GMS发布MOSA兼容Thunderbolt™启用的Expansion™模块
General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
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General Micro Systems (GMS) 今日发布其 MOSA 兼容的智能外围 Expansion™ 模块，这是一系列雷电™ 使能的子系统。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
联想于10月19日在韩国推出搭载Nvidia RTX Spark的Yoga Pro 9n笔记本电脑。该款笔记本采用Arm架构CPU与Blackwell架构RTX GPU的SoC平台，支持最高128GB统一内存。起售价为674.9万韩元（64GB LPDDR5X版），预售价624万韩元。具备Lenovo X Power散热系统，TDP最高80W，噪音低至22分贝。配备15英寸OLED屏幕，峰值亮度1100尼特，刷新率165Hz，覆盖100%sRGB及DCI-P3色域。触控板为ForcePad提供触感反馈，支持第二代Yoga Pen（Wacom AES 3.0）。机身厚度16.7mm，重约1.65公斤，电池容量92.5Wh，支持USB4、杜比全景声四扬声器、三麦克风3D降噪、键盘特殊涂层、凹陷键帽及1.5mm键程。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
华为科学家黄宇在2026年10月15日的湾区芯片博览会上表示，EDA工具是Tau（τ）定律面临的最大挑战。华为于2026年5月25日在ISCAS 2026正式提出Tau定律，并在2026年10月发布搭载基于LogicFolding技术的Kirin 9050 Pro芯片的Mate 90系列，标志该理论从概念走向商用。
Terafab 项目已获得 16.8 亿美元的一期资金（四期总额最高可达 119 亿美元）；其位于奥斯汀的研究晶圆厂正在每月处理几千片晶圆，迭代工艺配方、晶体管设计和封装变体，而格里姆斯县正在建设的产能晶圆厂目标是每月 10 万片晶圆起始量，首片硅预计在 2029 年交付，采用埃隆·马斯克所命名的英特尔 14A 工艺。站点和一期资金已获批准，研究晶圆厂正在施工，但尚未公开首片晶圆日期或所有权条款，且特斯拉和英特尔均未签订合约约束。文章认为，先进封装而非光刻将决定单屋顶概念是否盈利。
中国半导体与计算硬件企业在2026年前九个月报告或预测了强劲的盈利增长，其驱动因素为AI基础设施投资、对国产处理器和光互连的需求以及芯片市场复苏。但季度业绩出现分化，凸显出AI驱动的增长与传统存储器定价周期之间日益扩大的差距，其中DRAM和NAND的价格涨幅正在减弱。原文未说明DRAM、NAND价格涨幅减弱的具体原因，亦未披露具体公司或具体数字。
Nvidia在10月13日于旧金山举行的SEMICON West 2026上发布下一代共封装光学（CPO）技术——光学引擎置于转接板上（optics-on-interposer，OOI）。该技术将光学引擎从有机封装基板移到承载计算芯片的转接板上，通过消除电气信号路径中的有机基板来提高带宽密度并降低功耗，Nvidia称已开发出原型。Nvidia首席研究员Nikola Nedovic进行了该研究的报告。Nvidia还发布了DWDM技术，演示了8个波长、每波长32Gb/s、单光纤256Gb/s的传输。两项技术均仍处于研究阶段，Nedovic表示正在为未来产品提出并评估技术，同时解决阻碍商业化的挑战。Nvidia已量产部署CPO产品Quantum-X Photonics和Spectrum-X Photonics：Quantum-X用于连接Blackwell Ultra-based GB300 NVL72机架的InfiniBand网络，Spectrum-X部署于Vera Rubin平台的以太网交换机。Nvidia还建立了CPO制造生态：TSMC提供COUPE硅光子封装技术并与SPIL共同代工，Coherent、Lumentum、Sumitomo Electric制造外置光源模块，Corning、Senko、Browave、TFC供应光纤及相关组件，Foxconn和Fabrinet负责散热与最终测试。
第二届中国银河证券大宗商品论坛（以"商品·科技·宏观"为主题）上，与会机构普遍认为大宗商品市场正进入宏观、产业、科技多因素交织共振的新阶段。银河证券章俊认为全球利率中枢上行将成常态，"高利率常态"将系统性影响包括大宗商品在内的大类资产定价体系。马凯认为未来中国大宗商品将出现K型分化：地产基建等旧动能商品处于空头配置逻辑，AI算力基础设施与新能源汽车渗透率提升催生铜、铝等有色金属高增速需求的多头逻辑。吴康概括2020年以来全球石油市场经历三次"黑天鹅"冲击，并给出油价情景：基准情景下（海峡逐步恢复）2027年布伦特年均价约85美元，高风险情景下（封锁持续）年均价可能维持在120美元以上，并认为当前市场定价对中东问题反映不够充分。陈虹称页岩气增长是全球化工原料格局重构的最核心变量，乙烷裂解只产乙烯不产丙烯的结构性矛盾直接推动了2026年二季度PP价格的逆势拉涨；她判断乙烷是少数有机会的化工原料，全球乙烷船数量将从2024年底的40艘扩张至2028年底的105艘，70%运力指向中国。冯源认为2026年煤炭市场反弹是供给侧多重扰动叠加的结果而非单纯需求驱动：中国煤炭产量连续三个月出现10%的同比降幅，印尼全年出口减少约3000-4000万吨，印度库存去化至四年同期最低值；他对2027年的判断是市场对煤炭价格回落的预期过多，2027年动力煤价格大概率在1000元人民币附近震荡。圆桌嘉宾认为AI算力中心建设带来铜、锡等金属的确定性增量需求，AI提升传统产业效率从需求侧对价格形成微妙下行压力，高波动将成为大宗商品常态。以上均为论坛专家观点与预测，非已实现的市场结果。
华为半导体业务无线终端芯片产品管理部部长徐松余近日公开解读称，韬定律（逻辑折叠技术）并非简单把几颗芯片物理堆叠，而是在芯片设计最初阶段以三维视角完成系统设计，实现缩短信号走线、提升晶体管密度。已正式落地量产的麒麟9050系列单颗芯片拥有超过5000万混合键合点，有效信号互连数量超过500万，晶体管密度相比前代提升53.5%；其中麒麟9050 Pro的CPU主频提升12.7%、CPU大核能效提升41%、GPU性能提升40%、GPU能效提升45%、NPU算力提升140%、NPU能效提升66%。华为说明，有效逻辑折叠要求混合键合间距与芯片顶层金属间距比值小于3；麒麟9050 Pro顶层金属间距为720nm，对应键合间距须小于2微米，目前工艺精度已做到1.5微米，2027年可推进至1微米。徐松余还透露，定位下一代的麒麟2027芯片已研发就绪，截至公开解读发布时所有项目测试结果均符合预期，逻辑折叠技术路线未来十年持续迭代演进具备可行性。
TrendForce预测，到2031年VCSEL需求将达到6.5亿颗，年增长率为38%。该预测的依据是六家供应商正在开发基于VCSEL的近封装光学器件，用于高速数据中心互连。此数据为预测值而非已实现结果，文中未说明除该开发活动之外的其他原因。
原文指出AI芯片制造复杂度上升，正在为半导体设备供应商创造新机会。Applied Materials表示，晶体管数量增加、互连密度提升以及更先进的内存架构，正在扩大对逻辑、DRAM和高带宽内存(HBM)制造环节的设备需求。文中未给出具体数字、日期或价格变动，属于行业背景信息。
Antaira Technologies宣布其LMX-1204G-SFP-T-BABA管理型千兆以太网交换机完全符合2026年10月1日生效的《建设美国，购买美国》(BABA)法案第二阶段要求，该交换机在美国制造并已可即时供货；根据联邦公路管理局(FHWA)要求，制造产品的组件成本国内占比自2026年10月1日起提高至55%，该交换机至少55%的组件成本在美国开采、生产或制造，系统 integrator、承包商和政府机构可在联邦资助的基础设施项目上部署而无需承担国内含量风险。Antaira同时公布了下一款符合BABA要求的平台LMP-1204G-SFP-bt-24-T-BABA，为系列新增每端口最高100W的IEEE 802.3bt PoE++供电，计划于2027年第一季度投产；该型号包含四个IEEE 802.3bt PoE++端口（每端口最高100W）、四个IEEE 802.3at PoE+端口（每端口最高30W）和四个千兆SFP插槽，采用12–55VDC宽压输入。公司的BABA计划于2025年启动，当时推出了LMX-1204G-SFP-T-BABA并将制造业务扩展至美国。
英伟达于10月12日首次发布以中央处理器(CPU)为中心的服务器机架设计——Vera CPU Rack规范，该规范针对代理式人工智能(AI)工作负载进行优化。据英伟达称，代理式AI高度依赖CPU计算；在其架构下，基于GPU的Vera Rubin NVL72机架负责传统大语言模型(LLM)训练与推理，而Vera CPU Rack设计用于处理代理式AI工作负载。Vera CPU Rack基于英伟达第三代MGX架构；MGX是英伟达提供给服务器制造商的数据中心服务器模块化参考规范，包括戴尔、超微和纬创（Quanta）在内的合作伙伴使用MGX架构设计制造自己的服务器产品。该机架将计算、网络、电源和散热系统集成到通用模块化平台中。英伟达还表示，已将基于MGX 1.2（第三代MGX规范的更新版本）的Vera Rubin机架和抽屉式计算托盘设计提交给开放计算项目(OCP)的Open DC计划，旨在帮助服务器制造商基于Vera Rubin开发下一代AI工厂基础设施并更快推向市场。MGX 1.2兼容19英寸服务器机架设备，单机架支持最高250千瓦(kW)，并引入机架级液冷；英伟达称标准化互连、可重构输入/输出(I/O)插槽和无风扇计算托盘可减少组装和维护时间。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
CXMT总裁曹坤宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；该宣布在Integrated Chips and Chiplets Conference上周六发表，文章发表于2026年10月13日。该内存采用垂直晶体管将电池占地面积在纸上减少约三分之一，但尚未公布速度或容量。CXMT预计将销售一种仅在三星和SK海力士研究论文中出现的存储单元。原文未说明原因。
Hyper-NA EUV 可能在2036年准备好，这是基于ASML和蔡司工程师在2026年10月报告的大约十年发展前景。目前尚未宣布固定的出货时间表，ASML已开始研发但未承诺生产该机器。
快科技10月10日报道，红魔12 Pro系列已定档，将于10月15日正式发布，官方公布红魔12 Pro+散热系统完整参数。新机搭载全新升级的ICE魔冷散热系统，采用风冷加水冷双散热方案，升级集中在四个方面：行业首款的RGB水冷散热技术（支持自定义RGB灯效）；水冷流道由上一代单环改为全新双环流道设计，水冷面积覆盖风道、芯片、电池等核心部件；采用AI服务器同款氟化液作为冷却介质；换装全新双晶水冷微泵，功耗20mW、输出压力130kPa，上一代红魔11 Pro+微泵参数为80mW、100kPa。风冷部分搭载驭风5.0主动散热风扇，转速提升至25500 r/min，为目前行业最快的手机散热风扇转速，上一代驭风4.0转速为24000 r/min；风扇采用首创迷宫防尘结构，支持IPX8防水，配合贯穿式风道设计覆盖机身热源区域。ICE魔冷散热系统共包含10层散热结构，包括屏下铜箔、超薄航天钢石墨烯（行业首款）、4D冰阶VC、航空铝中框、嵌入式复合液态金属4.0（行业首款）、高导热凝胶、导热稀土、贯穿式风道、驭风5.0主动散热风扇及RGB脉动水冷引擎（行业首款）；官方称液态金属4.0采用嵌入式复合结构，可大面积直触核心热源，4D冰阶VC采用双面凸台设计。
台积电举办2026开放创新平台（OIP）生态论坛，提出人工智能正在重塑半导体设计，认为更快的芯片需要在逻辑、存储、封装、互连、供电和设计方法等整个系统层面取得进展。台积电称OIP平台拥有28家可信合作伙伴、超过10万个经硅验证且量产验证的IP产品，以及超过3000名工程师。其5.5倍掩模版尺寸的CoWoS封装已量产，并描述了在3DFabric Alliance支持下走向超过14倍掩模版封装的路径。连接方面，采用COUPE技术的200-gigabit-per-second微环调制器已量产，报告误码率低于10⁻⁸，并规划400-gigabit-per-second调制、多波长和光纤阵列集成，目标是在2030年达到每毫米每秒4太比特。台积电称超过70%的OIP论坛论文使用AI解决方案或涉及AI用例，并介绍六家初创企业；其提议的AI Design Kit（ADK）将设计赋能模式转向代理式AI框架。原文明确说明图表所示为公司展望与预估，其预测应视为推断。
英国太赫兹技术公司TeraView已开始对其用于玻璃基板通孔（TGV）非破坏性检测的新设备进行概念验证（PoC），目标是检测小于5微米（μm）的缺陷。据业界消息人士10月8日透露，TeraView正在其英国总部开发该玻璃基板检测设备，系统旨在在TGV工艺完成后立即识别玻璃基板中的微裂纹，目前正使用英国大学和研究机构制造的R&D玻璃基板样品进行演示测试。新设备基于TeraCota技术开发（EOTPR因铜布线电镀前无法检测TGV结构而被排除），公司目标是把检测能力提升至5μm或以下，并计划在设备准备度提升后，按照韩国及海外主要玻璃基板公司的量产时间表供货。业界目前预计玻璃基板商业化将在2030年左右实现，比去年的预测晚约两年。此外，TeraView于10月5日签署了一份10.73亿韩元的EOTPR设备供应合同，客户为一家开发AI芯片的大型云服务提供商（hyperscaler）；该设备还供应给NVIDIA、AMD等主要半导体公司及其合作伙伴。原文未说明原因（未涉及事件原因）。
Whose chips are really inside the hottest new products? We open them up and show you, one part at a time.
All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |