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英特尔高管称因背面供电更适合采用High NA EUV光刻机追赶台积电是规模而非技术问题，Intel 14A（1.4nm）已成PDK可选方案

发生了什么

快科技10月26日报道，英特尔制造开发与客户互动副总裁兼总经理克里斯·奥思（Chris Auth）认为，与台积电相比，英特尔更适合使用High NA EUV光刻机，原因是英特尔的产品采用背面供电，可直接用High NA EUV光刻电路，且英特尔的间距要求不像台积电那样苛刻。他表示台积电因没有背面供电、无法用High NA做到这一点，必须使用EUV双重曝光（double patterning）。英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德（Pushkar Ranade）则表示，追赶台积电是规模问题，而非技术问题。据文中说明，High NA EUV光刻机提高了光线在晶圆上的分辨率，可实现16nm至8nm之间的间距（pitch），使芯片制造商能够通过单次曝光节省成本。奥思称Intel 14A（1.4nm）如今已是PDK（工艺设计套件）的可选方案，公司正与客户逐一洽谈；其表态证实英特尔现在将把这项技术用于Intel 14A工艺，而此前一些报道讨论的是在Intel 18A（1.8nm）节点上使用。