AMEC通过与SK Keyfoundry、Magnachip的MOCVD设备测试寻求进入韩国功率半导体市场
中国设备供应商AMEC（中微公司）正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试，寻求进入韩国功率半导体市场，目前处于试验阶段，尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额，但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
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中国设备供应商AMEC（中微公司）正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试，寻求进入韩国功率半导体市场，目前处于试验阶段，尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额，但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
LG Innotek据报正在评估收购LG Display旗下一座LCD工厂。该消息的背景是：对AI服务器、先进封装和数据中心不断增长的需求正在重新引发市场对闲置LCD工厂的兴趣，相关企业正在收购并改造现有厂址，将其转变为半导体封装基板产线、先进封装设施和AI计算枢纽；LG Innotek的此次评估是继日本和台湾地区类似交易之后的又一动向。该收购目前处于评估阶段，尚未达成或完成。
三星电机（SEMCO）已与一家全球大公司签署一份价值3604.87亿韩元（约2.6亿美元）的存储器封装基板长期供应协议，出货计划于2027年开始。该公司未披露客户或具体应用。该协议将其长期合同覆盖范围从多层陶瓷电容器（MLCC）和硅电容器扩展至基板；据标题，其长期合同总额达4.3万亿韩元。
Contrel Technology与FSE在TPCA Show 2026上联合展示了双核心激光微加工与等离子体制程技术，目标市场为先进封装与高端基板制造。两家公司的解决方案涵盖从表面处理、残留物去除，到激光修整、去键合、开槽及切割等关键制程。
快科技10月20日报道，苹果宣布进一步扩大美国本土供应链，与多家美国企业合作，为iPhone 18 Pro和iPhone Duo生产关键材料及零部件，目前两款手机已有近100种零件由美国企业生产，供应商遍布美国十多个州，涉及无线通信芯片、半导体器件等领域。新增合作伙伴包括钛金属制造商Perryman Company和电子材料供应商Qnity Electronics：Perryman将为苹果首款折叠屏手机iPhone Duo供应5级钛合金用于机身外壳，苹果计划未来三年向其投入最多1亿美元，其宾夕法尼亚州工厂将完成钛金属熔炼、锻造和轧制，所用材料再生钛含量不低于80%；Qnity将为iPhone 18 Pro的可变光圈镜头提供关键薄膜材料。现有供应商方面，博通将在美国生产先进射频组件，按多年期合作计划预计生产超过150亿颗美国制造的芯片；康宁负责生产包括超瓷晶面板在内的特种玻璃，苹果表示到2026年底全球销售的iPhone和Apple Watch盖板玻璃都将在康宁肯塔基州工厂生产；台积电亚利桑那州工厂持续扩大产能，预计2026年为苹果生产超过1亿颗芯片，用于iPhone、iPad及Apple Watch等产品。苹果此前宣布计划在四年内向美国制造业及创新领域投入6000亿美元，此次扩大本土供应链合作是其推进美国制造计划的重要举措。
ASML与Xanadu宣布开展合作，研究先进光刻工艺能否抑制光子量子计算中最关键的工程限制之一——光子损耗。双方将针对Xanadu的光子量子硬件研究先进光刻工艺，重点考察更严格的图形化控制能否抑制损耗机制并改善容错、实用规模机器的前景。该合作计划特别将光学损耗与线边缘粗糙度（LER）联系起来：光刻定义波导及其他纳米光子结构的横向边界，实际边缘中的纳米级偏差会扰动波导折射率边界，将导光耦合到辐射模式或产生背散射，导致传播损耗。ASML贡献光刻成像、工艺窗口、计量和计算校正方面的专长，Xanadu贡献器件需求、光子电路设计和量子级性能数据。原文明确指出：该合作并不意味着ASML在制造量子计算机，公告也未指定生产节点、工具平台或数值损耗目标；这是一项研究工作，旨在理解哪些光刻手段可以制造更低损耗的光子结构，近期成果是工艺知识而非成品容错机器。成功还将取决于封装、光纤到芯片耦合、探测器效率和光源质量，这些仅靠光刻无法解决。
据韩媒The Elec 10月20日报道，埃隆·马斯克旗下特斯拉与SpaceX正与韩国半导体、零部件和设备供应商展开洽谈，为Terafab工厂建立供应链。特斯拉与SpaceX于当地时间10月13日-15日在旧金山参加SEMICON West 2026展会，其Terafab走访约10家韩国企业展台，包括ENF Technology、东进世美肯、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和韩美半导体等。某韩企负责人表示，他们似乎在展会开始前就确定了想谈的企业和产品，一开幕就直接前往展台。目前多家韩国企业已与Terafab签署保密协议并洽谈具体供应产品；截至目前，公开与Terafab建立联系的韩国半导体设备供应商仅有HPSP和韩美半导体两家。洽谈仍在进行中，供应合作尚未最终确定。
Neways与Melexis签署了一项多年期合作协议，内容涵盖Melexis Triphibian压力传感器的封装。原文说明该传感器用于电动汽车和AI数据中心的thermal management（热管理）。原文未说明原因。
据THE ELEC 10月20日获取的信息，马斯克的特斯拉与SpaceX正在与韩国半导体材料、零部件及设备供应商洽谈，为其Terafab芯片制造项目构建供应链。多家公司已签署保密协议（NDA）并进入具体产品讨论。10月13日展览开幕当天上午，Terafab代表在旧金山举行的SEMICON West 2026（10月13日至15日）参观了约10家韩国公司的展位，包括ENF Technology、Dongjin Semichem、Asflow、BMT、GnG Intech、Unisem、MiCo和Hanmi Semiconductor；与许多公司的洽谈已进行数月。其中ENF Technology、Asflow和GnG Intech为首次接触；BMT洽谈阀门和流体处理部件；KoMiCo约一个月前与特斯拉和SpaceX签署三方NDA，讨论得州研发中试线的清洗服务；Unisem已签NDA讨论洗涤塔等环保设备；Dongjin Semichem与特斯拉洽谈两三个月，围绕其得州 thinner工厂，磷酸等材料也在讨论中；Hanmi Semiconductor正讨论向Terafab供应TC键合机；HPSP已同意为Terafab研发线供应一台高压氢退火（HPA）系统；ISC已进入样品和研发设计信息交换阶段。海外方面，Fujifilm定期与Terafab采购团队就CMP浆料、光刻胶、蚀刻剂和清洗化学品举行会议；Lam Research和Applied Materials据称已建立专门的Terafab团队。特斯拉和SpaceX不与中国供应商开展业务，业界人士称其寻求甚至低于中国供应商的价格，韩国因此成为优选。Terafab项目于3月由特斯拉、SpaceX和xAI宣布共同推进，目标是在10年内建成月处理100万片晶圆的工厂，初始投资估计为168亿美元，预计创造3000多个岗位；SpaceX本月初与得州签署税收减免协议并已开工建设，业界预期首期月产能10万片晶圆的设施在2030年前建成。上述供应合作多数仍处于洽谈阶段，尚未确认为最终供货。
NAURA已签署一项金额为4.05亿元人民币的收购协议，旨在提升其3D集成能力，并推动其进入混合键合（hybrid bonding）领域。该消息由TrendForce转载报道，原文仅说明协议已签署，未说明收购是否已完成实施或取得监管批准。
Gaonchips于10月19日表示，将参与为韩国航空工业（KAI）运营的下一代无人系统开发人工智能（AI）半导体。该项目为KAI主导的空中无人平台项目，隶属于产业通商资源部（MOTIR）支持的K-On-Device AI半导体技术开发项目，Supergate为首席开发商。项目目标是开发一款作为下一代消耗型无人机“大脑”的AI片上系统（SoC），通过在设备端处理使无人机即使在通信中断或受限的环境下也能运行AI并独立执行任务。Gaonchips将使用三星电子的8纳米代工工艺实现自主研发的神经处理单元（NPU）和雷达信号处理技术，并负责整个芯片的物理设计和最终设计验证；KAI负责无人平台的系统集成与验证，Supergate主导AI芯片架构设计和软件开发。Gaonchips曾开发并量产5nm端侧AI半导体，并参与面向日本客户的2nm GAA工艺及2.5D封装AI加速器设计项目。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
据西门子于2026年10月14日宣布，其与英伟达推进合作，将英伟达cuLitho库与西门子Calibre制造软件集成，旨在使复杂的光掩模优化在全芯片规模上切实可行。据西门子称，该集成可使全芯片光学校近校正（OPC）工作负载速度提升至多12倍；西门子另引用针对选定工作负载至少10倍至17倍的仿真加速。这些测量针对特定计算任务，并不等同于整个芯片制造流程的等效加速，也不保证对每个客户配置都有相同改进。开发动因是工程师设计的图形不会自动精确印到硅片上：在极小尺寸下，衍射等物理效应会扭曲投影图像，而计算光刻可预测这些效应并调整光掩模几何形状。西门子将转向高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）视为一大挑战。西门子还表示，加速可将漫长的周转时间从数周缩短至数天，并可能降低能耗和计算基础设施占用；其意义取决于在扩大有用优化规模的同时保持精度。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
英伟达要求三星、美光和海力士使用台积电3纳米节点制造的基die用于其定制NVHBM，原因是标准化；三星和美光已确认同意该请求，预计2027年量产；海力士已使用台积电12纳米工艺生产HBM4基die；三星亦在验证其2纳米工艺作为备用；三星将继续为不想采用NVHBM的客户生产标准HBM。NVHBM相比标准HBM4E可提供最高30.%更高带宽和15%更低功耗。
西班牙半导体计量初创公司Wooptix正加快努力进入领先半导体代工厂的供应链，其技术起源于天文观测领域。该公司瞄准领先芯片制造商的晶圆计量技术，并期望在3-5年内实现生产采用。原文未说明原因，且该进展仍处于计划阶段，尚未实现量产采用。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |