三星Q1 DRAM合约价涨幅上调至100%
三星电子Q1 DRAM合约价涨幅最终敲定在100%以上，SK海力士与美光已跟进同等涨幅。涨价核心驱动力为AI投资热潮导致HBM产能挤占通用DRAM供给，同时终端需求旺盛。
利多
三大原厂集体大幅提价且谈判周期缩短，供需失衡推动的价格涨势预计延续至第二季度。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、SK Hynix、Micron Technology
- 影响评分
- 98 / 100，高影响
三星电子Q1 DRAM合约价涨幅最终敲定在100%以上，SK海力士与美光已跟进同等涨幅。涨价核心驱动力为AI投资热潮导致HBM产能挤占通用DRAM供给，同时终端需求旺盛。
三大原厂集体大幅提价且谈判周期缩短，供需失衡推动的价格涨势预计延续至第二季度。
截至1月，DRAM和NAND闪存价格均创2016年以来最高，DDR4合约均价11.5美元，NAND闪存均价9.5美元。受AI算力需求爆发、头部厂商减产保价及原材料涨价影响。
年内供需缺口持续，价格将向下游传导，联想等厂商已提价。
已经到底了