NuAxi半导体贸易情报
CGD与Ricardo合作开发面向Nissan主导项目的牵引逆变器
发生了什么
Fabless公司Cambridge GaN Devices Ltd（CGD）于2016年从剑桥大学分拆出来，专注于设计、开发和商业化基于GaN-on-silicon衬底的功率晶体管和IC。CGD正与Ricardo合作开发一款高效GaN基牵引逆变器，该项目与一个由Nissan主导的合资项目相关。原文未说明合作的具体时间、金额或量产时间表。
影响与信号
中影响影响力评分：45/100
受影响器件与厂商
GaN-based traction inverterGaN power transistorsGaN ICsGaN-on-silicon substrates
Cambridge GaN Devices Ltd (CGD)RicardoNissan
GaNtraction inverterpartnershipfablesspower electronics
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2026/11/10 · 查看原始来源
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