美光在广岛工厂启动1.5万亿日元扩产计划以应对AI需求。此举旨在提升NAND Flash产能，以匹配日益增长的AI算力需求。利空。扩产计划预示未来供应增加，可能对NAND Flash现货价格形成下行压力。

铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。利多NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。

SK集团董事长预计存储芯片供需紧张将持续至2030年，并计划在未来五年内将晶圆总产能翻倍。此举旨在应对激增的AI需求，并深化与台积电及英伟达在HBM4E等下一代产品上的合作。利多短期至中期的存储芯片价格，但需关注远期产能翻倍带来的供应格局变化。

味之素斥资约1.2亿日元在岐阜县购买土地，计划于2032年投产第三座ABF工厂。随着AI数据中心需求激增，ABF作为半导体封装关键材料，其利润率已超过50%，公司正通过扩建产能应对未来增长。利多：味之素凭借超95%的全球ABF市场份额，产能扩张将进一步巩固其在AI封装材料领域的垄断地位。

中芯国际扩产NAND与DRAM产能以应对制裁压力。此举旨在满足AI需求并推进国产供应链，利空：产能扩张增加供应，可能压制现货价格。

SK海力士在清州工厂部署2000张Nvidia Blackwell显卡用于内部AI系统。此举旨在保障核心数据安全并优化晶圆厂数字孪生与生产流程。利多SK海力士AI基础设施布局及Nvidia AI芯片需求。

长江存储（YMTC）在武汉启动新工厂建设，计划大幅提升NAND Flash产能。此举旨在缩小与三星、SK海力士等市场领导者的技术及规模差距。利空：主要竞争者产能扩张，加剧NAND Flash市场供应竞争，对价格构成下行压力。

SK海力士动工建设价值19万亿韩元的P&T7先进封装厂，目标2028年启动晶圆级封装产线。此举旨在扩大HBM及AI内存封装产能，以应对市场需求。中性：长期产能扩张满足远期需求，对当前现货供应及价格无直接影响。

三星电子与SK海力士正加速NAND闪存产能扩张计划，受AI与数据中心需求激增推动。此举标志着内存行业多年投资克制后的转变。利空：主要生产商增加供给，可能抑制未来价格上涨空间。

中国存储芯片制造商正加大产能扩张，本土设备商中微公司主导3D NAND刻蚀，北方华创的90:1深孔刻蚀设备瞄准300层以上NAND。此举源于供应紧张背景下，国内供应链自主化的持续推进。利空：本土产能的持续扩张，对NAND Flash中长期价格构成下行压力。

长江存储推进新晶圆厂建设，主要设备与材料转向本土采购。此举旨在突破外部制裁限制，提升国内NAND Flash自给能力。关注：长期或改变全球供应格局，但对短期现货价格与供需的直接影响尚不明确。

长江存储Q1收入超200亿元，同比翻倍，其闪存芯片全球份额已超10%。公司正进行史诗级产能扩张，计划新建两座工厂，总产能将翻番以上，单厂月产能目标10万片。利空：本土龙头大规模扩产将增加全球NAND供给，对中期价格构成潜在压力。

长江存储计划新建两座晶圆厂，月产能各达10万片，其中一座专用于NAND生产。此次扩张高度依赖中国本土设备生态的成熟度，以支持其X5（400+层）NAND的量产爬坡。利空：若成功，将显著增加NAND市场潜在供应，对远期价格构成压力。

YMTC第三座武汉工厂预计2026年底投产，国产设备占比超50%，并计划再建两座同等规模工厂。此举将使YMTC的3D NAND产能翻倍，旨在利用其晶圆键合优势。利空：产能扩张将加剧供应过剩，可能对价格构成下行压力。

长江存储计划建设两座新晶圆厂，加上一座接近完工的设施，使其产能翻倍以上。此举旨在推动中国芯片产业发展。利空。产能大幅扩张可能导致NAND Flash价格承压下行。

长江存储计划新建三座晶圆厂，目标将其总月产能从20万片提升至40万片，首座新厂预计今年投产。此次扩张在美国实体清单限制后高度依赖本土设备，并战略性地推进DRAM生产。利空：NAND产能大幅扩张及潜在的DRAM市场进入，将对全球存储芯片价格构成长期供应压力。

YMTC计划在武汉再建两座晶圆厂，使月产能翻倍至20万片，第三期设备国产化率超50%。此举旨在验证国产设备在量产环境下的3D NAND良率表现，受美国制裁限制西方设备获取影响。利空：产能扩张计划预示供应增加，可能对NAND Flash和DRAM价格构成下行压力。

长江存储计划新建两座晶圆厂，连同即将投产的第三工厂，预计将使其总产能翻倍至每月超50万片晶圆。此举发生在美国收紧对华半导体设备出口管制及中国寻求技术自主的背景下。利空：主要市场参与者的产能扩张，尽管面临地缘政治限制，仍将增加全球NAND及DRAM市场的供应压力。

慧荣科技预计NAND Flash行业产能2026年仅增长15-25%，供应紧张局面或持续至2027年。此预测基于行业资本支出与扩产节奏。利多：产能扩张远低于需求增长预期，支撑NAND Flash价格维持高位或继续上行。

日本经产省追加6315亿日元支持Rapidus，其政府总支持额达约2.4万亿日元，同时该公司后端原型线和先进封装研发中心启动运营。富士通与IBM日本分别获得AI芯片研发补贴，并计划将2nm/1.4nm芯片制造外包给Rapidus。利多：长期看增加先进制程供应来源，但为远期产能规划，对当前现货市场无直接影响。