埃隆·马斯克周二在SpaceX的电话会议上表示，SpaceX与特斯拉共同成立的芯片制造合资企业Terafab计划于2028年第三季度实现量产。马斯克称他对该时间表设定了很大的误差范围，因为尚不确定能否真正实现这一目标；该时间表是项目的粗略计划，马斯克本人称其'非常激进'。该项目旨在为人工智能和机器人技术每年提供1太瓦的计算能力。该量产计划仍属规划性质，尚未确认实现。
据Chosun Biz报道，三星电子据称已于本月早些时候开始Exynos 2700的晶圆生产，产量较Exynos 2600可能增加逾10%，以振兴其非存储半导体业务。Exynos 2700预计于2027年用于Galaxy S27系列，主要覆盖标准版和Plus版，并可能用于新的Pro版本；但Ultra旗舰机型越来越可能完全依赖高通Snapdragon处理器，最终芯片配置尚未确定。Exynos 2700据报采用三星代工第二代2nm工艺SF2P，相较用于Exynos 2600的第一代SF2，目标为性能提升12%、功耗降低25%、芯片面积缩小8%，且据称为首款采用SF2P进入量产的芯片；据The Bell，三星已与主要伙伴共享生产计划，但初期晶圆投片仍然有限。报道指出，Exynos 2700量产良率及其在Galaxy S27系列中的采用程度将决定非存储业务复苏的幅度；三星4nm产线据报接近满载，同时继续为5nm工艺寻找客户。此外，据TrendForce，移动DRAM价格预计在4Q26继续上涨，但涨幅放缓，因供应商将产能转向利润率更高的服务器产品，成本上升使三星自研处理器的价格竞争力更加重要。
据行业消息人士10月20日（原文未注明年份）称，三星电子计划使用2nm工艺制造其下一代M2800系列移动调制解调器芯片，从目前用于外置调制解调器的4nm工艺过渡；该外置5G调制解调器M2800计划于2027年完成开发，拟用于2028年发布的Galaxy S28系列，并与下一代Exynos 2800以双芯片配置搭配。调制解调器生产转向2nm将释放三星4nm产线产能，公司计划将其转用于HBM生产；行业人士称“三星代工正在将其大部分4nm产能转换为HBM制造”，4nm工艺用于制造位于HBM堆栈底部、含控制电路的基底裸片。三星将通过M2700继续使用4nm，M2700是配合2027年Galaxy S27系列中Exynos 2700的外置调制解调器；2026年Galaxy S26所用的Shannon 5410外置调制解调器（对外亦以Exynos Modem 5410销售）同样采用4nm工艺，三星在Galaxy S26和S26+的韩国版本中配备Exynos 2600与Shannon 5410组合，美国型号使用高通Snapdragon 8 Elite Gen 5。行业人士称三星已停用Shannon调制解调器品牌并以M系列取代。M2700虽采用相同4nm工艺，但据报道在三星MX（Mobile eXperience）事业部内部测试中获得好评，与前代不同；其通过设计和软件改进提升功耗效率与数据传输速度，利用光学收缩（optical shrink）将芯片面积缩小约4%，并从3GPP Release 17升级至Release 18、改进NTN卫星通信能力。行业人士称，现有Shannon 5410在空闲功耗和标准功耗测量条件下落后于竞品，经电压调整等改进后，M2700性能据称与竞品相当或更优。上述2nm转向与4nm产能转用均为计划，其实现情况原文未证实。
据天眼查App显示，近日深圳沛顿半导体封测有限公司成立，法定代表人为王海兰，注册资本5亿人民币，经营范围包括集成电路制造、集成电路芯片设计及服务、电子元器件制造、电子产品销售、普通货物仓储服务等。股东信息显示，该公司由沛顿科技（深圳）有限公司全资持股，沛顿科技则由深科技（深圳长城开发科技股份有限公司）全资持股。原文未说明该公司具体产能规划或投产时间。
据评论，三星电子在得克萨斯州泰勒厂的2nm量产能力已成为其缩小与台积电差距努力中的关键，特斯拉AI5芯片的交付时间表以及博通的潜在2nm订单仍悬而未决。该公司能否在这座美国工厂实现有竞争力的良率和稳定产出，将决定其能否把主要客户订单转化为更广泛的代工业务复苏。原文未说明原因，且文中所述为评论性判断，不构成已实现的良率或订单结果。
据Wccftech在2026年OCP全球峰会上报道，英特尔正在扩展其硅光子学能力，原因是对AI和高性能计算（HPC）领域高带宽光互连的需求增长；英特尔宣称自己是唯一能够大规模向业界供应300mm磷化铟（InP）硅光子学的高产量代工厂，该技术旨在支持下一代近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）。原文指出，传统InP衬底通常限于150mm（6英寸）晶圆，3英寸和4英寸规格仍广泛使用，InP晶体脆性大、生长缓慢并存在缺陷控制挑战，限制每片晶圆的激光芯片产出并拖慢扩产；英特尔将基于InP的激光技术集成到其300mm硅光子学制造平台，旨在提高生产效率和可扩展性。TrendForce称，NVIDIA已开始向部分合作伙伴出货其Spectrum-X CPO交换机（与TSMC联合开发，采用COUPE技术），Broadcom继续有限出货其51.2 Tb/s Bailly CPO交换机，并在OCP 2026展示第三代Tomahawk 6-Davisson CPO交换机（102.4 Tb/s交换容量、每通道200 Gbps）；TSMC计划于2026年开始生产其COUPE-on-substrate方案，目标相比板级可插拔光学实现两倍能效和十倍延迟降低。据ijiwei，中际旭创已建立专用CPO产线并开始小批量生产800G CPO光模块，部分客户已下单，出货可能于2027年开始、2028年有望更广泛采用；2026年9月，华为发布了基于NPO的昇腾960超节点，用于大规模AI训练和推理。TrendForce指出，测试仍是CPO量产关键瓶颈：光对准时间已降至秒级或更短，但单个光子集成电路（PIC）的完整测试仍可能超过100秒，瓶颈转向测试速度和成本；TrendForce预计2027年是整合CPO测试系统的关键年份，2028年是评估大规模量产准备的关键时期。
2026年10月19日，半导体行业协会（SIA）赞扬GlobalFoundries在美国-日本战略投资initiative下的扩张计划。SIA宣布，GlobalFoundries被选中在纽约州马尔塔运营两座新半导体制造工厂，这是首批在美国-日本战略投资initiative下的半导体项目，美国和日本将共同拥有这些工厂。初始投资100亿美元将用于建设一座新晶圆厂，投产后每年可增加约90万片300mm晶圆的美国制造产能。另一项约100亿美元的投资将用于建设产能相似的第二座晶圆厂。两座工厂将完全由日本通过美国-日本战略投资initiative资助。GlobalFoundries计划在当年晚些时候动工建设第一座工厂。
据原文，2025年第二季度起，三星、SK海力士、美光和长鑫先后表态将逐步停接DDR4订单、直至全面停产（停产为表态/计划性质，尚非已完成的全面停产）；到年中，消费级DDR4合约价已出现单月涨幅超60%的行情。2025年11月DDR4单颗现货价约12美元，到今年10月冲至46.321美元，11个月涨286%。原文给出的原因是：最先进的晶圆产能被集中调往AI加速卡刚需的HBM和新一代DDR5，头部厂商超80%的先进产能压在这两类产品上；HBM在DRAM晶圆投片中的占比预计从2025年的个位数升至2026年的约22%、2027年约30%。DRAM合约价2026年一季度环比上涨93%至98%，二季度再涨58%至63%，摩根士丹利预测三、四季度还要分别涨50%和10%以上（预测）。长鑫2025年营收617.99亿元、同比增155.6%；今年上半年营收1503.10亿元、同比增873.64%，归母净利润776.05亿元（上年同期亏损23.32亿元）；前三季度业绩预告预计营收2650亿至2700亿元、归母净利润1310亿至1325亿元（上年同期亏损52.8亿元），二季度DRAM收入环比增99%主要来自移动端LPDDR4X/5X。产能方面，现有月产能机构口径不一，方向为2026年底超30万片、2028年前后接近50万片、长期规划指向60万片以上；上海新厂已启动设备招标，具备月产超10万片潜力。技术方面，长鑫科技总裁曹堪宇于10月10日公布首款4F²产品为服务器DDR5 RDIMM，预计年底前推出；4F²单元面积减约三分之一，同面积存储密度可提升30%至50%；三星已做出4F²工程芯片但量产目标在2028年前后，SK海力士预计更晚。
特斯拉CEO埃隆·马斯克预测，到2028年中国存储芯片产量将激增，这一言论在AI驱动的动态随机存取存储器（DRAM）短缺期间，对三星电子和SK Hynix的定价权提出质疑。他表示，中国不断扩大的产能可能为大型科技买家提供替代供应来源，并可能缓解存储器成本。此为预测性言论，并非已实现的产能变化，原文未说明原因。
据天眼查App显示，近日长鑫集电（北京）存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约508.5亿人民币增至约601.8亿人民币，增幅约18%。该公司成立于2016年8月，法定代表人为赵纶，经营范围含集成电路设计、集成电路芯片及产品制造、集成电路制造等，由长鑫科技集团股份有限公司、北京亦庄国际投资发展有限公司、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司、北京亦庄科技有限公司、北京屹唐科技有限公司共同持股。原文未说明增资原因，亦未披露产能或投资具体用途。
韩国ASIC设计解决方案提供商ASICLAND在SEDEX 2026上展示了其自有的AxHub AI芯片设计与验证平台，并表示计划加速定制芯片开发，通过其台湾研发中心强化先进制程与封装能力。原文未说明原因之外的具体动因细节，且未给出任何价格或数字。公司同时披露，存储控制器项目仍为其主要收入来源，支撑其向AI芯片量产及海外市场拓展的计划。上述扩张与量产计划均为公司的意向/规划，尚非已实现的成果。
塔塔在多莱拉的晶圆厂面临客户与股东层面的考验，事件为计划中的产能建设，尚未有实施或完成的事实。与此同时，印度的半导体布局正在扩大，封装、芯片服务、AI硬件与基础设施投资在全国本土科技生态中加速推进。原文未说明原因。
据快科技10月18日消息，博主硬件茶谈透露，微星和华硕工厂方面人士表示，本月和下月几乎都没有显卡货源，且微星、华硕看不到NVIDIA的芯片供给日期，RTX 5090和RTX 5080直接断货，显卡还将继续涨价。近日有消息称NVIDIA已停产RTX 5090并将GB202产能转向AI数据中心和专业GPU，随后NVIDIA确认RTX 5090未停产但承认供应受限。原文给出的核心原因是芯片产能转向AI和专业卡：GB202既是RTX 5090的核心GPU，也用于售价高达16000美元的RTX Pro系列，NVIDIA将有限产能优先供给高利润产品线，游戏卡渠道供给收紧。
据业内分析和摩根大通报告，台积电正考虑加快其代号A14（Angstrom）的1.4纳米工艺量产计划：按目前计划预计2027年第三季度进入试产阶段，目标2028年上半年启动大规模生产，并可能在2028年下半年开始贡献营收；此前市场普遍预期其2028年下半年才开始生产1.4纳米晶圆，但随着AI芯片需求在2026年和2027年持续供不应求，台积电面临提前扩充先进制程产能的压力，据称将依靠四座工厂共同承担1.4纳米产能建设。苹果预计成为首批采用该工艺的客户之一，分析人士认为若台积电2028年实现量产，苹果可能在同年或随后推出基于该工艺的A22 Pro芯片；另有消息称苹果可能在仅经历两代2纳米产品后便转向1.4纳米。目前估计每片1.4纳米晶圆制造成本高达4.5万美元，高通、联发科等厂商可能选择在2纳米工艺上停留更长时间而非迅速跟进。上述内容均为计划或分析预期，尚未实施。
美光正在推进面向物理 AI 的专用存储芯片——边缘推理内存（EIM）的研发，旨在降低数据处理延迟并提高带宽。该芯片架构是在逻辑芯片之上垂直堆叠低功耗内存（LPDDR），美光正在推进将其集成至 LPDDR6 方案的技术研发。业内预计量产时间在 2028 年下半年。美光表示将与机器人制造商、芯片方案商及超大规模云服务商深度协同合作。
据Tom's Hardware于2026年10月17日报道，在传出RTX 5090生产将停止的传闻后，英伟达高级副总裁Jeff Fisher据称在会后采访中表示该显卡并未停产并将继续出货。其据称表示："供应链（产能）确实有些受限，但英伟达正在尽一切努力将产品推向市场……生产并未停止，英伟达将继续出货"，并称尽管存在RTX 5090（芯片）的其他变体。此前有传闻称，在英伟达据报将RTX 50 Super系列搁置后，已经很稀缺的RTX 5090生产据传将停止，可能是为了将宝贵的硅片制造产能用于更多AI加速器。零售端实况：亚马逊上RTX 5090由第三方卖家以约8,500美元出售；Newegg listings 5090s约7,300美元（据判断可能来自中国卖家，且美国关税可能进一步推高价格）；Best Buy无货；截至发稿，该卡在英伟达自有商城和Micro Center仍缺货。Tom's Hardware向英伟达求证未获回复，相关说法均属"据称/传闻"性质，生产状态尚未获官方确认。原文未说明供应链受限的具体原因之外，传闻中将产能转向AI加速器仅为"可能"的说法。
戴尔科技首席执行官迈克尔·戴尔警告称，高带宽内存（HBM）和动态随机存取存储器（DRAM）的供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化。据《华尔街日报》报道，迈克尔·戴尔认为内存供应受限的问题甚至可能持续长达四年时间；由于新建半导体工厂从规划到全面投产通常需要数年，业内预计不少新增产能要到2029年或2030年才能充分释放。目前戴尔手中积压的企业级和人工智能服务器订单规模已达创纪录的950亿美元，公司能否将这些订单转化为实际收入很大程度上取决于能否获得足够的内存芯片供应。内存价格不断上涨也推高AI服务器等高端系统的制造成本。为应对供应紧张，戴尔采用精简库存模式，仅在接近生产阶段时才采购DRAM，并与供应商建立长期供货协议、利用客户预付款提前锁定先进内存资源；三星电子和SK海力士等产业链企业也采用类似做法。需要说明的是，上述供应恶化属于戴尔的预计和警告，并非已实现的产能变化，且短缺的实质原因是AI基础设施建设需求飙升导致全球内存产能增长速度无法满足市场需求。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
台积电董事长兼CEO魏哲家在近期投资者电话会议上表示，评估需求超过可用供给，公司正通过新建工厂、设备转换、生产率提升和跨技术代际的柔性制造来应对。第三季度营收达467亿美元，并以美元计预计2026年营收增长约44%（此为预测而非已实现结果）。台积电描述全球有近20座晶圆厂处于开发中，包括尖端制造和先进封装项目；公司还预计其N2技术家族的年产能将在2027年增加逾一倍（预期）。魏哲家称，尽管历史惯例是在一个技术代达到目标规模后避免进一步扩产，公司仍在扩大3纳米产能。台积电列出了台湾、亚利桑那和日本的制造计划，并对得克萨斯州进行初步评估；魏哲家将美国扩张与客户要求联系起来，并表示制造地点可能影响定价。他还指出后端封装产能存在一些短缺，并提到与GlobalFoundries的合作；同时公司团队正在核查美国数据中心建设和电力供应情况，因芯片部署依赖基础设施。魏哲家并警告，元器件价格上涨和经济不确定性正给消费者和价格敏感市场带来压力。
三星电子计划于2026年11月在得克萨斯州泰勒市开始建设其第二座半导体晶圆厂，继续推进其美国代工产能扩张。该状态为计划，尚未开工。其位于泰勒的第一座工厂预计于年底前开始运营。原文未说明原因。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |