NuAxi半导体贸易情报
Nexperia推出超低阻氮化镓GaN FET，扩展低中压GaN产品组合至18V至200V，面向AI数据中心等应用
发生了什么
Nexperia B.V.（总部位于荷兰奈梅亨，在德国汉堡和英国曼彻斯特Hazel Grove运营晶圆厂）已推出新型超低阻氮化镓(GaN) FET，将其低、中压GaN产品组合扩展至18V至200V范围。新器件结合大电流能力、快速开关性能和紧凑的热增强封装，旨在应对AI数据中心、人形机器人、电池供电工具、可再生能源、高效率SR和DC-DC转换等应用的功率设计挑战，以支持更广泛的效率与功率密度提升。本事件为产品发布（已发生），原文未说明价格或供应数量影响。
影响与信号
中影响影响力评分：55/100
受影响器件与厂商
ultra-low-ohmic gallium nitride (GaN) FETslow- and medium-voltage GaN portfolio
Nexperia B.V.
GaN FETnew product launchpower densityefficiency18V-200V
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2026/11/10 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生