NuAxi半导体贸易情报
TrendForce:预计翻新内存在智能手机市场渗透率2026年达约3%~4%,2027年进一步升至7%~9%,当前以LPDDR4X 4GB为主
发生了什么
IT之家11月7日消息,集邦咨询(TrendForce)最新存储行业研究显示,移动DRAM合约价格持续走高,正促使智能手机厂商更多采用成本更低的翻新内存(Reballed Memory,重新植球内存),该趋势在入门级与平价机型中尤为明显。TrendForce预计,翻新内存在智能手机市场的渗透率将在2026年达到约3%~4%,并有望在2027年进一步攀升至7%~9%。目前市场上流通的翻新内存以LPDDR4X 4GB为主,主要应用于售价1299元人民币以下的4G智能手机,有助于品牌缓解BOM成本上升压力、维持终端零售价竞争力。TrendForce同时预计DRAM涨势在2027年第一季度将进一步加剧,采用降规元器件与翻新内存的策略或将从低端向更高价位段渗透;但即便2027年翻新内存装机量进一步扩大,其占全球智能手机内存年度消耗总量的比重依然有限,预计难以对当前DRAM合约价上行趋势构成实质性冲击。原文还指出翻新元器件采购渠道复杂、批次质量一致性存在较大不确定性,可能削弱整机可靠性、损害品牌口碑并推高保修与售后维修支出。
影响与信号
中影响影响力评分:55/100
受影响器件与厂商
Mobile DRAMLPDDR4X 4GB翻新内存(Reballed Memory,重新植球内存)
TrendForce集邦咨询翻新内存Reballed Memory智能手机渗透率预测
来源与时间
来源:IT Home · 2026/11/7 · 查看原始来源
查看 NuAxi 完整情报 →
实时定价、供应信号与 AI 分析,为半导体贸易商而生