Micron将资助Indium Corporation纽约州工厂的关键矿物加工和高纯度材料制造
Micron Technology于周二表示，将在Indium Corporation位于纽约州罗马的工厂资助关键矿物加工和高纯度材料制造。原文未说明资助金额、具体原因及时间表。
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Micron Technology于周二表示，将在Indium Corporation位于纽约州罗马的工厂资助关键矿物加工和高纯度材料制造。原文未说明资助金额、具体原因及时间表。
中国设备供应商AMEC（中微公司）正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试，寻求进入韩国功率半导体市场，目前处于试验阶段，尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额，但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
Contrel Technology与FSE在TPCA Show 2026上联合展示了双核心激光微加工与等离子体制程技术，目标市场为先进封装与高端基板制造。两家公司的解决方案涵盖从表面处理、残留物去除，到激光修整、去键合、开槽及切割等关键制程。
DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练中的实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及模型计算任务分配、处理器间数据传输等底层细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。双方合作的下一步是训练环节的全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前相关测试仍在推进。华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，后者将同时用于训练和推理；DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司的最高优先事项之一。软件生态方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，训练中每一个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。市场份额方面，IDC数据显示2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
总部位于美国加州El Segundo的Efficient Power Conversion Corp（EPC）表示，其EPC2361 100V eGaN FET已被用于Analog Devices Inc（ADI）的一款高性能降压-升压转换器参考设计，该设计支持4kW功率、高效率。EPC主营用于电源管理应用的增强型氮化镓硅（eGaN）功率场效应晶体管（FET）及集成电路。此为设计应用合作信息，原文未给出价格、供应或需求数据。
据快科技10月20日报道，DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，合作已超出通常的供应商与客户范畴，报道将其与中国两大科技企业加速降低对英伟达芯片依赖相关联。合作形式为华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及计算任务分配、处理器间数据传输等细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。下一步为训练环节全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前测试仍在推进；一次大规模预训练通常需要数千至上万颗AI芯片组成集群并连续运行数周。供应层面，华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，用于训练和推理。DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司最高优先事项之一。软件方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，与面向英伟达的组件一一对应，且每个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。IDC数据显示，2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。上述训练切换与产能分配均为计划，测试仍在推进。
据韩媒The Elec 10月20日报道，埃隆·马斯克旗下特斯拉与SpaceX正与韩国半导体、零部件和设备供应商展开洽谈，为Terafab工厂建立供应链。特斯拉与SpaceX于当地时间10月13日-15日在旧金山参加SEMICON West 2026展会，其Terafab走访约10家韩国企业展台，包括ENF Technology、东进世美肯、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和韩美半导体等。某韩企负责人表示，他们似乎在展会开始前就确定了想谈的企业和产品，一开幕就直接前往展台。目前多家韩国企业已与Terafab签署保密协议并洽谈具体供应产品；截至目前，公开与Terafab建立联系的韩国半导体设备供应商仅有HPSP和韩美半导体两家。洽谈仍在进行中，供应合作尚未最终确定。
据THE ELEC 10月20日获取的信息，马斯克的特斯拉与SpaceX正在与韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈，为其Terafab芯片制造项目构建供应链。多家公司已签署保密协议（NDA）并进入具体产品讨论。10月13日展览开幕当天上午，Terafab代表在旧金山举行的SEMICON West 2026（10月13日至15日）参观了约10家韩国公司的展位，包括ENF Technology、Dongjin Semichem、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和Hanmi Semiconductor；与许多公司的洽谈已进行数月。其中ENF Technology、Asflow和GnG Intech为首次接触；BMT洽谈阀门和流体处理部件；KoMiCo约一个月前与特斯拉和SpaceX签署三方NDA，讨论得州研发中试线的清洗服务；Unisem已签NDA讨论洗涤塔等环保设备；Dongjin Semichem与特斯拉洽谈两三个月，围绕其得州 thinner工厂，磷酸等材料也在讨论中；Hanmi Semiconductor正讨论向Terafab供应TC键合机；HPSP已同意为Terafab研发线供应一台高压氢退火（HPA）系统；ISC已进入样品和研发设计信息交换阶段。海外方面，Fujifilm定期与Terafab采购团队就CMP浆料、光刻胶、蚀刻剂和清洗化学品举行会议；Lam Research和Applied Materials据称已建立专门的Terafab团队。特斯拉和SpaceX不与中国供应商开展业务，业界人士称其寻求甚至低于中国供应商的价格，韩国因此成为优选。Terafab项目于3月由特斯拉、SpaceX和xAI宣布共同推进，目标是在10年内建成月处理100万片晶圆的工厂，初始投资估计为168亿美元，预计创造3000多个岗位；SpaceX本月初与得州签署税收减免协议并已开工建设，业界预期首期月产能10万片晶圆的设施在2030年前建成。上述供应合作多数仍处于洽谈阶段，尚未确认为最终供货。
NAURA已签署一项金额为4.05亿元人民币的收购协议，旨在提升其3D集成能力，并推动其进入混合键合（hybrid bonding）领域。该消息由TrendForce转载报道，原文仅说明协议已签署，未说明收购是否已完成实施或取得监管批准。
Genius Electronic Optical (GSEO) 已与 3M 成立战略合作伙伴关系，以共同开发、制造并扩大 3M Expanded Beam Optical (EBO) 解决方案的产能。作为交易的一部分，3M 将通过私募放方式投资新台币 48 亿元（约合 1.471 亿美元），预计将在 2026 年第四季度完成交易。原文未说明原因。
SK Materials JNC于10月20日表示，已与SN Display签署谅解备忘录(MOU),以建立钙钛矿纳米晶体材料的量产体系，目标是推动该下一代显示材料从研发阶段提升至适用于商用显示器的水平。合作分工为：SN Display提供其专有的钙钛矿发光材料合成技术，SK Materials JNC负责材料合成、量产和质量控制。SK Materials JNC目前已在开展包括硼基蓝色掺杂剂在内的有机发光二极管(OLED)材料的合成、生产、器件评估和质量控制。SN Display是由首尔大学教授Lee Tae-woo创立的显示材料初创企业，具备钙钛矿纳米晶体大规模合成技术，相关研究成果已发表于Nature和Science,并获CES 2026创新奖。SK Materials JNC首席执行官Ha Jung-hwan表示，结合SN Display的专有钙钛矿技术与公司的合成及量产能力，将加速下一代显示材料的商业化。
日本三菱电机在公告中宣布以1150亿日元将其旗下汽车设备子公司50%的股权转让给鸿海（富士康母公司），并预计该交易将使其账面亏损约1000亿日元；交易通过签订合作协议推进，公告内容不等于已全部完成交割。该子公司长期为日产、丰田等车企供应电机、逆变器等核心部件，年营收规模约8756亿日元，文中称其承载三菱电机上百年设备技术积淀，属于核心资产。原文将出售原因归于三菱电机借此弥补亏损窟窿，并联系日本七大车企2026财年合计净利润预测3.9万亿日元、较2023财年7.54万亿日元峰值暴跌48%，以及日产净亏损5331亿日元、三菱净利润同比暴跌76%至100亿日元等财务压力等背景。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
据市场消息，英伟达已要求三星电子、SK海力士和美光科技为其生产NVHBM（英伟达的定制HBM技术，HBM即高带宽内存），其中基底裸片（BaseDie）采用台积电3nm制程，核心裸片（CoreDie）则采用第六代DRAM（动态随机存取存储器）技术，消息称三星电子已决定接受英伟达的技术要求。该消息的真实性尚属传闻层面：10月19日，三星电子回应称，公司不对涉及客户的事项发表评论。原文未说明原因。
Sandisk于10月19日宣布，将成为Meta虚拟现实(VR)眼镜闪存的独家供应商，该VR眼镜计划于2027年春季推出。产品包括microSD Express存储卡和USB-C闪存盘。Sandisk近期与Meta建立合作伙伴关系，共同设计面向VR应用的闪存产品，相关产品已通过初步测试以满足Meta的质量标准。Sandisk将在Meta VR眼镜推出后开始销售相关存储产品。Sandisk消费产品副总裁Sujin Park表示，高性能microSD Express存储卡与Meta VR眼镜兼容，用户可即时扩展可用存储。原文未说明该合作对价格或供应的影响。
LS Electric 与美国主要科技公司签署价值约1700亿韩元的合同，供应人工智能数据中心的开关设备；另据其于10月19日宣布的长期协议价值为1.2523亿美元，用于北美数据中心的电力分配解决方案。合同覆盖2027年至2028年，2027年交付量已确定，2028年待谈判。产品为38千伏高压开关设备系统。原文未说明原因。
Elektrobit与Microchip合作，将Microchip的汽车硬件平台与Elektrobit的AUTOSAR软件、工具和自动化能力相结合，以简化并加速汽车制造商和供应商的AUTOSAR-based软件开发，帮助客户更快建立生产就绪的软件基础。
Lens Technology 通过提出收购 PMG International 控股股权的方案，计划投资 2500 万美元进入 AI 服务器冷却市场，以获得服务器机架制造和液冷技术。该交易尚未完成，属于所提议的收购，文中未说明原因。此举将使公司在现有消费电子和汽车零部件业务之外进一步多元化。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |