默克计划将钼前驱体应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑芯片,阴城生产设施已建成
德国默克计划将二氧化钼二氯(MoO₂Cl₂)前驱体的应用从NAND闪存扩展至DRAM和逻辑半导体。默克电子薄膜材料业务高级副总裁Bing Han在10月21日于江南Sono Felice Samsung举行的记者会上表示,随着器件结构微缩,铜和钨的导电性问题将推动钼的更多采用。默克已在忠清北道阴城建成了钼前驱体生产设施,该设施将与其在安山的材料输送系统(CHEMKEEPER Vapor 200)整合,以交钥匙方案形式提供。该扩建使用2023年收购的M Chemicals现有工厂附近的土地,此前该场地生产铪基高介电常数前驱体;建设于2024年开始,设施在两年内具备运营条件。Han表示规划中的产能足以满足韩国客户的全部需求,但公司未披露具体产能或投资数字,并计划最终将支持范围扩展到亚洲各地客户。背景方面:三星电子已于2024年在其200层NAND中采用钼,SK海力士也在其300层NAND中用钼替换了部分字线材料;Lam Research、东京电子和应用材料是钼沉积设备供应商。Hein表示正与客户评估产能,以应对半导体材料消耗量未来五年内可能翻倍的情况。
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