ST推出20A模块体积缩小30%
STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列,首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布,但短期内对现货价格无直接影响。
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STMicroelectronics推出SLLIMM Compact系列,首款20A模块STGI15C60S体积缩小30%。该模块专为空调、热泵等家电的低中功率电机驱动设计。
新产品发布,但短期内对现货价格无直接影响。
ST推出L4983 PFC控制器,针对kW级电源设计,评估板峰值效率达97.4%。该芯片集成多种保护与待机模式,旨在提升工业及服务器电源能效。
新产品发布,对当前现货价格及供应链无直接影响。
小米宣布玄戒O100与D100芯片将于明年正式商用。此前小米发布了搭载玄戒O3处理器的18 Fold和平板9 Pro Max。
预示小米自研芯片生态扩张及未来需求。
小米平板9 Pro Max搭载玄戒O3芯片首发,售价从4799元降至4049元。该设备配备13.3英寸3.4K屏幕及120W快充。
激进的价格策略暗示库存压力或市场竞争加剧,对玄戒O3芯片的市场价值构成压力。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样,散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡,未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
松下推出厚膜电流检测电阻,成本最高可降50%以替代金属分流电阻。该产品针对低中电流应用,通过优化材料和结构解决低阻值与低TCR的权衡问题。
该替代方案在特定应用中具有显著的成本优势和热性能提升,可能改变现有电阻选型逻辑。
Nextorage推出面向PS5的NEM-PAD SSD,1TB售价2089元。该产品基于TLC 3D NAND与NVMe 2.0规范,配备散热器。
仅提供定价参考,无明确供需信号。
Certus半导体在DAC 2026上宣布为GlobalFoundries 12LP和12LP+工艺推出两款新I/O库,涵盖商业SoC及辐射加固应用。该库针对SoC、ASIC及FPGA设计,预计今年可流片。
Certus半导体IP业务,但对整体硅晶圆及元器件现货市场影响中性。
鼎龙股份自主研发的玻璃基板专用软抛光垫已完成多家头部封测及晶圆制造企业的送样。该产品在工艺平坦度和划痕管控等指标上表现优异,验证工作有序推进。
技术指标验证通过,有望切入先进封装耗材供应链。
小米平板9标准版曝9720mAh电池并搭载骁龙8s Gen4芯片,预计2026年8月发布。该机型复用前代硬件架构。
新品发布对当前供应链无实质影响。
Murata推出GCJ21BD72A225KE02,首款0805尺寸2.2µF 100V汽车MLCC。该器件专为48V架构设计,较前代节省51%安装面积。
Murata扩充汽车级MLCC产品线,主要影响供应链布局而非即时价格。
Direct Insight推出搭载NXP i.MX 91的QS91 SoM,尺寸为27x27mm。该产品面向Linux IoT市场,旨在提供比i.MX 93更经济的入门级解决方案。
新品发布暂无明确的供需或价格变动信号。
Vishay推出四款高电流IHXL系列电感,价格低于前代产品。新器件采用铁合金核心,降低20%损耗,支持高达209A电流,面向汽车及工业应用。
该价格下调策略对现有IHXL库存构成压力。
Altech Corporation推出智能继电器与多计时器,支持8路输入4路输出,最大扩展至48路I/O。该产品采用模块化设计,配备Modbus通信协议及免费配置软件,适用于工业自动化中小型系统。
新产品的推出有助于提升Altech在工业控制领域的市场份额,但短期内对现货市场价格影响有限。
CAST推出支持HyperBus和Xccela的可配置xSPI-MC IP核,旨在解决SPI协议碎片化问题。该产品虽具备功能安全特性,但对现货市场无直接供需冲击。
Vishay Dale推出IHLP1212-EZ-1Z电感,尺寸3x3mm且额定电流最高14.3A。该产品针对空间受限的PMIC和DC/DC转换器优化,提供1.2mm至2.0mm三种高度选项。
/关注:现货供应充足,样品与量产供货周期为10周,短期内对价格影响中性。
小米17T Pro搭载天玑9500芯片,REDMI Pad 2 9.7平板预计本月发布。该系列手机定位游戏市场,平板主打性价比,部分海外市场将以POCO品牌销售。
新品发布对相关芯片需求有潜在拉动,但短期现货价格影响中性。
AUROS瞄准1nm级厚度量测设备量产,目标年营收超1000亿韩元。该设备正通过主要芯片大厂认证,且HBM用红外量测工具同步推进。
先进制程与HBM需求推动量测设备市场扩容,本土供应商技术壁垒突破。
Renesas推出首款双向650V d-mode氮化镓开关TP65B110HRU,用于光伏逆变器及AI数据中心。该器件通过集成直流阻断功能,可替代传统背对背FET,将单级拓扑效率提升至97.5%以上。
新器件有望改变电源架构,但短期供应与价格影响尚不明朗。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |