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低影响影响力评分：10/100
三星4nm代工良率突破80%
三星晶圆代工4nm FinFET制程良率据称突破80%，标志该工艺进入成熟阶段。该制程同时作为其第六代HBM4存储芯片的基底芯片工艺。中性：此为长期技术竞争里程碑，对当前元件价格及供应无直接、即时影响。
4nm FoundryHBM4
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2026/4/29
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