GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
据IT之家10月19日消息，奇瑞 iCAR V25 汽车现已开启预订，新车提供四种配置，价格区间在13.98-17.58万元。各版本预订价格为：后驱 Pro 13.98万元、后驱 Max 14.98万元、四驱 Max+ 16.38万元、四驱 Ultra 17.58万元。该车搭载超级猎鹰 700+ 辅助驾驶系统以及地平线征程 6P 芯片，算力可达560TOPS；动力方面将搭载1.5T增程系统，最大功率115kW，搭配33.67kWh磷酸铁锂电池，WLTC纯电续航有145km和150km两种，亏电油耗分别为6.9L/100km和7.15L/100km。原文未说明原因（本条为新车预订信息，不涉及价格变动或供应事件）。
中信建投研报指出，2026年以来国内大储装机节奏偏慢，项目实际落地不及预期，与招标数据明显背离；其认为最核心原因是今年以来西北区域峰谷价差收窄，原因包括负荷增速下降、储能峰谷套利以及风电新增装机较多压制晚高峰电价；此外系统运行费上涨、各省容量电价落地进度偏慢、碳酸锂涨价、并网审批延迟等也影响了储能运行经济性，拖慢项目落地。中信建投下调2026年国内大储新增装机预测至230~250GWh，同增约21%~32%；并预计2027年随着碳酸锂降价、华北/东北/华南等区域需求增长及算力协同等新场景带动，国内储能仍有增长的动力和潜力。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
贝哲斯咨询发布的宽离子束技术市场研究报告（2026版）显示，2025年中国宽离子束技术市场规模达15.53亿元（人民币），全球宽离子束技术市场规模达53.3亿元。报告预测到2032年全球宽离子束技术市场容量将达78.52亿元，此为报告预测而非已实现结果。报告按种类将宽离子束技术细分为薄膜沉积、红外传感器、光学多层、多层膜沉积，按最终用途应用于光电子学、记忆体、电子产品、存储设备、半导体、感测器、光学、微机电系统等领域。报告列出的中国宽离子束技术市场主要企业包括Meyer Burger Technology AG、Plasma-Therm、Raith GmbH、Hitachi High-Technologies Corporation、Veeco Instruments、Oxford Instruments，并分析主要企业排行、市场占有率及经营概况。出版商为湖南贝哲斯信息咨询有限公司。原文未说明原因，本条为行业报告类背景信息，未涉及具体价格变动、产能调整或政策事件。
这是一篇关于FPGA原型验证的技术性文章，未涉及价格、产能或供需变化。文中引用2024年Wilson Research Group功能验证趋势报告的三次调研数据：2016至2024年间，'design error'作为ASIC功能缺陷根因的占比从75%降至60%，'changes in specification'从59%降至43%；而'incorrect or incomplete specification'从56%升至58%再到59%，基本持平且略有恶化（各数字为受访者勾选比例，允许多选，不合计100%）。文章主张FPGA原型验证可在规格定义阶段验证'是否在做正确的芯片'，并介绍S2C的Prodigy平台与PlayerPro工具链：100+块Prototype Ready子卡与参考设计、50+个Prototype Ready IP模块；Prodigy Logic System S8-100基于AMD Versal Premium VP1902，单核心模块约1亿ASIC门，两模块约2亿门，四模块约4亿门，2,212个XPIO（最高56Gbps）。公司层面：S2C深耕ASIC与SoC验证超过20年，拥有300多名员工、服务700多家客户、设7个全球分支机构，自2020年以来服务全球前25大半导体公司中的12家；S2C估计其总拥有成本比传统EDA供应商低30–50%。
pSemi高级产品营销经理Jason Ngai在Power Corner访谈中介绍ARC1C0608 LED背光驱动IC，该器件适用于单节（1S）锂离子笔记本，需将2.7至5.5 V输入升压至最高30 V的LCD背光电压。Ngai称现代SoC待机效率提升后，显示屏成为主要功耗来源，占总系统功耗最高约70%，且显示屏无法待机，只能调暗或关闭。他指出LED背光驱动为升压变换器，输入电压越低效率越差：典型1S LED驱动器效率约为中80至高80百分比区间，但在电池电压范围（满电约4.35 V，接近截止约3.2–3.6 V）内会降至中60至中70百分比。ARC1C0608采用升压加电荷泵的专有两级架构，可实现最高95%峰值效率，在大部分工作范围内效率为高80至90以上百分比；以3.8 V输入、22–24 V输出为例，电荷泵以3倍倍压工作，升压级只需升至约8 V。该架构降低对电感的依赖，可配合1.2 mm高（甚至0.6 mm高，效率仅降约1%）的芯片电感实现薄型方案。除笔记本外，该IC也适用于平板、VR头显、无人机车灯及自行车显示等单电池显示应用。
赣锋锂业周四披露的三季报显示，2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润达50.12亿元，同比增幅高达19540.50%，上年同期仅为2552万元；营业收入攀升至361.59亿元，同比增长147.24%。公司将业绩改善主要归因于锂系列产品售价回升及锂电池系列产品销量增加。第三季度单季归母净利润为7.55亿元，同比增长35.62%，第三季度营业收入为130.62亿元，同比增长109.03%。扣非后前三季度净利润为46.36亿元，上年同期为亏损9.36亿元；第三季度扣非净利润为7.88亿元，同比增长2803.44%。前三季度投资收益达13.10亿元，同比增长235.90%，其中对联营企业和合营企业的投资收益为8.26亿元，并包含部分处置PLS股票所获收益；非经常性损益合计约3.76亿元，包括政府补助1.30亿元。经营活动现金流净额由上年同期的负4.29亿元转正至22.95亿元。截至2026年9月30日，公司总资产为1224.89亿元，较年初增长8.15%。
SK hynix 披露其于 10 月 14 日在新闻室发布的研究，开发出使用铁电三维 NAND（3D FeNAND）的模拟计算内存（A-CiM）技术，能够在 NAND 闪存内直接执行人工智能计算。该技术通过调整编程脉冲数量区分电流状态，在非电路层通过引入气隙降低字线电阻，在页面层采用页面内流水线（IPP）优化数据放置和计算序列。仿真表明，基于 3D FeNAND 的 A-CiM 相比传统非易失性内存可实现最高 20 倍的吞吐量提升和 5,000 倍的能效提升。
据2026年10月15日报道，半导体专家@bubbleboi近日利用Meta旗下的Muse AI智能体，成功设计出一款基于RISC-V架构的加密专用SoC，整个设计过程的计算成本仅约2000美元（快科技注：约1.42万元人民币），消耗约1亿个Token完成了从逻辑门布局到布线的全部工作，并通过OpenROAD软件完成布局布线，生成了可发往代工厂流片的GDSII版图文件。该芯片包含约61590个逻辑单元，运行频率为100MHz，运行时功耗仅20mW，拥有4.5纳秒的松弛时间余量；方案通过了设计规则检查且未发现电气故障，并通过150万个Berkeley TestFloat测试向量验证，完全符合RISC-V架构的浮点运算规则。目前该专家正在寻找多项目晶圆（MPW）的共享流片机会，以期将版图文件转化为真实硅片，尚未实际流片。
10月15日，在2026世界储能大会上，宁德时代董事长曾毓群表示，储能正从新能源的配套设施逐步成为电力系统不可或缺的新型基础设施，并称即使在中国也曾发生因AIDC（智算中心）负荷激增险些造成电网波动甚至瘫痪的情况。据SNE Research数据，今年上半年全球锂离子储能电池出货量达461.3GWh，同比增长71%；中国以外市场占比达56%，首次超过一半。曾毓群提出储能行业需强化整站级解决能力、底层创新和体系化场景化实证三项能力；宁德时代通过高功率电芯与智能控制系统配合实现毫秒级精准响应，并推动钠电池与锂电池协同互补。此外，今年5月由厦门市政府与宁德时代共建的实证储能科技研究院启动，计划总投资约30亿元，研究院已面向全行业开放，已对全球32个项目进行体系化实证，涉及电池容量超过16GWh。
TDK 推出 Micronas HAR 3025 双芯片抗 stray-field 稳健电机位置传感器，具备冗余设计、ASIL D 就绪（SEooC），符合 ISO 26262:2018 和 ISO 11452-8:2015 标准，样品已可获取，量产计划于 2027 年上半年开始。原文未说明原因。
TrendForce转发的推文称，马斯克表示中国在RAM（内存）方面正取得快速进展，并指出LPDDR5/LPDDR6领域正快速推进，同时强调中国的大规模制造能力，其举出锂电池和太阳能作为例子。原文以提问形式提出常规存储器是否会走上类似路径，属评论性内容，未说明任何价格、产能或供需数据，原文未说明原因。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
恩捷股份预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为15.4亿元-20.5亿元，同比扭亏为盈。业绩变动主要系锂电池隔膜行业景气度上行，供需格局优化，产品价格企稳回升，公司产能利用率保持高位，产品销量显著增长，高毛利产品占比提升，毛利率显著提升，盈利能力持续增强。
CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。
文章报道理想、小米等车企正减少对宁德时代电池的依赖：理想宣布全自研电池战略，代工厂为欣旺达和中创新航；小米主导龙甲电池设计并交由欣旺达和中创新航生产；零跑、小鹏、吉利甚至老客户宝马也开始转向二三线电池品牌，但文中明确'车企正在抛弃宁德时代'并不准确，只是宁德时代在新车上的出场率在降低。原文给出的原因有且仅有一个，即宁德时代的电池价格过高：宁德时代目前价格约0.585元/Wh，主流二线品牌报价为0.52元/Wh甚至更低；假设一台车电池60度、每年卖出20万台，车企切换供应商可省下7.8亿元成本。财务数据显示，从2020年到现在宁德时代动力电池总收入达1.414万亿元人民币，今年上半年达到1921.2亿元；去年动力电池业务利润754亿元，毛利率23.84%，而年营收超8000亿的比亚迪利润仅326亿元。质量方面，受访工程师称技术差距小但生产工艺和质量管控差距难以解决：宁德时代电池包整包失效率为1 PPM，其他厂家大多在35 PPM左右；电芯层面宁德已达1 PPB，友商大多在100~1000 PPB（0.1~1 PPM）之间。此外，据多家媒体报道，为解决锂电池行业结构性产能过剩，从今年五月份开始各地已暂缓电池企业新建动力电池和储能电池项目，审批权限正从地方转移到国家层面，这加大了二三线品牌追赶的难度。文章还提到车企的态度等因素已使宁德时代股价出现较大幅度下跌，并质疑其超过四成的市占率能维持多久。
量子计算公司Quantum Source发布了其专有互连技术QS-LINK的首批技术细节。QS-LINK使用单个铷原子作为量子存储器，在与第一台处理器成功建立纠缠之前保持与该处理器的纠缠，使处理器不再需要在同一时刻发射光子，从而将处理器间连接速率提高数个数量级。在传统双光子方案中，每颗光子 delivery 概率约为1%或更低，两颗同时到达的概率约为万分之一；据分析建模与蒙特卡洛模拟，达到容错架构所需的约每秒10,000对纠缠，线性光学需要约每秒1.9亿次尝试，而QS-LINK约需320万次，减少约60倍，达到当今离子阱系统可实现的速率；这些预测假设光子-原子门在约20纳秒内以98.4%的效率完成，完整的端到端演示是下一步。任何能发射兼容光子的处理器（离子阱、中性原子、超导或光子）均可通过标准光纤互连。文中提及公司ORIGIN引擎于2025年9月发布；今年7月（未给出年份），Quantum Source与以色列国防研究与发展局通过超过一公里未稳光纤按需发送纠缠光子对且保真度无可测损失。公司成立于2021年，总部位于以色列Nes-Ziona，已融资7700万美元。此为产品技术发布，未见量产、供货或商业化落地状态。
快科技10月12日消息，闪极现已上架一款Vision Mag磁吸充电宝，支持15W无线充电和20W有线充电，内置5000mAh电芯，定价199元。整机重量140g，尺寸为102 x 72×11.7mm，采用银色金属机身（苹果同款铝合金，散热更优），正面下方嵌有TFT彩屏模组（支持显示iPhone机型信息/充电功率），右下角配备编织挂绳。底部USB-C接口支持20W输出/15W输入，兼容QC3+、FCP、SCP、AFC、PD3.0/PPS、DCP以及Apple 2.4A等协议；背面无线充电模组可提供15W无线充电。产品内置一块通过针刺测试的5000mAh豪鹏电芯，搭配赛芯微XB8886G锂电保护芯片，主控SoC采用智融科技SW6236W，无线充主控芯片为NIKOLA方昕N9006B。京东购买链接定价199元。
据一财全球报道，CXMT总裁曹勘宇在10月10日的集成电路与Chiplet大会上介绍了该公司的4F² DRAM架构，并计划在年底前推出基于该技术的下一代DDR5 RDIMM（属计划，尚未证实量产）。据MyDrivers解释，业界目前采用6F²设计（每个存储单元占最小特征尺寸平方的六倍），4F²将其缩减至四倍，有望在相同面积内将存储密度提升30%–50%；CXMT方案的核心是垂直环绕栅极（VSG）晶体管，可改善静电控制并降低漏电流和短沟道效应。曹勘宇称CXMT已拥有超过300个与4F²架构相关的已公开专利族。另据TrendForce，CXMT在2026年第二季度全球DRAM营收排名第四，市场份额从前一季度的7.6%升至9.5%，落后于三星（39.4%）、SK海力士（24.9%）和美光（23.3%）。同期，三星在ISSCC 2026上展示了结合4F²单元与晶圆级混合键合的16Gb原型，但据报优先推进混合键合商用化，该技术预计2028年前不会上市，4F²整合尚无明确时间表；Wccftech报道称三星考虑在其B1b工艺（据报更名为D0a）中采用4F²，SK海力士也在推进垂直栅极（VG）4F² DRAM。据Money Today，CXMT即将推出的产品可能仅部分采用4F²技术，实现大量产仍是另一道门槛。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |