Rapidus完成2nm GAA原型，获政府注资，但无量产客户签约。虽有60家潜在客户洽谈，但尚未签署量产协议，2027年量产目标面临不确定性。关注：新厂产能扩张计划虽具潜力，但缺乏实际订单支撑，短期供需影响有限。

SK集团董事长预计存储芯片供需紧张将持续至2030年，并计划在未来五年内将晶圆总产能翻倍。此举旨在应对激增的AI需求，并深化与台积电及英伟达在HBM4E等下一代产品上的合作。利多短期至中期的存储芯片价格，但需关注远期产能翻倍带来的供应格局变化。

ASML预计数月内出货首颗高阶EUV芯片，英特尔与SK海力士加速采用，TSMC因成本高昂推迟布局。利多高阶光刻设备需求，但TSMC与三星策略分化将影响未来产能。

中国成熟制程产能增速超全球需求四倍，预计未来三至五年将占全球新增产能近半。报告指出中国资本支出占比虽降但仍高于市场份额，导致日本功率半导体厂商承压并寻求整合。利空：中国扩产将加剧成熟制程市场供需失衡，挤压日本及印度本土厂商生存空间。

味之素斥资约1.2亿日元在岐阜县购买土地，计划于2032年投产第三座ABF工厂。随着AI数据中心需求激增，ABF作为半导体封装关键材料，其利润率已超过50%，公司正通过扩建产能应对未来增长。利多：味之素凭借超95%的全球ABF市场份额，产能扩张将进一步巩固其在AI封装材料领域的垄断地位。

台积电推进2nm扩产，今年五座晶圆厂进入产能爬坡，首年产出较3nm同期提升45%。此举旨在应对AI与高性能计算需求的爆发。利空，产能大幅扩张将增加供应，预计将缓解当前短缺并压制价格。

台积电3nm月产能预计2026年底达18万片，同比增长超40%。台积电正扩大在台湾、亚利桑那州及熊本厂的产能布局。利空，产能扩张将增加供应，压制未来价格。

TSMC 3nm月产能预计2026年底达18万片，年增超40%；2nm产能亦将激增至10万片。主要受NVIDIA、AMD及汽车领域AI硬件强劲需求驱动。利空：产能大幅扩张可能缓解供应紧张，导致现货价格承压或趋于平稳。

台积电宣布在台南（2027H1）、亚利桑那（2027H2）和日本（2028年）扩建3纳米产能，并计划将部分5纳米产能转向3纳米。此举基于3纳米节点的高利润率（超60%）及在代工市场的绝对主导地位。中性：新增产能集中于2027年后，属长期结构性扩产，对当前现货市场无直接影响。

台积电2026年初始2nm产能已被苹果、英伟达、AMD等主要客户预订一空，其中苹果预计占据早期产能过半。公司正于新竹Fab 20和高雄Fab 22扩产，目标在2026年底前将2nm总产能提升至每月8-10万片，以应对AI/HPC需求激增。利多：尖端产能争夺激烈，预示先进制程芯片将持续享有定价权并面临供应紧张。

台积电魏哲家确认先进制程产能持续紧张，3nm技术贡献2026年Q1约25%营收。新3nm产能将于2027至2028年间在台湾、美国及日本陆续开出，并首次披露CoPoS封装计划。关注：长期扩产或缓解供应，但短期先进制程与封装产能紧张局面持续，对价格影响信号不一。

台积电正加速3nm产能扩张，包括台湾新晶圆厂、亚利桑那州第二座晶圆厂（目标2027年上半年量产）及熊本第二工厂。此举旨在满足苹果、英伟达等主要客户对先进制程的需求。利空：关键制程节点的未来供应能力大幅增加，可能缓解长期价格压力与供应限制。

台积电宣布2纳米制程进入量产，并计划扩大3纳米产能。该信息来自其2026年第一季度财报电话会，管理层重申台湾是其先进制程主要基地。利空/利多/关注: 中性，此为既定先进节点扩产计划，对当前成熟制程组件的交易供需无直接影响。

SK海力士因英伟达Rubin平台延迟，计划将2026年HBM4出货量削减20-30%，需求转向HBM3E。三星电子目标在2026下半年将HBM4用1c DRAM良率从不足60%提升至80%，以应对高成本压力。利多：HBM3E需求；利空：HBM4短期供应；关注：HBM4良率爬坡与Rubin验证进度。

台积电计划2028年在日本第二工厂安装设备并量产3nm芯片，目标月产能达1.5万片12英寸晶圆。此举标志着其日本战略从成熟制程转向先进节点，以满足高性能及汽车应用需求。利空：长期看，这是对先进逻辑制程的重大产能扩充，可能缓解未来供应紧张并对高端节点价格构成下行压力。