TrendForce数据显示，亚洲主要芯片厂商2026年资本支出预计超1360亿美元，同比增长25%，其中台积电支出达520-560亿美元，70-80%用于先进制程。三星、SK海力士及铠侠联盟亦大幅扩产，重点投向HBM及先进产能。利空：此轮大规模资本支出潮，尤其是HBM与先进逻辑制程的产能扩张，预示未来供应将显著增加，对2026-2027年芯片价格构成潜在下行压力。

台积电2026年资本支出预计达520-560亿美元创纪录，三星与SK海力士大幅提升HBM产能，亚洲主要芯片制造商2026年总资本支出计划超1360亿美元，同比增长25%。支出激增由AI芯片需求驱动，重点投向先进制程、先进封装及HBM/NAND产能。利空：晶圆代工与存储芯片领域同步激进扩产，预示未来供应大幅增加，对中长期价格构成下行压力。

美光印度萨纳德封测厂全面投产后，预计将占其全球总产量的10%，2027年芯片产量将达数亿颗。该27.5亿美元项目获得印度中央及地方政府70%的补贴支持。利空：该先进封装产能的实质性落地，特别是针对AI内存及DDR5，将增加全球存储芯片的供应压力。

美光在印度桑纳德启用其首个半导体封测工厂，总投资27.5亿美元，洁净室面积超50万平方英尺。此举旨在利用印度激励政策，满足全球AI驱动的存储需求。利空：该工厂为DRAM和NAND新增大量封测产能，长期可能缓解供应瓶颈，对现货价格构成下行压力。

美光科技在印度古吉拉特邦正式启用新的半导体封装测试工厂，总投资达27.5亿美元。该工厂将负责DRAM和NAND晶圆的封装测试，计划2026年生产数千万颗芯片，2027年扩产至数亿颗，以支持AI驱动的存储需求。利空：此重大产能扩张增加了全球封装测试供应，可能缓解长期供应限制，并对存储模块价格构成下行压力。

美光在印度桑纳德启用首个半导体封测厂，总投资27.5亿美元。该工厂将把DRAM和NAND晶圆转化为成品，预计2027年产能达数亿颗芯片。利空：新增封测产能将增加全球供应，可能缓解存储芯片市场的紧张局面。

SK海力士计划至2030年前在韩国投资约150.7亿美元新建芯片生产线。背景是公司全年营业利润创纪录，且AI推理时代存储需求增长。利多/利空/关注：关注长期产能扩张（利空）与短期MOSFET等元件涨价（利多）信号并存，市场方向不明。

三星将于3月关闭其最后一条2D NAND产线（华城12号线，月产能8-10万片12英寸晶圆），并将其改造为DRAM后处理车间以专注1c DRAM生产。此举旨在优化资源配置，并为下一代HBM4内存铺路，符合三星向先进工艺过渡的战略。关注：长期可能收紧低端2D NAND供应，同时提升1c DRAM产能，对相关细分市场供需结构产生影响。

三星电子最早将于3月停止在华城12号产线制造2D NAND闪存。该产线将转为1c nm DRAM内存的后端制程服务。利多：利基市场2D NAND供应源被移除，可能加剧特定应用的供应紧张。

三星将于3月永久关停华城12号产线（月产能8-10万片），并将其改造为1c DRAM后段制程产线。此举旨在将传统平面NAND产能转向先进制程，以提升用于HBM4及服务器的1c DRAM产量。关注：传统NAND供应减少被中国工厂增产抵消，1c DRAM产能提升或缓解HBM生产瓶颈。

三星将于3月停产华城Line 12的最后一条2D NAND产线（月产能8-10万片），转为1C DRAM后道制程。此举旨在缓解DRAM生产瓶颈，并将NAND产能缩减部分转移至西安工厂升级。利多：削减成熟NAND晶圆供应，可能加剧特定产品短缺，同时行业资源加速向先进DRAM倾斜。

三星电子将于3月正式停产2D NAND闪存，并将华城12号产线（月产能8-10万片晶圆）改造用于生产1c DRAM及下一代HBM4。此举顺应了3D NAND全面取代平面NAND的技术趋势，并瞄准AI算力对高带宽存储的爆发性需求。利多：削减低端NAND供给，同时增加先进DRAM/HBM产能，可能加剧存储市场结构性紧张。

三星计划将华城Line 12工厂（月产能8-10万片12英寸晶圆）从2D NAND产线改造为用于HBM4的1c DRAM产线。此举旨在将老旧产能转向满足AI驱动的高带宽内存需求。利多：此举将永久削减2D NAND供应，同时增加HBM4/DRAM产能，对2D NAND价格构成支撑，并缓解HBM供应紧张。

三星电子最早将于3月停止在华城12号生产线制造2D NAND闪存，其2D NAND时代正式结束。该产线将转为1c nm DRAM的后端工艺产线，与平泽园区的DRAM产能扩张协同。利多：利基市场2D NAND供应永久性削减，同时产能转换强化了三星在先进DRAM节点的投入，可能加剧高端DRAM的供应集中度。

Intelligent Memory扩展其管理型NAND产品线，推出面向长寿命系统的低容量工业eMMC。此举背景是多家存储供应商正缩减或停产其eMMC产品线，为工业客户带来潜在供应缺口。利多：主流供应商产能退出加剧特定工业eMMC供应紧张，对存量合格品价格构成支撑。

三星电子与SK海力士虽获日本半价建厂及全额补贴方案，但因国内舆论与政府压力，多年未推进在日建厂计划。台积电与美光正利用日本政府高达数千亿日元的补贴，加速在日扩产，其中美光计划投资1.5万亿日元在广岛建HBM工厂。关注：韩国厂商的谨慎态度可能限制其长期产能扩张灵活性，而美光、台积电在日产能若顺利落地，将重塑部分高端芯片的供应格局。

三星半导体设定50%营业利润率战略目标，将资源向利润率超50%的优势产品倾斜。为实现目标，其计划将1c nm DRAM前期产能更多分配至服务器通用内存而非HBM4，并加速NAND制程升级。关注：此举可能导致部分通用存储芯片供应趋紧，而高端HBM4产能扩张节奏放缓，对不同产品线价格产生分化影响。