三星电子：2027年HBM产能已按既定目标价格售罄，预计2028年整体DRAM内存供应将维持紧张

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三星电子于10月29日早间举行2026Q3财报电话会议，会上高管表示其2027年的HBM产能已按既定目标价格售罄，并预计2028年整体DRAM内存供应将维持紧张；存储半导体市场整体仍供小于求，高管特别提到收到大量QLC需求。2026Q3三星DRAM和NAND出货容量均上涨个位数百分点，ASP分别增长20%和近10%；企业预计2026Q4 DRAM出货容量增长15~20%，NAND增长15%左右。三星存储器业务已与10家客户签署LTA，正与另外10家就多年期合同洽谈，并推进通过多年期合同锁定60~70%产出的计划。HBM方面，三星已提前实现细分市占齐平整体DRAM市占的目标，HBM4销售额Q3环比增长超3倍，已占HBM总营收的60%。此外三星晶圆代工计划加大对韩美晶圆厂投资，希望同步建设先进封装产能，正就包括建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估，预计8nm以下节点产能利用率将突破100%。

影响与信号

受影响器件与厂商

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来源：IT Home · 2026/10/28 · 查看原始来源