Polar与imec合作8英寸GaN制造
Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
利空
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
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Polar与imec的IC-Link合作，宣布为AI数据中心、汽车及国防等领域提供8英寸e-mode GaN器件制造服务。该合作旨在利用8英寸晶圆工艺提升功率器件产能，满足关键市场对高性能半导体的需求。
产能扩张预期将增加GaN供应，可能对现货价格形成压制。
SK海力士计划于2027年上半年将大连工厂产能提升至5万片/月，主要生产100层级成熟NAND闪存。该扩产聚焦于成熟浮栅技术，将先进375层技术保留在清州工厂。
成熟NAND供应，价格承压下行。
SK海力士计划于2027年将大连NAND闪存产能提升50%，标志着子公司Solidigm在四年停滞后的重启投资。此举将量产200层以上3D QLC NAND以满足需求。
随着全球NAND产能预计在2027年供需平衡，此次扩产将增加供应，可能对价格造成下行压力。
SuperAlloy正扩大回收铝及半导体部件业务，预计将成为新增长引擎。公司正致力于获取认证、多元化采购并扩充产能，以服务全球客户。
该战略转型可能影响供应链多元化及低碳材料需求，但短期内对现货价格影响有限。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
LG Innotek定下2031年6.47亿美元封装利润目标。受5G、高端智能手机及AI趋势驱动，公司正拓展高附加值半导体基板业务。
预示半导体基板需求前景强劲。
TSMC将28nm月产能削减逾25%，从年初的20万片降至6月的15万片，Fab 15A正转型为4nm制造基地。此举旨在提升资本效率并引导客户转向12nm，导致部分客户转向联电和力积电。
成熟制程供应链，预计将引发价格上行压力及产能溢出效应。
罗姆半导体集结技术人员，计划2027年实现GaN内部制造以克服TSMC撤退逆风。此举旨在提升供应链自主性。
GaN供应前景。
ROHM半导体与Aixtron合作，在浜松工厂导入G10-GaN MOCVD系统量产8英寸GaN外延片。此举旨在建立自有的GaN外延产线，覆盖650V和100V功率器件平台。
ROHM GaN功率器件供应链稳定性提升及长期产能释放对市场的影响。
铠侠计划2026至2028财年平均每年资本支出达4700亿日元，较2025财年大增66%，并考虑建设第三座北上山工厂。尽管当前产能利用率仅约50%，但受AI推理NAND需求86%复合年增长率驱动，公司预计供需紧张将持续至2027年。
NAND Flash价格走势，供应链中短期内将维持紧缩状态。
TI投600亿美元建七厂，目标2030年自产95%芯片。此举旨在应对数据中心和工业市场需求的强劲增长，其中数据中心营收同比激增90%。
垂直整合策略将强化供应链控制力，且旺盛需求预示着相关IC产品前景乐观。
博世推出第三代SiC芯片并宣布扩产计划，总投资额达50亿美元。该公司利用先进工艺和200mm晶圆技术，旨在满足电动汽车市场快速增长的需求。
巨额产能扩张可能在未来导致SiC芯片市场供需失衡，价格承压。
台积电2026年初始2nm产能已被苹果、英伟达、AMD等主要客户预订一空，其中苹果预计占据早期产能过半。公司正于新竹Fab 20和高雄Fab 22扩产，目标在2026年底前将2nm总产能提升至每月8-10万片，以应对AI/HPC需求激增。
尖端产能争夺激烈，预示先进制程芯片将持续享有定价权并面临供应紧张。
IVWorks获6亿韩元Pre-IPO融资，推进8英寸GaN-on-SiC量产。公司通过技术轨道上市申请，并已锁定12英寸设备以应对未来需求。
产能扩张计划虽利好长期供应，但短期对现货价格影响中性。
三星8英寸GaN产线已就绪，目标2026年第二季度量产，并计划今年晚些时候推出SiC代工线。此举是三星扩大在下一代功率半导体领域布局的一部分。
GaN与SiC产能的远期扩张计划，为相关功率芯片的长期供应增加压力。
三星首条8英寸GaN产线预计2026年Q2量产，初始营收预计低于1万亿韩元。公司已投资约1000-2000亿韩元购置设备，并计划年内启动SiC产线。
新增产能属远期供给，且已延迟、初期规模有限，对当前交易价格无直接影响。
三星电子正出售西安及韩国工厂的123台成熟制程（90-65nm及8英寸）设备。此举旨在优化运营效率，加速其西安工厂（占NAND总产量40%）从128层向236层及以上高端NAND的产能迁移。
淘汰旧产能、聚焦高端产品的供应侧优化，可能收紧成熟节点NAND供应，并对先进产品价格形成支撑。
Nexchip计划在港上市融资355亿元，用于建设月产能5.5万片的40/28nm 12英寸新产线，预计2028年达产。公司宣布自2026年6月起代工费用上调10%。
长期大规模成熟制程产能扩张将加剧供应竞争，对价格构成下行压力。
Semiconductor Intelligence预计2026年全球半导体资本支出将达2000亿美元，同比增长20%，其中台积电计划支出520-560亿美元，三星、美光、SK海力士等内存厂商亦大幅加码。资本支出增长由5G、AI及HPC需求驱动，但IDM厂商支出普遍下滑，行业投资结构分化。
先进制程与内存产能扩张利多长期供应，但投资不均与潜在远期过剩风险需警惕。
台积电预计2026年资本支出达520-560亿美元，同比增27-37%，三星、SK海力士和美光亦计划大幅增加存储芯片投资。AI与高性能计算需求是主要驱动因素，而英特尔等IDM厂商则在削减开支。
头部晶圆代工及存储厂商资本开支激增，预示AI相关先进制程及存储芯片需求将持续强劲。