存储价格暴涨300%，手机SoC出货量暴跌25%
2026年Q2智能手机存储芯片价格同比暴涨超300%，导致高通与联发科SoC出货量同比暴跌超25%。成本挤压迫使厂商缩减低端订单、延迟发布并换回4G方案。
利空
2026年全年SoC出货量预计下降14%，成本压力将持续至2027年。
- 相关厂商
- Qualcomm、MediaTek、Samsung Electronics、Apple
- 影响评分
- 95 / 100，高影响
2026年Q2智能手机存储芯片价格同比暴涨超300%，导致高通与联发科SoC出货量同比暴跌超25%。成本挤压迫使厂商缩减低端订单、延迟发布并换回4G方案。
2026年全年SoC出货量预计下降14%，成本压力将持续至2027年。
高通通知客户自9月1日起出货的骁龙8 Elite Gen 6芯片价格将上调两位数。此次涨价受台积电2nm制造成本高企及内存短缺等因素驱动。
移动芯片现货价格。
台积电因成本压力上调2nm晶圆报价，可能迫使英伟达和苹果评估三星作为替代代工伙伴。设备投入与封装难度攀升推高成本，三星GAA工艺定价更具优势。
台积电定价权，但需关注供应链多元化风险。
高通骁龙8 Elite Gen 6 Pro SoC预计定价超过300美元，受TSMC 2nm工艺成本驱动。报告指出，该芯片与LPDDR6及UFS 5.0组合后，整机BOM成本将超600美元，挤压手机厂商利润。
手机厂商利润承压，可能抑制高端机型需求；利多：高通芯片价格预期上涨。
微软将其Surface系列笔记本电脑全线上调200至500美元，官方声明归因于内存及组件成本上涨。此举发生在DDR4现货价近期小幅回落之后，凸显OEM成本传导压力。
主要PC OEM公开确认并传导成本压力，强化了存储芯片市场供应紧张、价格高企的现状。
2026年一季度手机DRAM合约价环比暴涨80%-95%，因三星、SK海力士、美光将产能转向HBM导致传统移动DRAM供给锐减。存储成本已占千元机物料清单超50%，迫使小米等品牌涨价，高通与联发科削减中低端SoC出货1500-2000万颗。
供给危机与确认的极端价格涨幅对移动DRAM构成直接看涨信号。
业内人士王腾预测内存价格将在2026年第二季度继续上涨，存储扩产需2-3年，价格恢复正常预计要到2028年。此预测基于当前消费电子行业艰难及产能扩张周期。
明确预告关键大宗组件价格将持续上行，直接影响采购与交易决策。
中东冲突升级引发市场抛售，半导体及有色金属板块领跌，澜起科技、海光信息跌近7%，北方稀土、包钢股份跌超9%。地缘政治风险推动资金从科技成长板块向油气、航运等战争题材剧烈轮动。
风险偏好急剧恶化及资金流出对半导体产业链交易价格构成直接下行压力。
联想与宏碁因存储芯片成本飙升50%-100%，将于2026年3月初对部分商用及消费PC产品提价。惠普预计内存/存储占PC物料成本比例将从15-18%升至约35%，短缺或持续至2027年。
终端厂商明确提价动作及BOM占比翻倍，直接印证内存芯片现货价格持续上涨压力。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |