SECO 模块化视觉 10.1 MX95 进入大规模生产
SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
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SECO 的 Modular Vision 10.1 MX95 已从早期订购预订阶段进入大规模生产阶段。
三星电子正在开发Exynos 2700，计划于2027年在其Galaxy S27系列中扩大使用（属于计划，尚未实现）；与此同时，华为已将下一代麒麟芯片转入测试阶段。原文指出，双方的竞争举措正给三星带来压力，促使三星提升应用处理器（AP）性能、制造良率和成本竞争力，以减少对高通和联发科的依赖。原文未说明上述事件的具体原因。
据ZDNet援引业内消息，三星考虑为OLED Galaxy智能手机所用显示驱动IC（DDI）增加GlobalFoundries作为第二家代工伙伴，可能结束UMC的独家代工地位；GlobalFoundries代工的DDI最早或于2027年底出现在Galaxy智能手机中，部分中低端Galaxy A系列机型或率先采用，三星据报正在评估GlobalFoundries的22nm或28nm节点，其在新加坡和德国拥有兼容制造设施。背景原因：自2025年下半年以来成熟制程需求超过供给，UMC无法承接额外订单；据ZDNet，三星在7月发布Galaxy Z Fold8后因需求超预期要求加快DDI生产，但UMC因22nm DDI产能已达上限而无法满足，三星因此将9月Galaxy Z Fold8零部件计划产量削减10%，将延后产量移至10月。另据Economic Daily News，机构投资者预计UMC 12英寸产能利用率到2026年底达93%，受三星System LSI与联咏22/28nm DDI订单及55/65nm Apple Mac相关芯片需求支撑；TrendForce称部分产能受限的12英寸成熟制程节点2026年第二至第三季度出现5–10%涨价迹象，2027年预计更大范围涨价。以上均为报道/评估或预期，非已确定事项。
格芯（GlobalFoundries）公布FDX Fusion全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）工艺路线图，第一代目标达到"7纳米级数字性能"（指数字逻辑性能等级，并非恢复2018年暂停的7纳米FinFET制程，也不等同于其他晶圆厂的7纳米节点或晶体管密度），面向机器人、汽车、工业自动化等物理AI设备。按公司路线图，演示芯片预计2027年初交由客户评估，首版工艺设计套件计划2027年年中提供，量产目标为2028年，地点为德国德累斯顿工厂。公司公布的指标包括射频器件ft/fmax最高0.5太赫兹（射频器件指标，非处理器运行频率），以及相较第一代FDX工艺密度提升超过两倍，但尚未公布足够详细设计数据供外部独立验证，也已与部分客户开展早期评估但未公布具体产品或量产客户订单。格芯同时说明，德累斯顿FDX Fusion项目的开发启动仍取决于德国联邦政府是否批准IPCEI先进半导体技术项目，路线图存在政策审批条件。此外，格芯在德累斯顿推进11亿欧元的SPRINT扩产计划，目标到2028年底将该厂年产能提高至超过100万片300毫米晶圆，该扩张覆盖工厂整体业务，并非全部用于FDX Fusion。原文未说明原因之外的事件动因，属计划性质，尚未实现量产。
东芝计划投资60亿日元将AI数据中心HDD产能翻倍至2027财年。受AI基础设施需求及SSD短缺驱动，硬盘市场供应紧张。
产能扩张计划预示未来供应增加，可能缓解当前短缺压力。
长鑫存储正积极筹备进军NAND闪存制造领域，计划从单一DRAM供应商转型为全品类存储芯片巨头。此举旨在利用其在先进制程方面的经验，与长江存储形成互补，并挑战三星、SK海力士等国际巨头的垄断地位。
长期供应格局重构，潜在增加NAND市场供给压力。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应，价格承压下行。
SK海力士计划于2027年将大连NAND闪存产能提升50%，标志着子公司Solidigm在四年停滞后的重启投资。此举将量产200层以上3D QLC NAND以满足需求。
随着全球NAND产能预计在2027年供需平衡，此次扩产将增加供应，可能对价格造成下行压力。
微软计划锁定台积电30万片以上Maia 300代工产能，目标超百万片以降低对英伟达依赖。鉴于当前Maia 200接受度低，此举旨在吸引Anthropic等客户并抢占Google、亚马逊市场份额。
AI芯片定制化需求及台积电产能。
PSMC获英特尔EMIB-T独家硅电容供应，月产能扩张至5000片8英寸及8000-10000片12英寸晶圆。随着AI GPU需求增长，硅电容集成化趋势明显，且EMIB-T较CoWoS成本降低50%。
PSMC与UMC订单，EMIB封装技术有望分流CoWoS产能。
Google宣布2027年将再次增加资本支出，行业预计AWS和微软将跟进。此举旨在满足激增的AI基础设施需求，并缓解市场对泡沫的担忧。
AI芯片需求，预计将推动相关产能扩张及价格上涨。
三星德州工厂将量产特斯拉AI5 SoC，采用SF2 2nm工艺。此次合作利用了《芯片法案》资金，是三星在美国的首个大规模先进制程项目。
三星产能利用率及LPDDR5X需求，验证2nm节点良率。
SpaceX计划自研GPU以应对$1.75万亿IPO，并投入数十亿美元产能。因缺乏长期芯片供应合同，公司寻求通过内部制造降低对外部供应商的依赖。
此举可能重塑AI加速器供应链格局，长期或对现有GPU厂商构成竞争压力。
华为昇腾AI芯片因阿里、字节、腾讯等大厂大规模下单，价格已上涨约20%。公司计划2026年将昇腾910C产量翻倍至60万颗，并将昇腾芯片总产能提升至160万颗。
国内需求激增及确认的芯片涨价，表明华为AI芯片供应趋紧，市场拉力强劲。
高通与联发科同步下调4nm移动处理器出货量，合计减产1500万至2000万颗。减产根源在于存储芯片现货价近三月涨幅超300%，导致手机终端售价被迫上调8%-25%，市场需求转弱。
手机需求疲软直接冲击上游处理器及存储芯片订单，预示相关元件将面临供应过剩与价格压力。
NVIDIA Rubin Ultra预计维持双Die设计，TSMC 3nm需求保持强劲。受限于封装良率与成本，四Die方案被放弃，且AI芯片占3nm产能比例将从2025年的5%升至2026年的36%。
TSMC 3nm产能利用率，供需紧张格局延续。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。
国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
台积电3nm等先进制程产能已接近极限，优先供应英伟达、AMD等云端AI大厂及苹果等长期客户。高阶网络通信及其他边缘应用芯片产能因此更为吃紧。
核心产能瓶颈明确，将加剧非优先客户间的订单争夺，推高晶圆代工价格并延长交期。
博通高管警告台积电产能正成为2026年的瓶颈，其扩产速度已跟不上短期需求。博通已为关键部件锁定了2026至2028年的产能。
供应紧张已从芯片蔓延至激光器和PCB，预示供应链全面趋紧及潜在价格上涨压力。
IESA预测印度芯片产能到2026年底或2027年初将达每天7500万至8000万单位。美光、塔塔电子等OSAT项目将逐步投产。
供应增加将缓解短缺并可能压低价格。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |