Microchip最新1200-V SiC MOSFET采用顶部冷却QDPAK封装以提升功率密度
Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
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Microchip推出其最新1200-V SiC MOSFET,采用顶部冷却的QDPAK封装，以最大化散热并最小化寄生参数。原文未说明该产品的量产时间、价格或供应情况。
IQ Lab因警方调查其涉嫌虚增营收而陷入资金短缺，韩国产业银行(KDB)在调查期间暂停放款。据10月15日消息，负责IQ Lab半导体晶圆厂公用设施的承包商A因80 million won未付款项计划于本月底撤出，IQ Lab预计将以内部人员替换该承包商人员。一笔500 million won的设备尾款也已逾期：KDB从设备供应商B处采购了五台用于碳化硅(SiC) MOSFET的高温退火设备并安装在IQ Lab晶圆厂，KDB扣留尾款后供应商B锁定了设备运行，IQ Lab一直无法使用这些设备生产SiC MOSFET。KDB原同意提供60 billion won融资用于购买晶圆厂设备，由KDB代为支付预付款、进度款和尾款，但因IQ Lab出现法律风险而暂停支付尾款，被扣留金额约13 billion won。IQ Lab称一直在用自有资金支付部分设备尾款，导致其他款项延迟；公司去年营业亏损约18 billion won，欠承包商款项估计达数十亿won，部分承包商据报无法支付员工工资，预计还会有更多承包商撤出。釜山地方警察厅正在审查IQ Lab自2021年以来的营收记录，重点关注二手设备交易；二手设备销售占IQ Lab去年35.1 billion won营收的三分之一以上。调查还延伸至釜山市政府：投资吸引科官员C近日作为证人接受釜山警方问询。2024年，釜山将IQ Lab指定为电力半导体特色产业园龙头企业，并在公司总部从京畿道安迁至釜山机张时提供3.6 billion won支持。釜山官员称投资经过包括投资审议委员会审查在内的合法程序，并有保证保险覆盖。CEO Kim Kwon-je据报预计本月被警方传唤，IQ Lab预计初步调查将在本月内结束。
Renesas Electronics推出其首个100-V增强型(E-mode)分立GaN功率晶体管家族，型号包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC。公司称这些低压GaN FET实现业界领先的硬开关和软开关品质因数(FOM)，硬开关FOM较同类GaN器件最多低35%，软开关FOM最多低63%。器件采用FCLGA封装，保持与硅器件兼容的占位面积，便于从硅MOSFET布局迁移而无需大幅改动PCB。RTP100E005G1FL和RTP100E2P6G1FL典型导通电阻分别为5 mΩ和2.6 mΩ；双面冷却的RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC导通电阻分别为1.8 mΩ和1.2 mΩ。根据应用需求和功率转换架构，这些晶体管可实现最多40–70%更低的开关损耗和系统级最多两倍的功率密度。该100-V家族面向AI数据中心、人形机器人和工厂自动化等高功率密度应用，可用于同步整流、多相降压转换和工业电机驱动等场景。新型低压GaN功率晶体管现已供货，并提供相应的评估板。
Infineon 推出 XDP8HD40S-1 高压热插拔控制器，专为下一代 AI 服务器电源架构中的数字电源路径保护和监控设计，工作电压为 ±400 V 和 800 VDC，样品计划于 2027 年第二季度可用。
英飞凌科技股份公司面向服务器ODM和OEM推出27 kW三相电源单元（PSU）解决方案，以应对AI工作负载推动数据中心向800 VDC或±400 VDC供电架构的转变。该参考设计满足OCP Open Rack V3（ORV3）规范及AI服务器机架架构要求。设计整合了英飞凌650V CoolSiC和CoolMOS MOSFET、EiceDRIVER栅极驱动器、XENSIV电流传感器及PSOC微控制器；在480 VAC输入电压、50%负载下实现超过98%的峰值效率；采用五电平ANPC PFC拓扑和三电平LLC转换器，功率密度达116 W/in³（ORV3最低要求为94 W/in³）；集成能量缓冲器可在电网短暂扰动时提供20毫秒保持时间；支持311至528 VAC三相输入电压范围，在大部分负载工作范围内功率因数高于0.99，工作环境温度为-5°C至45°C。公司背景：截至2025年9月底全球员工约57,000人，2025财年（截至9月30日）营收约147亿欧元。
Diodes Incorporated (Nasdaq: DIOD) 于2026年10月9日宣布将首次参展electronica(11月10日至13日),展位为Hall C6, Booth 211。公司将展示不断扩充的模拟与电源产品组合,主题为"More than diodes",通过四个演示平台展示市电转48V转换、48V转更低电压转换、电机控制和电路保护,应用方向覆盖汽车、数据中心和工业系统。48V电源树演示将展示从48V输入到12V再到5V和3.3V等更低电压轨的功率转换。公司还将借electronica 2026发布面向数据中心和AI计算基础设施需求的最新电源转换技术。此为展会参展/产品展示计划,不涉及价格、产能或供需变化。
Monolithic Power Systems (MPS) 应用工程师 Joan Mampel 撰写的技术文章，介绍了一种结合堆叠输出拓扑与加权反馈网络来改善多输出反激变换器交叉调整率的实用设计。该设计基于 MPX2002（集成650 V原边控制电路和150 V副边同步整流驱动，采用容性隔离替代光耦并支持准谐振工作），从85 V AC至265 V AC输入生成四路输出：主调整+5 V输出、堆叠+12 V输出、后调整+3.3 V输出（由MP2332H同步降压变换器从+12 V轨降压获得，开关频率约1.2 MHz，选用MPL-AL4020-2R2电感）以及低电流-12 V辅助输出（由变压器独立绕组经MP2015A LDO产生，LDO输入范围2.5 V至24 V）。文章给出的关键设计参数包括：选用62 µF/450 V输入母线电容（最小直流母线电压限定为85 V DC，最高环境温度90°C，最大输出功率25 W），+5 V输出原副边匝比N_PS1=12（最大占空比限制45%，实际最低输入电压下原边占空比41.62%），+12 V输出匝比N_PS2=8，-12 V输出匝比N_PS4=4，开关频率70 kHz，磁化电感479 µH，最大额定峰值电流1.32 A，最低线输入平均电流0.33 A，输入峰值电流1.99 A，加权反馈实现+5 V输出70%调整率和+12 V输出30%调整率。文章称实验结果评估了所实现的交叉调整率、输出电压精度和整体变换器性能，并验证该架构是多输出辅助电源的实用方案。此为设计技术背景内容，不涉及价格、产能、库存或政策事件，原文未说明原因一项不适用（无事件原因需说明）。
这是一篇由西门子数字工业软件Calibre Design Solutions产品工程师Bhanu Pandey撰写的技术评论文章，主题为模拟/混合信号(AMS)验证中的“浮动网络(floating net)”结构缺陷。文章引用Wilson Research Group / Siemens EDA功能验证研究称，首次流片成功率处于历史低位，近68%的设计需要两次或更多次流片，而AMS验证仍是导致重新流片的主要来源之一。文章解释浮动网络的成因（断电模式下节点失去低阻抗通路、由寄生电容上的俘获电荷决定电压、漏电流导致电压漂移，可能引发闩锁或永久性物理损坏），并列举SPICE仿真无法捕获该缺陷的三个原因：收敛处理(gmin stepping)掩盖缺陷、时间尺度问题、测试激励覆盖不足。文章以内部标注为“VICTIM”网络的设计案例说明缺陷在仿真中被掩盖但在硅片中造成大电流尖峰、损坏输出级并导致昂贵的现场失效和重新流片。文章主张采用自动化结构分析（如Calibre Insight Analyzer）在流片前检测浮动网络，将可靠性验证左移，但未涉及任何价格、供需、产能或采购相关信息，属于背景性技术内容。
分析师建议申购珂玛与斯达转债。珂玛转债票息13.5%且转股价值101.47，主要应用于半导体设备先进陶瓷零部件；斯达转债票息11.5%且转股价值95.36，主营IGBT与SiC功率半导体。该申购建议对正股构成利多。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |