三星存储ASP涨40-60%，HBM4供不应求
三星Q2 2026营收创纪录，存储业务营收环比大增56%，DRAM和NAND ASP分别上涨40%和60%。受益于AI服务器需求激增及供应短缺，HBM4芯片出货量创历史新高，服务器收入占比达峰值。
利多
存储芯片价格持续飙升，供需紧张格局未改，HBM4产能扩张预期强烈。
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三星Q2 2026营收创纪录，存储业务营收环比大增56%，DRAM和NAND ASP分别上涨40%和60%。受益于AI服务器需求激增及供应短缺，HBM4芯片出货量创历史新高，服务器收入占比达峰值。
存储芯片价格持续飙升，供需紧张格局未改，HBM4产能扩张预期强烈。
三星DS部门Q1利润率高达65.7%，DRAM和NAND价格季度涨幅近90%。SK海力士利润率更高达72%，但三星凭借存储业务主导地位贡献了93.8%的总利润。
存储芯片价格暴涨推动三星创纪录盈利，挤压非存储业务利润空间。
SK海力士Q1利润率创纪录达72%，券商预计三星电子存储利润率在71.9%至77%之间。
受AI需求推动，DRAM和NAND价格飙升，三星凭借更大产能优势，通用存储利润率有望超HBM。
三星电子自2026年初起将HBM4逻辑芯片价格上调40-50%，其4nm产线已满载。涨价由AI需求激增驱动，台积电亦宣布2026年对5/4nm及以下节点全面提价。
两大晶圆厂对先进制程的直接大幅提价，确认了供应紧张和强劲的定价权，相关芯片采购成本将显著上升。
已经到底了