MLCC电阻电感涨价15%至70%
MLCC、电阻及电感价格普涨15%至70%，原材料成本压力传导至终端。AI服务器与电动车需求激增，致厂商产能利用率超95%。
利多
被动元件价格上行趋势确立。
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MLCC、电阻及电感价格普涨15%至70%，原材料成本压力传导至终端。AI服务器与电动车需求激增，致厂商产能利用率超95%。
被动元件价格上行趋势确立。
TrendForce报告显示，主流DDR4 1Gx8 3200MT/s现货价本周上涨0.28%至36.00美元，512Gb TLC晶圆现货价下跌1.03%至19.862美元。低密度DDR4和DDR3出现上涨动能，但整体市场仍呈横盘，因报价高企且买家不愿追高。
低密度DRAM，利空NAND Flash，关注库存调整。
力积电3月大幅调涨DRAM代工价格，4月显著提高NAND闪存晶圆起始价。微软、谷歌等AI巨头已与主要DRAM供应商签订三年长约，预计2026下半年内存市场将持续结构性短缺。
内存及逻辑代工价格普涨，供应紧张，直接推高采购成本。
铝箔成本上涨推动台日铝电容价格走高，电感、芯片电阻后成本战蔓延至该领域。上游金属价格持续攀升，已逼近供应商成本临界点。
铝电容直接面临涨价压力，采购成本将上升。
Murata宣布2026年4月1日起上调MLCC及磁珠等元件价格，三星机电亦跟进。受AI、EV及医疗设备需求激增驱动，高阶MLCC供需紧张，台厂如国巨、华新科将显著受益。
韩日供应商将WF₆价格上调70-90%，中国国产化率超65%。美中科技紧张局势及存储芯片需求激增推高价格，3D NAND及先进逻辑制程需求增加。
特种气体价格结构性上涨，国产替代加速。
MLCC现货价周环比暴涨15-20%，交期拉长至20-30周；铝电解电容因原材料成本与产能紧张价格上涨8-12%。价格上涨主因是汽车/工业需求强劲、原材料通胀及部分产能转换。
现货价格明确上涨与交期显著延长，显示供应紧张加剧，对采购与交易构成直接上行压力。
Yageo子公司Kemet宣布第三次上调钽电容价格，新价格将于4月1日生效。受AI服务器需求强劲及钽聚合物电容供应缺口扩大驱动。
供需失衡将推高现货价格。
三星电机与村田制作所因AI数据中心需求导致产能满载，预计将推高MLCC价格。三星电机正将策略重心从出货量转向定价，村田则暗示最早可能在2026年3月提价。
供应受限叠加制造商主动提价策略，将直接推升现货价格。
三星电机据报计划自四月起将MLCC价格上调两位数百分比，村田制作所亦暗示三月可能跟进提价。AI服务器升级（如英伟达新平台MLCC用量增超30%）与电动车需求推高高端MLCC价格，但消费电子需求疲软导致整体市场分化。
高端MLCC供应紧张且需求明确，为供应商提供直接定价权，将推高相关采购成本。
村田制作所因AI服务器MLCC订单超产能一倍，正考虑提价。需求激增源于AI服务器建设热潮，已远超高端MLCC专用产能。
MLCC价格面临直接上行压力，采购端可能面临配给收紧。
已经到底了