三星DRAM NAND价格周涨40% 50%
三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元,受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。
利多
存储现货价格。
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三星电子预计Q2利润同比暴涨18倍至580亿美元,受DRAM和NAND价格周环比上涨40%和50%驱动。
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全球功率半导体企业自2026年以来密集发布涨价函,MOSFET与IGBT核心器件涨幅普遍达10%-25%。本轮涨价源于AI算力基础设施爆发、新能源高景气及8英寸成熟制程产能收缩三重因素共振。
核心逻辑为供给持续紧张,行业利润率有望在未来数年持续改善。
以色列动乱导致Tower Semiconductor出货中断,客户紧急订单转向台厂世界先进与力积电。成熟制程产能因此趋紧,买家支付溢价以确保供应,推高报价。
成熟制程及特种工艺供应紧张,直接驱动价格上涨,利好世界先进与力积电毛利率。
新洁能宣布自2026年3月1日起对MOSFET产品价格上调10%起,主因上游原材料、关键贵金属及晶圆代工封测成本上涨。2025年底以来,中微半导、必易微、英飞凌、ADI等多家公司已相继宣布涨价。
明确的涨价函直接推高MOSFET采购成本,反映供应链成本压力持续,现货市场看涨。
已经到底了