英特尔高管称公司技术实力已接近台积电，差距缩小至仅几个百分点；14A制程已作为PDK可选方案向客户开放，高数值孔径EUV战略被视为关键筹码

英特尔高层近日在公开访谈中表示，公司在先进制程技术方面与台积电的差距已缩小至“仅几个百分点”，并称当前最大挑战不再是技术本身，而是建立与竞争对手相匹配的制造规模和产能体系。英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德在Dwarkesh播客节目中表示，从技术和性能角度看双方距离已相当有限，扩大先进工艺生产规模需要较长时间。英特尔制造开发与客户合作部门副总裁兼总经理克里斯·奥斯重点介绍了高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）布局：由于英特尔率先采用背面供电（Backside Power Delivery）技术，将供电网络从晶圆正面转移至背面，释放前侧布局空间并减轻线路间距压力，因此能直接利用High-NA EUV完成相关图形制造；而台积电因未采用同样供电架构，在部分设计上须维持更紧密线路间距，无法完全依靠High-NA EUV，仍需借助双重图形化EUV工艺。报道指出High-NA EUV与现有EUV相比可提升光刻分辨率，支持约8纳米至16纳米间距范围的先进图形制造，有望降低制造复杂度和生产成本。奥斯还透露，英特尔下一代14A制程目前已作为工艺设计工具包（PDK）中的可选方案向客户开放，是否采用将根据不同客户需求单独讨论。业内认为这显示英特尔正围绕14A节点推进High-NA EUV部署；此前市场曾传出High-NA EUV可能首先应用于18A制程，而从此次披露看14A已成为英特尔重点规划的下一代先进工艺平台之一。文章同时指出，尽管英特尔高层认为技术层面已接近台积电，但在先进制程规模化生产、客户生态及产能扩张方面仍面临长期而艰巨的挑战。

来源：cnBeta · 2026/10/23 · 查看原始来源