1b代DRAM价值超N2工艺，DDR5现货价涨至1.55美元/Gb
Kurnal Insights数据显示，1b代DRAM每平方毫米价值达0.654美元，超过台积电N2工艺晶圆价格。这一现象源于AI需求推动DDR5 eTT现货价格飙升至约1.55美元/Gb。
利多
供需紧张格局下，存储芯片价格仍有上行空间。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、TSMC
- 影响评分
- 98 / 100，高影响
Kurnal Insights数据显示，1b代DRAM每平方毫米价值达0.654美元，超过台积电N2工艺晶圆价格。这一现象源于AI需求推动DDR5 eTT现货价格飙升至约1.55美元/Gb。
供需紧张格局下，存储芯片价格仍有上行空间。
ASML计划上调现有Low-NA EUV光刻机售价，TSMC面临数亿美元额外成本。随着光刻机生产效率提升，ASML基于价值定价策略逐步涨价，且Q2营收创纪录。
ASML股价，利空TSMC资本开支。
ASML计划将Low-NA EUV工具定价从生产力模式转为价值模式，预计2028年底后交付的设备将涨价。随着公司2027年产能售罄及2028年订单已满，ASML希望通过此举捕获工具的全部价值。
ASML股价及设备价格，但TSMC等大客户强烈反对。
TrendForce预测2026年Q1传统DRAM合约价涨90%-95%，Q2将再涨58%-63%。Qualcomm推出Snapdragon C平台瞄准300美元预算级笔记本，但内存成本飙升正挤压该细分市场生存空间。
DRAM供应商，利空预算级笔记本厂商及下游库存。
微软将其Surface系列笔记本电脑全线上调200至500美元，官方声明归因于内存及组件成本上涨。此举发生在DDR4现货价近期小幅回落之后，凸显OEM成本传导压力。
主要PC OEM公开确认并传导成本压力，强化了存储芯片市场供应紧张、价格高企的现状。
索尼宣布自2026年4月2日起，全系PS5主机及PlayStation Portal价格上调100至150美元。此次调价源于全球经济环境及供应链压力，包括可能影响芯片制造的氦气危机。
终端产品明确涨价，预示上游制造成本压力持续，可能传导至相关半导体元件。
华硕宣布Q2全线产品涨价25-30%，主因是DRAM与SSD成本飙升及CPU短缺。此消息证实了上游存储与处理器供应紧张，利多相关芯片供应商。
Valve亚洲零售伙伴宣布Steam Deck OLED在部分地区涨价高达17%，主因物流与汇率波动。文章同时指出，内存成本上涨正冲击硬件商供应链，任天堂因LPDDR5X成本上涨41%正考虑调高Switch 2售价。
区域性调价对芯片交易无直接影响，但内存成本压力正侵蚀消费电子硬件利润，构成潜在上行风险。
NVIDIA将DGX Spark AI开发系统的MSRP上调700美元至4699美元，涨幅17.5%。此次调价归因于影响其128GB LPDDR5X内存成本的行业性DRAM与NAND闪存短缺。
直接的价格上涨行动，预示内存组件成本及相关系统价格面临上行压力。
中信证券研报预计7628电子布价格上涨空间有望达到8元/米。此轮涨价源于特种电子布供需紧张，企业转产导致7628布织布机产能持续压缩。
明确的量化涨价预期，显示核心原材料供应紧张加剧。
TrendForce预计2026年Q1 DRAM合约价将环比暴涨90-95%，NAND Flash价格预计上涨55-60%。短缺主因是AI数据中心需求激增，美光已决定退出Crucial消费级业务以保障战略客户供应。
供需缺口扩大且价格涨幅明确，将直接推高采购成本。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |