Thermaltake计划瞄准不断增长的边缘AI市场推出新的工作站产品线，属于计划扩张而非已落地产能变化。董事长Kenny Lin表示公司已从游戏零部件制造商转型为AI PC与工作站系统供应商。公司计划于2026年下半年推出三条产品线，并设定目标：AI相关产品在2027年贡献5%至10%的营收。该目标为计划/预期性质，非已实现结果。
在2026年开放计算项目（OCP 2026）全球峰会上，英特尔展示了硅光子技术发展蓝图，数据中心系统与解决方案公司副总裁尼克·杜贝将硅光子形容为下一代系统架构的“黄金之锤”，并称英特尔是目前唯一能够大规模量产300毫米磷化铟（InP）硅光子晶圆的高产能代工厂。原因方面，源文称传统铜线互连正日益逼近物理极限，在传输距离、封装边缘带宽密度及每比特传输能耗等方面面临瓶颈，数据中心架构需向光互连演进，能耗目标推进至低于5皮焦耳每比特。英特尔指出，当前光学收发器市场中激光芯片与磷化铟材料产能长期供不应求，其将磷化铟光源技术直接整合进300毫米硅晶圆制程以提升制造效率与产能规模；自2016年投入商用以来，已累计出货超过800万个光学收发器和3200万个集成激光器。英特尔正依托300毫米硅光子制程与集成磷化铟光源技术推动共封装光学（CPO）与近封装光学（NPO）发展。
据业内分析和摩根大通报告，台积电正考虑加快其代号A14（Angstrom）的1.4纳米工艺量产计划：按目前计划预计2027年第三季度进入试产阶段，目标2028年上半年启动大规模生产，并可能在2028年下半年开始贡献营收；此前市场普遍预期其2028年下半年才开始生产1.4纳米晶圆，但随着AI芯片需求在2026年和2027年持续供不应求，台积电面临提前扩充先进制程产能的压力，据称将依靠四座工厂共同承担1.4纳米产能建设。苹果预计成为首批采用该工艺的客户之一，分析人士认为若台积电2028年实现量产，苹果可能在同年或随后推出基于该工艺的A22 Pro芯片；另有消息称苹果可能在仅经历两代2纳米产品后便转向1.4纳米。目前估计每片1.4纳米晶圆制造成本高达4.5万美元，高通、联发科等厂商可能选择在2纳米工艺上停留更长时间而非迅速跟进。上述内容均为计划或分析预期，尚未实施。
苹果首款折叠屏手机iPhone Duo于今日晚8点正式开启预购，10月23日正式发售；国行提供256GB至2TB四种存储容量，起售价15999元，2TB顶配版26499元。晚8点开售后预购页面约10分钟才成功跳转，显示每人限购2台，且已无法预约23号首发，订购全系列产品发货时长至少为7-8周；京东平台Apple产品京东自营旗舰店该机型预约人数超300万，但全系产品显示暂无存货、无法预订。Counterpoint Research副总监Liz Lee表示，需求端无需担忧，主要挑战在供应与产能爬坡：面板、铰链和最终组装需在规模化生产中同步趋于稳定，此前业内流传的1000万台备货目标源于苹果2025年年底制定的激进年度生产与出货计划，而实际生产和出货目标已逐步下调；Counterpoint在今年8月预测iPhone Duo全年出货量为600万台并将其视为预期上限，年末实际出货量仍可能略低于该水平，视第四季度产能爬坡顺利程度而定。为推进四季度量产爬坡，苹果首席运营官Sabih Khan于10月11日到访郑州富士康科技园考察iPhone Duo生产线核心制程；10月15日苹果董事会执行主席蒂姆·库克在上海表示iPhone Duo由中国独家制造。美版起售价定为1999美元，仅比三星Galaxy Z Fold8高出约100美元。集邦咨询9月报告预计2026年全球折叠屏手机出货量约2020万部、同比微增0.5%，其中苹果预计约500万部（约占全球24.8%份额）；若剔除苹果贡献，2026年安卓品牌折叠屏手机合计出货量预计约1520万部，同比下降逾20%。
三星据报道将于今年11月在得克萨斯州泰勒为其第二座芯片厂（Taylor Fab 2）动工，量产目标定在2030年。DigiTimes援引韩国The Guru报道称，Fab 2面积约为270万平方英尺。三星似乎也已在10月15日厂址附近的一场活动上确认了该时间安排，三星Austin Semiconductor的Jonathan Taylor表示建设应于下月初启动，且Fab 2将比Fab One大1.5倍。Fab 2将采用的工艺尚未公布。作为背景，第一座泰勒厂（Fab 1）已大幅超出其原定的2024年目标，目前正进行分阶段认证，已安装设备开始运行；Fab 1采用EUV光刻用于三星2nm工艺，计划2026年底投入运营、2027年量产；其最知名客户为特斯拉，双方签署了至2033年、金额165亿美元的AI6芯片协议，三星还将在得州为特斯拉以2nm工艺生产AI5；两座厂之间订单如何分配尚不明确。三星计划在得州中部投资超过370亿美元，并获得最高47.45亿美元的CHIPS法案资金支持。鉴于Fab 1耗时之久，原文指出2030年量产目标将在很大程度上取决于需求。
ASML在财报电话会议上警告，即使2027年计划产能提升30%、2028年再目标性扩张30%，其计划产能仍无法跟上2027年和2028年的客户需求；据Reuters报道，CEO Christophe Fouquet称2028年订单已在涌入，部分客户希望提前锁定2029年甚至2030年的设备。ASML预计今年出货约65台系统，较去年增长超过50%；DUV浸没式工具的出货预期也已显著改善，由此前预期的下滑转为大致同比持平。ASML确认将于2027年推出NXE:3800F EUV扫描仪，晶圆产能从现在的230片/小时提升至260片/小时，公司称该突破预计从2028年及以后开始显著扩大客户产能；同时ASML正推进DUV产品组合，将2027年交付的关键浸没式工具升级至创纪录的330片/小时。定价方面，ASML称与主要客户的定价谈判已结束，影响预计在2026年最小，2027年开始显现，2028年起全面显现；据The Elec报道，ASML据称寻求对供应给韩国（三星电子与SK海力士已获通知）的替换零件提价10%。业绩方面，ASML第三季度创纪录净销售额116.6亿欧元，高于上一季度的93.3亿欧元；净利润从29.2亿欧元增至49.6亿欧元，毛利率从54%扩大至57.5%；公司预计第四季度营收为142亿–152亿欧元（159亿–170亿美元），毛利率约57%；全年营收指引下限上调10亿欧元至440亿–450亿欧元，上限维持不变，预计毛利率约56%。涨价影响尚未落地，产能扩张为计划状态。
台湾《经济日报》引述业界消息称，苹果、英伟达、AMD和高通等客户近期追加预订台积电2纳米家族产能，订单规模增加约10%至20%，报道据此估计台积电2026年底2纳米月产能可能升至12万片，高于此前市场预估的9万至10万片。此前市场对台积电2027年2纳米月产能的预测区间约为11万至14万片；若年底12万片的估算成真，意味着可能比原先预期更早触及该区间低端，但不能据此推断14万片上限也会提前实现。上述数字来自媒体引述的业界估算和匿名消息，并非台积电正式公布的产能承诺，月产能为名义生产能力，不等同于实际晶圆出货量或可用芯片数量。台积电官方资料确认N2制程已于2025年第四季度按计划进入量产，采用第一代纳米片晶体管技术，衍生工艺N2P计划于2026年下半年量产；公司尚未在官网披露N2月产能达到12万片的消息。台积电今年北美技术论坛据报提到2026年将有五座N2厂进入产能爬坡阶段（新竹两座、高雄三座），N2首年晶圆产出预计较N3首年高45%，2026至2028年N2产能年复合增长率目标约70%。需求增长与人工智能及高性能计算芯片扩张有关；美国银行分析师另估台积电2纳米制程营收占比可能从第二季度约3%上升至第三季度11%，同样为分析师预测而非公司实际结果。爬坡过程仍受制于设备安装、工艺良率和客户产品设计周期。
SK 海力士看好半导体需求持续快速增长，计划尽快建设新一批芯片工厂，但尚未公布具体开工时间。公司表示，光州半导体园区的开工时间取决于韩国政府是否按照其建设计划提供水、电等基础设施；尽管目前无法给出具体时间，公司希望尽快启动工程，并确保项目以尽可能快的速度推进，即使水电设施稍后到位也可先进行打桩等前期工作，强调这并非为了降低建设成本。根据规划，三星电子和 SK 海力士将各自向光州半导体园区投资约 400 万亿韩元（约合 2 万亿元人民币），各建设 2 座晶圆厂；园区占地约 826 万平方米，部分土地位于计划搬迁的光州军用机场及邻近弹药库原址。此外，SK 海力士已将龙仁半导体园区的目标完工时间从 2045 年提前至 2033 年，计划在园区内建成 4 座晶圆厂。
AMD 在 2026 年 9 月开始出货 Helios 生产，首批系统已安装在包括 OpenAI、Meta、Microsoft、Oracle 和 Anthropic 在内的领先客户处。原文未说明原因。
据快科技10月12日报道，瑞银最新报告预测，随着HBM4价格上涨以及内存制造商争夺有限的DRAM产能，三星电子有望在2027年超越SK海力士成为全球最大的高带宽内存供应商。瑞银模型显示，三星HBM出货量市场份额将从2025年的20%升至今年的31%，2027年进一步升至40%，届时首次超过SK海力士的39%。Counterpoint Research数据显示，三星HBM收入份额已从2026年第一季度的21%攀升至第二季度的33%，同期SK海力士份额从58%降至50%，差距从37个百分点缩小至17个百分点。支撑因素为三星的HBM4量产进展：三星于2026年2月在全球率先启动HBM4量产，采用4nm逻辑基底芯片与1c nm工艺DRAM组合，单引脚速率达11.7Gbps、最高可提升至13Gbps，超出JEDEC标准8Gbps约46%；量产初期良率不足60%，目前已提升至80%左右，提前达到年底目标。产能方面，三星计划2027年将HBM4及HBM4E产量较2026年翻一番，HBM晶圆月进料量从今年18万片提升至25万片（增幅40%），HBM4系列在HBM总出货量中的占比将提升至80%。上述超越尚属预测和计划：原文指出能否在2027年真正完成超越取决于HBM4良率的持续稳定与先进封装产能的跟进。同期背景方面，Counterpoint预测2026年SK海力士仍将保持领先，占据HBM4市场约54%份额，三星为28%，美光为18%；SK海力士已于7月15日启动面向英伟达的12层HBM4量产交付，为全球首款完成全部质量认证并投入量产的HBM4产品。价格方面，TrendForce集邦咨询已上修2027年HBM价格展望，预估混合平均售价年增幅度将达121%，归因于高价HBM4占比提升与HBM4E于2027年下半年逐步放量。
SK集团会长崔泰源计划加速光州半导体集群建设，即便水电供应延迟也准备先行进行打桩作业。该项目面临美军设施迁回这一最大变量，且政府正努力推动机场军事功能提前转移。
产能扩张计划将增加未来供应，对价格构成下行压力。
SK集团会长崔泰源10月9日（据路透社报道，其于周五视察光州半导体园区规划选址时）表示，预计芯片需求将继续以相当快的速度增长，SK海力士需加快扩产，光州园区将尽可能早地开工，但具体开工时间尚未确定，预计近期公布建设时间表。目前韩国政府及地方当局正推进园区电力、供水等基础设施配套，光州园区建设进度取决于政府水电供应计划能否与SK施工安排衔接；崔泰源表示即使水电配套稍晚到位，也可能先行推进桩基工程，但SK不打算通过压缩建设成本来加快进度。SK海力士已将龙仁园区完工目标从2045年提前至2033年，计划2033年完成龙仁四座晶圆厂建设，但仍认为产能可能不足以满足需求，不排除龙仁与光州两大园区同步推进。光州园区规划规模约为龙仁园区的三分之二，规划占地约826万平方米，选址包括计划迁移的光州军用机场腾退用地及邻近弹药库区域；SK海力士与三星电子均计划投资约400万亿韩元，各建设两座芯片制造厂。若未来有更多土地可用且需求足以支撑，光州项目规模还有望进一步扩大。
美光桃园工会以88.3%赞成率获得罢工权，台中工会同步要求2027年起15%营业利润目标。双方将于2026年10月22日进行调解，目前罢工尚未发生，但劳资谈判存在长期不确定性。
潜在产能中断风险，需观察2026年谈判结果对供应链的实质性影响。
ITEN推出1,500 μAh固态电池并达成年产3千万颗产能目标。该法国试点工厂投资1400万欧元，采用陶瓷电极技术。
/中性：产能扩张预示未来供应增加，对现有库存价格构成潜在下行压力。
东芝计划在2027财年将AI数据中心HDD产能翻倍，在菲律宾工厂投资约600亿日元。此举旨在将其市场份额从略高于10%提升至30%。
预示着未来供应增加。
LG在美国和韩国增加制冷机容量，LS Electric签署1.3341亿美元合同为北美超大规模AI数据中心供应超高压变压器。AI数据中心高密度计算对冷却和电力传输需求激增。
冷却与电力基础设施供应商将受益于AI基建扩张。
Solidigm计划在美国开设首家NAND工厂，目标到2027年产能增加50%。此举旨在增强全球供应链韧性，此前该公司在中国大陆的扩张已暂停四年。
NAND Flash供应前景，产能扩张将增加市场供给。
三星计划将NRD-K 2号线转为代工产线，生产2nm HBM基板以应对NVIDIA需求。此举旨在利用GAA 2nm工艺提前锁定HBM5产能。
HBM供应链，预计2028年下半年量产。
三星HBM4良率提升至80%，目标年底HBM市场份额38%。良率较2月量产初期的60%大幅攀升，产能爬坡加速。
供应改善将缓解HBM短缺，压制现货价格。
TrendForce报告台积电1.4nm进度提前，首座中台湾晶圆厂预计2027年4月完工，量产始于2028年中期。此举与英特尔2028年量产14A的目标相吻合。
产能扩张计划对当前价格构成压力。