NuAxi半导体贸易情报
意法半导体碳化硅MOSFET缺陷研究获IRPS最佳论文奖
发生了什么
STMicroelectronics与CNR-IMM团队因揭示4H-SiC外延缺陷与MOSFET击穿关联的研究获2021年IRPS最佳论文奖。该研究旨在提升碳化硅功率器件的可靠性与制造良率。中性：此为远期研发进展，对当前SiC MOSFET的供应、价格及交易决策无直接影响。
影响与信号
低影响影响力评分：8/100
受影响器件与厂商
SiC MOSFET
R&Dreliability
来源与时间
来源：Semiconductor Today · 2022/4/5 · 查看原始来源
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实时定价、供应信号与 AI 分析，为半导体贸易商而生