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湖南泰坦未来科技发布中国首款12英寸多晶碳化硅衬底，现处样品验证与小批量试产阶段
发生了什么
据长沙晚报10月26日报道，湖南泰坦未来科技开发出中国首款12英寸多晶碳化硅（SiC）衬底。该衬底热导率超过280 W/(m·K)，面向需要高热导率的应用，包括AI计算芯片和先进封装，定位为半导体封装结构内的导热基板，帮助缓解高功率芯片运行时的热量积聚。产品目前处于样品验证与小批量试产阶段，并已通过领先企业验证。泰坦未来的技术基于中南大学粉末冶金研究院的研究，此前已完成6英寸和8英寸多晶SiC衬底的国产化开发。9月28日，泰坦未来半导体（江苏）投资的项目在江苏金湖经济开发区动工，将建设高纯、高密度SiC部件与多晶衬底一体化制造基地，主要生产高性能SiC部件和半导体用TaC涂层产品，完全投产后预计年产能20万件、年销售额6亿元、新增税收3000万元。公司还计划在长沙、厦门和江苏金湖建设设施：长沙为技术开发与应用孵化中心，厦门基地规划年产能50万片复合SiC衬底。
影响与信号
中影响影响力评分：55/100
受影响器件与厂商
polycrystalline silicon carbide (SiC) substrateSiC componentstantalum carbide (TaC)-coated productscomposite SiC substrates
Hunan Titan Future TechnologyTitan Future Semiconductor (Jiangsu)
SiC12-inch polycrystalline SiC substratethermal managementAI computing chipsadvanced packagingcapacity expansion
来源与时间
来源：TrendForce · 2026/10/28 · 查看原始来源
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