三星将取消折叠屏手机免费双倍存储升级，改为补贴50%差价。原因是内存成本上涨，且S26系列已提价。利多 NAND Flash 价格，显示上游成本压力传导至终端。

苹果2026年新品全线涨价，DRAM与NAND闪存价格同比翻倍。AI产业疯狂抢占存储产能，2nm先进制程与自研基带推高整机成本。利多存储与先进制程板块，供需紧张将持续推高价格。

台积电计划下半年3纳米制程报价上调15%，明年可能再涨5%至10%。核心驱动力为AI需求激增及产能满载，叠加2纳米良率爬坡压力。利多。

高通骁龙8 Elite Gen 6 Pro SoC预计定价超过300美元，受TSMC 2nm工艺成本驱动。报告指出，该芯片与LPDDR6及UFS 5.0组合后，整机BOM成本将超600美元，挤压手机厂商利润。利空：手机厂商利润承压，可能抑制高端机型需求；利多：高通芯片价格预期上涨。

三星DS部门Q1利润率高达65.7%，DRAM和NAND价格季度涨幅近90%。SK海力士利润率更高达72%，但三星凭借存储业务主导地位贡献了93.8%的总利润。利多：存储芯片价格暴涨推动三星创纪录盈利，挤压非存储业务利润空间。

南亚科技Q1 DRAM ASP暴涨超70%，并预计Q2价格将实现两位数增长。公司刚完成由闪迪、铠侠等客户参与的78.72亿新台币私募，旨在加速AI内存路线图并扩充产能。利多：明确的季度涨价预期与客户资本绑定，强化了AI驱动下DRAM供应持续紧张的格局。

Nexchip宣布自2026年6月1日起代工费用上调10%，SMIC与华虹此前也已提价。AI应用推高电源管理芯片需求，导致8英寸产能持续紧张，联电台厂Vanguard亦预计提价4-8%。利多：主要晶圆代工厂相继明确提价，成熟制程晶圆成本面临持续上行压力。

Counterpoint报告显示，2026年第一季度移动DRAM与NAND Flash价格环比分别暴涨超50%和90%，导致智能手机BOM成本结构巨变。内存成本在低端机型BOM中占比将升至43%，高端机型成本预计增加100-150美元。利多：内存现货价格已确认大幅上涨，将直接推高采购成本并挤压整机制造商利润。