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High-NA的讣告为时尚早：英特尔部分Panther Lake处理器层已用High-NA EUV制造，TSMC计划2030年导入、三星计划2028年前用于DRAM量产

发生了什么

文章认为High-NA EUV光刻技术'已走到尽头'的结论为时尚早。Intel是最有力的证据：7月，ASML宣布某批Panther Lake处理器的选定层已采用High-NA EUV制造，这些层与常规EUV进行了双重验证，良率与现有NXE平台相当；这并不意味着每颗Panther Lake处理器都使用High-NA，也不意味着Intel 18A依赖该技术。至9月，Intel和ASML报告在认证、研发、开发和生产中累计处理超过100万片晶圆，但该数字并非100万片客户生产晶圆；两家公司表示套刻、产能和可用性达到Intel的预期。技术吸引力在于数值孔径从0.33提升至0.55可提高分辨率、实现更细的特征图形，若能替代多次曝光及相关工序，经济性可超越单机吞吐量，但收益是否实现取决于具体层与工艺。挑战方面：High-NA的变形光学在使用现有掩模版格式时会使曝光场减半，大型设计面临布局约束或拼接要求，Intel称通过合理布局及其拼接方案现有掩模仍可使用；长期看，ASML和TSMC正推进12英寸光掩模，中试线目标2031年、先进节点量产就绪目标2033年。客户采用时间表呈错峰状态：TSMC计划自2030年起将High-NA引入先进节点量产，其董事长兼首席执行官C.C. Wei在10月财报电话会上强调成熟度和合理成本是采用条件；三星计划在2028年前将High-NA引入DRAM量产。现有EUV将持续改进并竞争各层分配，High-NA须凭可衡量的制造优势赢得每一项分配，其商业化速度仍待观察。