技术差距缩小至台积电约六个月，目标2026年启动1.4nm开发并于2029年前后量产。台积电1nm风险试产预计2027年底完成，2028年下半年量产。
此为远期研发路线图，对当前元件供应、价格及交易决策无直接影响。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |