TDK推出耐温135度DC-link电容
TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
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- TDK Corporation
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- B3272*A/G/T
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TDK推出B3272*A/G/T系列DC-link薄膜电容,最高工作温度达+135°C且无需降额。该产品专为高功率密度、高环境温度的电动汽车牵引逆变器及工业驱动器设计。
新产品发布,短期对现货价格影响中性。
Cognex发布了In-Sight 1750系列晶圆识别系统,该系统结合AI与成像技术以提升晶圆标记可读性及产线追溯性。此举旨在解决晶圆标记难读及 substrate 材料识别问题。
Cognex设备业务,对半导体晶圆现货价格无直接影响。
iQOO 16确认首发三星M16发光材料,这是安卓全球首个采用苹果折叠屏同款方案。该机型与三星显示强强联合,旨在打造全球最好屏。
对供应链价格及供应无直接影响。
Taisic Materials于9月2日推出p型SiC衬底,用于超高压电网及铁路系统。该产品隶属于Kenmec集团,旨在满足高功率电气系统的需求。
该新产品对SiC衬底市场的潜在需求拉动。
三星V10 BV-NAND获FMS 2026创新奖,比特密度较上一代提升58%。该产品采用超过400字线架构,旨在满足AI时代对高容量、高性能及低功耗存储的需求。
新产品发布,缺乏具体价格或供应数据。
麦德密Alpha在SEMICON Taiwan 2026展示先进互连、晶圆级封装及倒装芯片材料。该公司聚焦于下一代封装技术,展示其在先进互连和晶圆级封装领域的材料解决方案。
目前无明确的供需变化或价格波动信号。
德州仪器推出TMCS2100-Q1无芯霍尔效应电流传感器。该器件结合双轴磁场测量与专有算法,提升混合动力及电动汽车牵引逆变器测量精度。
新传感器技术有望优化EV逆变器性能,但短期对现货价格无直接影响。
Coherent启动300mm高导热SiC衬底客户送样,散热性能较现有方案提升25%。此举旨在满足AI及HPC领域日益严苛的散热需求。
标志着公司SiC材料技术从研发向商业化评估过渡,未来有望增强先进封装散热材料供应能力。
EPC宣布EPC2370 GaN FET量产,单价2.52美元。该器件专为AI服务器800V/6V架构设计,替代25V MOSFET。
满足AI算力高密度电源需求,现货供应增加。
Coherent Corp开始向AI半导体合作伙伴送样300mm高导热碳化硅衬底。此举旨在推进其可扩展材料平台,以满足AI和高性能计算系统日益增长的散热需求。
该产品发布预示着AI散热材料需求增长,可能推动相关SiC衬底供应链的长期需求。
松下推出厚膜电流检测电阻,成本最高可降50%以替代金属分流电阻。该产品针对低中电流应用,通过优化材料和结构解决低阻值与低TCR的权衡问题。
该替代方案在特定应用中具有显著的成本优势和热性能提升,可能改变现有电阻选型逻辑。
Power Integrations宣布推出业界首款2.2kV横向GaN开关,采用Cascode配置。该技术演示瞄准数据中心和电动汽车辅助电源等高电压应用。
这一里程碑表明GaN技术正向更高电压演进,将影响未来的功率密度和供应链规划。
TUC加速AI服务器用CCL升级,M9/M10材料预计2027-2028年量产。随着AI服务器对高频高速传输需求增加,M7/M8目前仍是主流规格。
关注:M9/M10量产时间表预示未来高端CCL产能扩张,但短期现货价格影响有限。
Bourns发布了SRP2010PA、SRP2510PA和SRP2512PA系列屏蔽功率电感。该产品采用金属合金粉末芯和屏蔽结构,专为高电流、低高度及汽车级应用设计。
新系列现已上市,主要针对汽车和DC-DC转换器市场,对现有库存价格无直接影响。
摩托罗拉预热Edge 70 Max确认搭载骁龙8 Gen 5芯片。该机采用3nm工艺,配备7100mAh电池及25W磁吸无线充电。
新产品发布,对当前供应链价格影响中性。
Hyperion发布航空航天工具指南,推荐AM10F硬质合金及PCD/PCBN材料。该指南针对钛合金、HRSA等难加工材料提供选材建议。
无直接供需或价格变动,属技术背景信息。
ACI推出HPLC系统用优质售后检查阀,兼容Agilent及Waters主流平台。该产品采用蓝宝石、红宝石及陶瓷材质,旨在与现有活塞系统协同工作,提供可靠替代方案。
丰富实验室采购渠道,但短期内对整体市场价格及供需格局影响有限。
vivo X Fold5累计销量突破52万台,成为华为外唯一破50万大折叠手机。该机搭载骁龙8 Gen 3及三星M14屏幕。
折叠屏手机供应链需求,关注后续出货量对芯片及面板厂商的拉动。
SK海力士向主要客户交付12层HBM4E样品,单引脚速率达16Gbps,能效提升超20%。该产品采用先进MR-MUF工艺,热阻降低17%,确保了高带宽环境下的结构稳定性。
样品交付确认了HBM4E量产进度,强化了SK海力士在AI存储领域的供应链主导地位。
Murata推出GCJ21BD72A225KE02,首款0805尺寸2.2µF 100V汽车MLCC。该器件专为48V架构设计,较前代节省51%安装面积。
Murata扩充汽车级MLCC产品线,主要影响供应链布局而非即时价格。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |