CXMT公布4F² DRAM架构计划，目标2026年底量产DDR5 RDIMM，且二季度全球DRAM份额升至9.5%。该架构较传统6F²缩小33%面积，使CXMT在技术路线上领先SK海力士和三星约两年。
全球DRAM价格，因竞争加剧及潜在产能扩张。
20家中国OSAT厂商拓展先进封装业务。受EUV设备限制及制程瓶颈影响，行业正向封装领域转移。
中国封测产能扩张。
英特尔发放加班费加速俄亥俄晶圆厂建设，EMIB-T封装良率逼近90%。尽管基板良率仅约50%拖累整体进度，但EMIB-T成本比CoWoS低50%，预计2027年量产。
良率提升有助于扩大先进封装产能。
Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。
新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。
Rapidus后端原型线全速运转，获日本政府631.5亿日元资金支持2nm研发。该公司正加速布局先进制程与Chiplet技术，试图在半导体供应链中占据一席之地。
此为长期产能扩张里程碑，短期内对现货市场供需无显著影响。
日本经产省追加6315亿日元支持Rapidus，其政府总支持额达约2.4万亿日元，同时该公司后端原型线和先进封装研发中心启动运营。富士通与IBM日本分别获得AI芯片研发补贴，并计划将2nm/1.4nm芯片制造外包给Rapidus。
长期看增加先进制程供应来源，但为远期产能规划，对当前现货市场无直接影响。
NVIDIA Rubin Ultra预计维持双Die设计，TSMC 3nm需求保持强劲。受限于封装良率与成本，四Die方案被放弃，且AI芯片占3nm产能比例将从2025年的5%升至2026年的36%。
TSMC 3nm产能利用率，供需紧张格局延续。
iSABers完成5亿元融资，TBSTest完成12亿元Pre-IPO融资。资金将用于高端封装设备与ATE研发扩产，加速国产化进程。
国内半导体设备厂商，长期供应能力提升。
英特尔马来西亚先进封装工厂完工99%，计划今年投产，总投资约70亿美元。该工厂将支持EMIB和Foveros技术，旨在满足Chiplet设计和更大封装尺寸需求。
此为长期产能扩张，对当前组件价格和供应无直接影响。
台积电计划在2026年前将SoIC月产能提升至1-1.5万片，并于2027年后进一步扩产以满足英伟达等客户需求。SoIC单位产能资本支出高达68-70亿美元/万片，高度依赖前端混合键合设备。
明确的先进封装产能扩张路线图，将直接拉动设备供应商订单。
通富微电发布约44亿元定增计划，主要用于存储芯片与汽车电子领域先进封装产能提升。此举源于行业景气周期及与AMD（占营收50.35%）的深度绑定，后者已获OpenAI、Meta等千亿美元级AI芯片订单。
高强度融资投向高附加值先进封装，叠加AMD需求确定性，预计将推高公司未来营收与毛利率。
ASE集团因AI芯片需求加速，计划扩大先进封装投资，预计先进封装销售额翻倍。背景是AI加速器和高性能计算芯片对先进封装技术（chiplets、3D堆叠等）的结构性需求增长。
先进封装产能释放有望缓解当前瓶颈并支撑AI芯片供应链，但缺少具体投资额、完成周期和产品线细节，交易面价格影响中等。
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All teardowns| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| Connector | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%Unusual |
| MLCC | $0.01 | +54.0%Unusual |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%Unusual |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | n/a |