英特尔 CTO 称与台积电制程技术差距已缩小至几个百分点（小于10%），但制造规模追赶仍将是缓慢过程

当地时间10月22日，Dwarkesh Patel放出对英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德（Pushkar Ranade）的采访视频。拉纳德表示，从制程技术角度看，英特尔与台积电的差距已缩小至几个百分点（小于10%），但性能、功耗和面积密度等指标仍可能存在几个百分点的差距；追赶台积电的制造规模仍将是缓慢过程，台积电目前的晶圆制造规模明显大于英特尔。他强调按时推进制程、提高良率并快速扩大产能比单纯追求小幅领先更重要。在产能方面，他表示全球半导体制造设备的供应能力难以支持先进制程晶圆产量增长十倍，现有条件下产量翻倍更具可行性，EUV光刻设备是主要瓶颈之一，其他制造设备同样供应紧张。英特尔制造开发与客户合作部门副总裁兼总经理克里斯·奥斯在同场访谈中谈到，英特尔采用背面供电架构，使部分工艺层能直接使用High-NA EUV设备（数值孔径从0.33提升至0.55，约8nm分辨率）；英特尔14A制程已将High-NA EUV作为PDK中的可选方案提供给客户，将按客户需求逐一讨论是否采用。拉纳德还表示，从18A制程转向14A制程时预计可复用约80%的设备，但新制程仍需部分新设备，当前下单设备交付周期可能达约18个月，若需新建晶圆厂，投产时间可能进一步延后。

来源：IT Home · 2026/10/24 · 查看原始来源