GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
原文为背景性描述：全球碳化硅（SiC）市场正处于工业规模化的关键节点，其驱动因素为汽车、AI数据中心和可再生能源领域需求上升。原文未给出任何价格、产能、企业、日期或具体事件，未说明原因，也未涉及任何计划、政策或交易事件。
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
据市场研究机构Sigmaintell于10月15日发布的数据，三星显示为各大笔电品牌供应超过70%的OLED面板。随着OLED在笔电市场的普及，供应日趋集中：联想目前主要依赖三星显示，同时从京东方和 EverDisplay (EDO) 采购部分面板；惠普也高度依赖三星显示，并在部分机型使用EDO面板；华硕从三星显示、京东方和EDO采购；宏碁约75%的OLED面板来自三星显示；戴尔XPS系列的面板来自LG Display，其他产品则主要依赖三星显示。出货量方面，笔电OLED面板出货量从去年第一季度的210万片增至今年第二季度的430万片，预计第三季度将达到490万片；今年下半年OLED占整体笔电面板市场的份额预计超过10%；联想、惠普和华硕今年各自预计将有超过10%的笔电配备OLED面板。Sigmaintell表示，由于对单一供应商依赖加深会削弱议价能力并增加协调负担，主要笔电品牌正将采购策略转向多元供应商。在入门级市场，TCL华星准备供应喷墨打印(IJP)OLED面板，其已于第三季度开始出货显示器面板，并计划于第四季度启动笔电面板量产；在中高端市场，京东方和维信诺正在扩大柔性OLED面板供应，京东方B16产线已于今年第二季度量产，维信诺已于第三季度开始生产笔电用柔性OLED面板。Sigmaintell预测，到2030年非晶硅(a-Si)LCD在笔电面板中的占比将从2024年的约79%降至约48%，OLED份额预计升至约20%，氧化物LCD预计达到约29%。
台积电CEO魏哲家表示，当前AI需求不仅没有放缓，反而极其强劲。他进一步指出，随着开源模型等技术降低了AI的使用门槛、使AI变得更便宜更普及，将进一步激增市场对尖端芯片的庞大需求。原文未给出具体数字、时间节点或预测数值，属于高管对需求状况的表态。
IQ Lab因警方调查其涉嫌虚增营收而陷入资金短缺，韩国产业银行(KDB)在调查期间暂停放款。据10月15日消息，负责IQ Lab半导体晶圆厂公用设施的承包商A因80 million won未付款项计划于本月底撤出，IQ Lab预计将以内部人员替换该承包商人员。一笔500 million won的设备尾款也已逾期：KDB从设备供应商B处采购了五台用于碳化硅(SiC) MOSFET的高温退火设备并安装在IQ Lab晶圆厂，KDB扣留尾款后供应商B锁定了设备运行，IQ Lab一直无法使用这些设备生产SiC MOSFET。KDB原同意提供60 billion won融资用于购买晶圆厂设备，由KDB代为支付预付款、进度款和尾款，但因IQ Lab出现法律风险而暂停支付尾款，被扣留金额约13 billion won。IQ Lab称一直在用自有资金支付部分设备尾款，导致其他款项延迟；公司去年营业亏损约18 billion won，欠承包商款项估计达数十亿won，部分承包商据报无法支付员工工资，预计还会有更多承包商撤出。釜山地方警察厅正在审查IQ Lab自2021年以来的营收记录，重点关注二手设备交易；二手设备销售占IQ Lab去年35.1 billion won营收的三分之一以上。调查还延伸至釜山市政府：投资吸引科官员C近日作为证人接受釜山警方问询。2024年，釜山将IQ Lab指定为电力半导体特色产业园龙头企业，并在公司总部从京畿道安迁至釜山机张时提供3.6 billion won支持。釜山官员称投资经过包括投资审议委员会审查在内的合法程序，并有保证保险覆盖。CEO Kim Kwon-je据报预计本月被警方传唤，IQ Lab预计初步调查将在本月内结束。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
VON ARDENNE宣布将其半导体沉积产品组合扩展至面板级封装（PLP）领域，推出新的HiPIMS沉积解决方案。该方案可在玻璃通孔（TGV）中沉积高深宽比的阻挡层和种子层，实现致密、高附着力的功能性薄膜沉积，并基于其HISS模块化水平镀膜平台，将HiPIMS技术从300mm晶圆级加工扩展至面板级生产，适用于TGV和再布线层（RDL）等先进封装应用。据Yole Group统计，PLP在2025年产生超过3亿美元的收入，预计未来五年将以超过40%的复合年增长率增长；据2026年3月Yole报告《Panel Level Packaging 2026》，在台积电（TSMC）进入及AI和高性能计算（HPC）应用采用高端PLP的推动下，PLP预计在2029-2030年间加速发展。VON ARDENNE高管称HiPIMS可降低下游成本、提高良率。此次为产品/市场扩展公告，原文未说明相关生产或投产时间安排。
美国亚利桑那州斯科茨代尔的智能功率与传感技术公司onsemi表示，其最新的EliteSiC碳化硅(SiC)混合功率模块技术已被可再生能源技术公司Sungrow采用，用于其PowerTitan 3.0储能平台。该集成可提升公用事业级电池储能系统(BESS)的效率并增强系统性能。原文未说明原因（未给出采用背景之外的额外动因）。
Vishay推出四款面向电池管理、储能和工业自动化系统的新车规级光学传感器，型号为VCND2040X02、VCND2040SLX02、VCND2045X02和VCND2045SLX02。四款器件将红外发射器与PIN光电二极管集成于4.4 mm x 2.25 mm x 1.9 mm的表贴封装中，具有两个独立透镜及发射器与探测器之间的集成串扰隔离结构，支持短距离自由空间光通信，配光纤可延长至数米。器件通过AEC-Q102认证，支持最高6 Mbit/s的系统节点间数据传输；采用可润湿侧翼引线框架，可侧视或顶视安装；MSL等级为3，符合RoHS、无卤素。VCND2040系列典型辐射强度35 mWsr、辐射功率8 mW、上升/下降时间18 ns、正向电压1.5 V(@ IF=24 mA)；VCND2045系列典型辐射强度65 mWsr、辐射功率12 mW、上升/下降时间9 ns、正向电压2.5 V(@ IF=24 mA)。原文未说明价格、产能或供货时间。
京东方董事长陈炎顺于10月12日访问韩国，会见了三星电子CEO TM罗（TM Roh）。业界人士认为双方讨论了电视用液晶显示（LCD）面板和智能手机用有机发光二极管（OLED）面板的供应。LCD供应量和价格是关键议题：自韩国厂商停止生产电视LCD面板以来，三星电子对中国面板厂商的依赖日益加深，其最大供应商为TCL子公司华星光电（CSOT）；据报道三星今年大幅增加从京东方的采购，以降低对单一供应商的依赖，而LCD面板价格波动下的采购价格谈判是另一个议题。智能手机OLED交易能否恢复也受到关注：三星电子今年开始为Galaxy A57采购部分CSOT的OLED面板；京东方此前曾为三星Galaxy A和M系列供应OLED面板，但因与三星电子子公司三星显示的专利纠纷而停止出货，去年11月达成的和解为业务恢复扫清了道路。此次会晤距离罗6月访问中国的京东方约四个月；陈也于去年12月赴韩会见三星电子高管，两家公司高管在不到一年内会面三次。陈计划于10月14日访问京东方韩国 recently迁址的办公室后返回中国。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
德州仪器（TI）推出ADC34DSO75，一款3吉样本每秒（GSPS）的模数转换器（ADC），设计用于检测AI数据中心中的瞬态电源事件，支持纳秒级分辨率的连续、低功耗、基于事件的远程监测，并在2026年OCP全球峰会上与新高压电源管理和时钟解决方案一同展出。TI还推出LMI800PS，一款800V隔离热插拔控制器，集成了此前需五颗独立集成电路实现的功能，将隔离偏置电源与PMBus遥测整合于单一封装，使板面积减少超过60%，支持±400V和800V两种配电架构，具备5kVrms增强隔离和超过8mm的爬电距离。TI还重点介绍了基于体声波（BAW）的LMK6B振荡器，在625MHz下抖动为9.6fs，支持数据传输速率向3.2Tbps提升的高速网络系统。此外，TI将展示面向NVIDIA MGX AI工厂生态系统的800V直流电源解决方案，包括热插拔保护以及采用氮化镓（GaN）功率级的800V转12V和800V转6V DC/DC转换，并定于2026年10月15日在加利福尼亚州圣何塞的OCP全球峰会上进行关于800V数据中心DC/DC设计考量、拓扑比较与权衡的技术演讲。
iC-Haus宣布将以机器人为重点参加electronica（慕尼黑，2026年11月10–13日，C5馆420展位）和SPS 2026（纽伦堡，2026年11月24–26日，4A馆146展位）两场展会，展示用于轴、关节、夹爪等定位感测与电机控制的高集成编码器和传感器iC。展品亮点包括用于空心轴应用（如机器人关节）中位置感测的新型iC-MUE磁性绝对值编码器SoC、用于光学测量系统（包括基于三角测量的距离与物体检测）的激光二极管驱动器，以及面向高性能电机反馈系统的iC RT2624 26位光学编码器方案。该消息为产品展示层面的背景信息，原文未说明任何价格、供应或需求变化，亦未说明原因。
Stackpole Electronics推出RMAN系列芯片电阻器，将厚膜电阻技术与氮化铝(AlN)基板的散热能力相结合，面向高功率或持续负载下运行的工业与汽车电子。据原文，氮化铝的热导率比传统氧化铝高数倍，同时保持电气绝缘。功率规格方面，1206尺寸功率最高达2.4 W，2512尺寸最高达3.4 W，原文称其在紧凑PCB占位面积下比传统氧化铝基厚膜设计具备显著更高的功率能力。应用包括IGBT、SiC和GaN功率模块的栅极与缓冲电阻器，电机驱动、电源和逆变器中的预充、放电、泄放和电流检测功能，以及汽车电池管理系统、车载充电器、DC-DC转换器和逆变器栅极驱动。价格因尺寸、公差和TCR而异，需联系Stackpole或授权分销伙伴获取具体或批量价格。
在10月8日举行的在线技术研讨会上，LG Display 首席技术官 Choi Young-seok 表示，公司计划将其下一代 OLED 图案化技术 FLiPP 优先用于笔记本电脑和显示器等 IT 产品，同时保留未来智能手机应用的可能性。LG Display 将花费约一年时间审查现有 LCD 和 OLED 生产设备如何被重复使用或改造以降低资本投入。FLiPP 仍处于技术开发阶段，量产目标设定在未来几年；技术开发始于 2025 年 7 月，并在第八代玻璃基板上进行了演示。相较于传统 FMM，FLiPP 使 23.5 英寸面板的面板利用率从 75% 提升至超过 93%，有机发射材料利用率从 40% 提升至 74%，沉积时间降低约 40%，光孔径比提升至 65%（传统 FMM 为 42%），并且可依据产品设计优先事项将亮度提升 1.6 倍、寿命延长 2.4 倍或降低功耗 13%。LG Display 最初将专注于 IT OLED 应用，包括笔记本电脑和显示器。原文未说明原因。
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |