美媒关注长鑫技术突破：为何它能让全球存储巨头集体下挫
2026年10月14日，CNBC报道称长鑫存储的技术突破导致全球存储巨头股票集体大跌。美光股价下跌3.62%，韩国上市的SK海力士股价收跌10%，三星电子下跌7.4%，其他存储芯片相关股票如闪迪、希捷和西部数据也纷纷走低。长鑫存储宣布新型DRAM架构4F²取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。事件为观察到的股价下跌。
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2026年10月14日，CNBC报道称长鑫存储的技术突破导致全球存储巨头股票集体大跌。美光股价下跌3.62%，韩国上市的SK海力士股价收跌10%，三星电子下跌7.4%，其他存储芯片相关股票如闪迪、希捷和西部数据也纷纷走低。长鑫存储宣布新型DRAM架构4F²取得进展，预计年底推出新一代DDR5 RDIMM产品。事件为观察到的股价下跌。
存储板块经历多重压力叠加的集中抛售：美光周一收跌3.88%，闪迪跌幅更深至5.97%，两只标杆股连续七个交易日中六个交易日下跌，美光距6月高点跌幅接近20%，濒临技术性熊市。原文将导火索归结为三重冲击：一是韩国市场在韩文日假期休市后补跌，KOSPI周一大跌3.65%收于6384.2点，紧贴200日均线支撑位6376点，KOSDAQ跌4.8%，KRXSEMI下挫5.2%，SK海力士与三星各跌约4.5%；外资连续第五日净卖出，科技板块单日净卖出规模达13亿美元，其中SK海力士遭抛售7.82亿美元、三星遭抛售4.15亿美元，散户在三星净买入7.1亿美元但呈下降趋势。二是三星与SK海力士合计约55万亿韩元（约400亿美元）的韩国史上最大回购计划已提前数周结束，三星回购于10月6日实际终止；回购结束后三个交易日KOSPI累计下跌约8%，KOSPI较6月22日历史高点下跌约30%，SK海力士跌幅达45%。三是长鑫科技总裁曹堪宇在10月9日至10日上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上宣布4F²架构研发取得关键进展，并预计年底推出融合4F²架构、混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品，面向服务器内存市场；4F²使单元面积缩减约三分之一，理论上可实现约50%的存储密度提升；SK海力士直至2025年才公布4F²路线图，三星目标是2028年实现基于该架构的10nm以下DRAM量产，若长鑫年底如期交付，将在单元架构层面领先韩国两大巨头约两年。基本面上，南亚科技三季度营收达新台币1336亿元，环比增长62%、同比暴增612%，毛利率85.7%环比提升6.2个百分点，营业利润率80%，混合平均售价环比涨幅超60%，管理层预计2027年合同价格仍可实现两位数涨幅；三星三季度营业利润近九倍增长。高盛Prime Book数据显示上周美国信息技术板块转为净卖出最多的板块，且是七周内卖出速度最快的一次。后续关注点：三星将于10月29日举行财报电话会议，ASML向韩国客户上调备件价格约10%将于2027年1月生效，台积电周四、ASML周三公布业绩。
Raspberry Pi宣布对多款产品涨价，16GB Pi 5涨幅达100美元至305美元。受内存价格飙升影响，该公司在四个月内三次上调价格，但旧款机型因持有LPDDR2库存未受影响。
DRAM需求，且表明上游存储成本压力正传导至终端消费级芯片市场。
TrendForce预计Q1 NAND闪存价格将环比暴涨85-90%。主要增长动力来自北美云服务提供商大规模部署AI服务器带来的企业级SSD需求。
价格涨幅明确，需求端驱动强劲，对NAND现货交易构成直接看涨信号。
已经到底了