Western Digital在其10月22日举行的财年第一季度财报电话会议上表示，硬盘需求取决于当前AI支出的程度低于投资者所担忧的水平。该公司称，磁盘存储需求现在来自四个独立来源：云服务、模型训练、推理与AI代理，以及物理AI；公司表示，其中任何一个来源的需求都可能抵消其他来源的疲软。该公司还表示，正试图将硬盘推进到目前由闪存服务的更快AI工作负载中。原文未说明原因。
据韩国经济日报周五援引未具名业内人士报道，SK海力士已决定不再寻求旗下子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO），但公司尚未公开确认这一决定。此前报道称，Solidigm正考虑赴纳斯达克上市，时间可能最早在2027年，估值最高或达1500亿美元；上市融资有望为其扩充产能、研发投入提供资金。该决定正值韩国监管部门加大对母子公司重复上市审查之际：韩国金融监督院院长李灿镇本月19日表示，Solidigm赴美上市可能涉及韩国重复上市监管规则；金融委员会主席李亿远22日也表示，Solidigm适用相关指引，SK海力士及其上层母公司需要履行保护股东权益的义务。潜在上市还引发韩国市场对股东权益稀释的担忧。Solidigm源自SK海力士对英特尔NAND闪存及固态硬盘业务的收购，SK海力士于2021年完成相关业务整合，Solidigm目前重点布局面向人工智能数据中心的企业级固态硬盘（eSSD）。SK海力士此前于10月1日表示，尚未就Solidigm的资本运作作出决定，公司正在评估内部资金与外部融资等方案，并强调任何决策都将以长期企业价值和股东利益为重要考量。
纳微半导体推出G4H08MT23GB4系列2300 V碳化硅(SiC)全桥功率模块，面向能源转换与电网基础设施，基于行业标准SiCPAK™封装形式，导通电阻(RDS(on))为8 mΩ，采用纳微第四代GeneSiC™ Trench-Assisted Planar™ (TAP)技术。该系列扩展了纳微包含2300 V和3300 V器件的超高压SiC产品组合，目标应用包括固态变压器、电网级电池储能系统、太阳能逆变器、兆瓦级EV充电基础设施和高压DC-DC转换。模块采用氮化铝(AlN)活性金属钎焊(AMB)基板以改善散热并提供超过5 kV的电气隔离，环氧树脂灌封可减少内部机械应力并限制湿气和污染物侵入，据纳微称其导热性是硅凝胶的十倍；大电流压接引脚每引脚载流能力是标准压接连接的两倍，并可选预涂导热界面材料(TIM)。该系列计划按纳微AEC-Plus可靠性基准进行资格认证(该基准超出AEC-Q101和JEDEC要求)；G4H08MT23GB4(HC)系列样品(含大电流变体和预涂TIM选项)现已可提供，工程师还可申请EVB-UHVSIC-GB-E-DPT-1双脉冲测试系统。原文未说明价格或供货量产时间表。
英伟达CEO黄仁勋在柏林GTC活动上驳斥AI将导致人类灭绝的预测，为AI的就业前景辩护，并推销一款售价4,000美元、可作为'家庭机器人'的电脑。他表示AI数据中心建设已在美国创造了100万个工作岗位（其说法），并称'AI创造就业，希望不是取代就业'。针对当天上午巴克莱银行宣布裁员5,000人并更多依赖AI的提问，他回应称技术变革历来在取代部分岗位的同时创造新的岗位。财务背景方面，英伟达2026财年营收为2,159亿美元，净利润1,200亿美元；2027财年上半年净利润已接近上年同期。黄仁勋还表示英伟达软件栈的授权价格约为每颗GPU每年2,000美元。他展示的DGX Spark系统内置名为N1X的芯片，配备128GB内存，售价4,000美元。原文未说明原因（该报道为言论/观点类内容，无单一事件原因）。
快科技10月22日报道，苹果首款折叠屏手机iPhone Duo上市在即，黑鲨游戏手机官方发布技术分析文章，称其容易发烫的原因主要与折叠屏特殊的内部堆叠、散热结构以及双屏功耗有关。黑鲨指出，iPhone Duo在保持旗舰芯片性能的同时兼顾轻薄机身设计，导致内部空间紧凑、散热底子天生就差；铰链结构是影响散热的关键因素，转轴占据大量内部空间并阻断机身内部热传导路径，刚性VC均热板无法直接跨越转轴区域，相当于形成物理热隔断，使散热装置只能集中布置在机身一侧。黑鲨分析称，iPhone Duo将A20系列处理器、基带、射频及电源管理芯片等主要发热元器件集中在主板所在一侧，整机超过95%的热量来自该区域，机身另一侧主要布置电池和屏幕排线，不对称布局使主板区域承受绝大部分热负载，同等使用负载下更容易局部温度偏高。黑鲨认为，即使采用双VC均热板，受限于折叠屏结构设计，也很难从根本上解决热量集中在单侧的问题。此外，iPhone Duo配备尺寸更大、分辨率更高并支持120Hz自适应刷新率的内屏，高负载运行、频繁切换内外屏及多任务并行会持续推高整机功耗，黑鲨表示由于折叠屏形态存在物理限制，即便均热板直接接触核心发热区域也难以彻底解决大屏高负载场景下的热量集中问题。原文为黑鲨一方的技术分析观点。
2026年第三季度全球智能手机出货量同比下降22%,为迄今任何季度中最大的同比降幅,发生在AI带动的存储器危机期间。原文将出货下滑归因于AI主导的存储器危机,未说明其他细节。
据QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）的统计及预测，2025年全球钨钢硬质合金市场销售额达到182.6亿美元，预计2032年将达到415.1亿美元，2026-2032年复合增长率（CAGR）为6.5%。该数据为预测机构的市场规模估计，并非价格变动或实际供需事件。报告指出碳化钨基材料为核心材料平台，主要产品形态包括棒材、板材条材及块材、异形坯料及预成型件，下游应用于机械及金属加工、汽车及交通运输、矿山及建筑工程等领域；中国已形成覆盖钨资源、粉末材料、硬质合金制造和下游工具加工的完整产业基础。报告历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。原文未说明增长预测的具体原因。
10月20日，理想在Power Day电动技术发布会上宣布推出覆盖电池、电驱、超充设备及自建充电网络的技术体系“连山”，并承诺因自研电池本身质量问题引发自燃、车辆达到报废标准的将赔付同配置新车；另一项终身保障针对碰撞或底盘剐蹭造成的自研电池起火，车辆达到报废标准的补足车损险保额与保险实际赔付之间的差额。自研电池研发于2020年立项，今年6月自研电池随全新L8量产交付，随后扩展至L6、i8等车型，公司计划在产能爬坡后陆续覆盖全系。理想采用电芯自研、伙伴生产的分工，由欣旺达、中创新航等伙伴生产，电池包自研自制。按理想公布的数据，搭载自研5C三元锂电池的全新L8 CLTC纯电续航430公里；即将上市的2026款i6两驱版CLTC续航780公里，较2025款提升8%。理想2021年开始规划新一代电驱平台，五合一电驱和碳化硅高压三合一电驱已量产，其中取消功率模块高压端子的结构可带来约30公里续航提升、释放24毫米垂向空间；相关技术研发四年、试制超一万套样品，在苏州、常州自建功率模块及电驱总成工厂，设备和产线投入7亿元（不含厂房建设费用），自研功率芯片量产一年累计上车400万颗。截至10月20日，理想已建成4200座超充站、超过2.3万根超充桩，计划在2027年春节前将5C超充枪数量翻倍至8300根。此为技术和保障方案发布及扩围计划，产能爬坡后覆盖全系仍属计划，原文未说明价格影响。
第27届台湾国际电路板产业展览会（TPCA Show 2026）于10月20日在南港开幕，副总统萧美琴呼吁PCB产业抓住AI热潮带来的机遇。据展会报道内容，台湾PCB产业2026年产值预计将首次超过1万亿元新台币，其驱动因素为AI基础设施带动整个技术供应链的需求。该数值为行业预期/预测，而非已实现结果。
三星电机获得一份价值3605亿韩元（2.718亿美元）的长期合同，为存储器半导体供应封装基板。原文将此举描述为加强其在不断增长的AI服务器元件市场中的地位。
快科技10月21日消息，博主Kang发布视频实测称，iPhone Duo展示机的折痕区域偏软，手指滑动时会出现明显水波纹，而其他区域手感很硬，与直板机相近。该细节引发网友对折叠屏折痕与表面材料耐用性的讨论。有专业人士表示，这种设计可能是为增加缓冲，让屏幕在低温和高温环境下有空间释放收缩应力，且该情况仅出现在铰链上方区域，日常使用影响不大；其潜在问题在于考验表面聚合物贴合层的寿命，若硬度不够，长期使用后容易留下印记。需注意目前测试对象为展示机，量产机型是否已优化需等待上市后实测验证。iPhone Duo定于10月23日发售，起售价15999元；因供不应求，官网预约订单已排到明年1月，首销当天仅官网预定顾客可在零售店取货；在产能有限前提下，苹果采取全球统一配额分货策略，各市场首批现货极为有限，首销期间出现黄牛渠道溢价销售，经销商不建议消费者加价入手。第三方调研机构报告称，iPhone Duo全年备货量预计为600万台，远低于iPhone 18 Pro系列千万级的出货规模。
意法半导体宣布扩展其太空级半导体产品组合，推出QML-V认证的四路低压差分信号(LVDS)接收器RHFLVDS42，用于航空航天与太空系统的高速数据链路。该器件数据速率高达600 Mbps，工作电压2.3V至3.6V，符合TIA/EIA-644及相关JEDEC标准，输入共模电压范围为-4V至+5V，绝对最大电压额定值为4.8V。抗辐射方面，据意法半导体称，其在LET为122.6 MeV·cm²/mg下无单粒子锁定(SEL)，在61.3 MeV·cm²/mg下无单粒子瞬态(SET)和单粒子翻转(SEU)，并通过RHA QML-V框架认证总电离剂量达300 krad (Si)，具备8kV ESD抗扰能力。该器件在法国雷恩工厂采用130nm CMOS工艺制造（公司称该工艺已用于太空相关应用超过十年），具有EAR99出口分类，工作温度范围-55°C至+125°C，采用接地盖气密Flat-16封装，并提供裸片选项。
据10月20日报道，韩国股市估值已跌至历史极值区间：剔除三星电子、SK海力士等存储巨头的影响，KOSPI整体仅以8.4倍远期市盈率交投，处于历史第11百分位，KOSPI今年第三次遭遇五日跌幅超15%的重挫，远期市盈率压缩至历史最低水平。摩根大通指出，三星已完成其回购计划，SK海力士也已接近尾声，外资持续净流出、国内机构需求依然有限，三大买盘来源同步撤退；同时杠杆ETF持仓规模尽管遭遇大幅抛售却仍居高不下，持续形成机械性卖压，摩根大通警告在这一杠杆风险彻底出清之前，新一轮抛售的可能性不能排除。仓位方面，趋势跟踪类投资者已从极度净多头转为净空头，长线只做多投资者仍在观望。值得注意的是，三星和SK海力士股价遭到重挫，但两家公司的远期盈利预测在10月这轮调整中持续上修，工业、金融和医疗健康等板块盈利预期同样延续上行，显示本轮重新定价更多由资金流向主导。此外，费城半导体指数（SOX）与KOSPI走势分化不断扩大，美国半导体板块已现初步企稳迹象而韩股持续承压。
英飞凌科技公司宣布扩展其PSOC Control系列，推出PSOC Control C3 Main Line PSC3M/P6微控制器(MCU)。该系列为基于Arm Cortex-M33、频率高达180 MHz的MCU，定位于多电机控制与电力转换系统，可通过单颗MCU以有感或无感配置驱动最多四个无刷直流电机，应用涵盖工业驱动、无人机、智能家居、家电、可再生能源、机器人、电信服务器、数据中心和数字医疗。安全方面，MCU符合CNSA Suite 2.0中针对固件保护的后量子密码学(PQC)要求，支持PSA Level 3，并有助于符合《网络弹性法案》(CRA)。其他特性包括宽禁带适配、片上运放、USB和I3C接口，以及基于ModusToolbox Power Suite和Motor Suite GUI的软件生态。英飞凌IoT、消费与工业MCU高级副总裁兼总经理Steve Tateosian表示，这些下一代MCU面向需要高性能、高效率与先进安全特性的多电机控制和电力转换系统。公司背景：截至2025年9月底员工约57,000人，截至9月30日的2025财年收入约147亿欧元。
文章介绍MEMS（微机电）开关正受到关注，称其在AI驱动的光网络、数据中心及其他领域日益普及，并被视为半导体开关的可靠替代品。光MEMS开关（光路交换机OCS）通过微镜阵列直接路由光信号，省去光电转换，可节省数据中心成本与功耗，分为2D和3D两类；RF MEMS开关分为欧姆（DC接触）和电容两类，可替代PIN二极管和FET。文中称MEMS开关比半导体对应产品小90-95%。同时指出局限：开关速度较半导体开关慢微秒级、需要高驱动电压、运动部件会磨损、需密封防潮；高效MEMS开关仍处于企业和供应商的研发阶段，AC/DC高功率处理系统尚待商业化。文中未提及任何价格、产量或订单数据。
文章称，AI浪潮正引发从云端数据中心到边缘应用的存储器需求激增，这一需求激增不仅为相关供应链带来了可观红利，也正在推动整个存储器生态系统的根本性结构转变。文章将台湾存储器厂商描述为从低谷走向转型，但未给出具体厂商、产品、价格数据或时间节点，原文未说明具体量化影响。
英飞凌宣布扩展其PSOC Control C3微控制器家族，推出新的PSC3M/P6系列，将多电机控制、功率转换能力与高级安全性集成于单一器件。新MCU可控制最多四个无刷直流电机，同时支持后量子密码学（PQC）要求。该发布面向欧洲的工业驱动、机器人及可再生能源等领域开发者（原文列表在此截断）。原文未说明价格或供货时间等细节。
TECO Electric & Machinery 正从以马达为主的制造商转型为提供整合式电力、能源、驱动系统与AI基础设施解决方案的平台型供应商。董事长 Morris Li 表示，人工智能正在加速全球对自主电力、微电网、虚拟电厂以及更快数据中心建设的需求。原文未说明转型完成时间或具体量化指标。
据快科技10月18日消息，彭博社记者马克·古尔曼称，苹果在iPhone Duo项目上犯下重大错误：供应链供货缺口早已被内部充分掌握，但苹果仍按原定时间表开启预售，未等产能爬坡完成就投放市场。按最初方案该折叠机型先在美国、中国两大市场首发，后续再逐步铺开海外渠道；为抢占上市节点，苹果临时调整为全球七十多个国家和地区同步开启预订，进一步放大供货压力。预售开启仅半小时，全球订单发货时间即顺延至次年1月下旬。古尔曼分析，仓促开售的核心目标是让新品在第一财季初期面市、优先保障财报节奏，从而造成大量首批用户落空。原文同时指出，苹果对发货日期的预估一向偏保守，实际交付速度大概率会优于页面显示，但首发货源严重不足已成既定事实；业内普遍认为该折叠手机要到11月之后才能迎来相对充足的供货规模，短期现货紧张难以快速扭转。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。
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| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |