AMEC通过与SK Keyfoundry、Magnachip的MOCVD设备测试寻求进入韩国功率半导体市场
中国设备供应商AMEC（中微公司）正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试，寻求进入韩国功率半导体市场，目前处于试验阶段，尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额，但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
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中国设备供应商AMEC（中微公司）正通过与SK Keyfoundry和Magnachip进行MOCVD设备测试，寻求进入韩国功率半导体市场，目前处于试验阶段，尚未形成确定的供货合作。AMEC在其国内MOCVD市场占有较大份额，但至今仍无法向三星电子和SK海力士的韩国工厂供货。原文未说明导致其无法供货的具体原因。
DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练中的实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及模型计算任务分配、处理器间数据传输等底层细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。双方合作的下一步是训练环节的全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前相关测试仍在推进。华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，后者将同时用于训练和推理；DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司的最高优先事项之一。软件生态方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，训练中每一个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。市场份额方面，IDC数据显示2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。
据快科技10月20日报道，DeepSeek正与华为展开深度合作，参与影响华为未来人工智能芯片的设计，合作已超出通常的供应商与客户范畴，报道将其与中国两大科技企业加速降低对英伟达芯片依赖相关联。合作形式为华为工程师分阶段进驻DeepSeek办公地点，将大模型训练实际需求纳入芯片设计决策，相关反馈涉及计算任务分配、处理器间数据传输等细节，并将被纳入计划于明年年初推出的芯片设计。下一步为训练环节全面切换：DeepSeek计划最早于今年年底开始使用华为昇腾950DT进行预训练，目前测试仍在推进；一次大规模预训练通常需要数千至上万颗AI芯片组成集群并连续运行数周。供应层面，华为计划将2027年第一季度推出的昇腾960DT的大部分产能分配给DeepSeek，用于训练和推理。DeepSeek创始人梁文锋已向投资者透露，用华为及其他国产芯片训练下一代模型是公司最高优先事项之一。软件方面，DeepSeek已开源面向昇腾平台的TileLang编译工具及配套计算、通信组件，与面向英伟达的组件一一对应，且每个TileLang算子在昇腾上均已完成高性能实现。IDC数据显示，2026年上半年英伟达在中国AI芯片市场份额已降至34%，华为以28%紧随其后，差距缩至6个百分点；华为昇腾910C超节点已部署超过1000套，并设计出最多可搭载100万颗NPU的架构。上述训练切换与产能分配均为计划，测试仍在推进。
SK Materials JNC于10月20日表示，已与SN Display签署谅解备忘录(MOU),以建立钙钛矿纳米晶体材料的量产体系，目标是推动该下一代显示材料从研发阶段提升至适用于商用显示器的水平。合作分工为：SN Display提供其专有的钙钛矿发光材料合成技术，SK Materials JNC负责材料合成、量产和质量控制。SK Materials JNC目前已在开展包括硼基蓝色掺杂剂在内的有机发光二极管(OLED)材料的合成、生产、器件评估和质量控制。SN Display是由首尔大学教授Lee Tae-woo创立的显示材料初创企业，具备钙钛矿纳米晶体大规模合成技术，相关研究成果已发表于Nature和Science,并获CES 2026创新奖。SK Materials JNC首席执行官Ha Jung-hwan表示，结合SN Display的专有钙钛矿技术与公司的合成及量产能力，将加速下一代显示材料的商业化。
据称，三星正与台积电合作，为NVIDIA新发布的NVHBM存储标准获取基底裸片（base die）供应；该报道性质为传闻（reportedly），合作尚未被证实落地。NVIDIA声称，与标准HBM4E相比，NVHBM将控制器集成到3D HBM堆栈中，可提供最高30%的额外内存带宽、降低15%的HBM功耗，并带来最高25%的额外可用计算裸片面积。报道称NVHBM量产前须满足若干严格条件，其中之一是NVIDIA的NVHBM基底裸片必须采用台积电3nm节点制造；尽管三星拥有自己的3nm产线，但据称NVIDIA的IP针对台积电节点优化，迫使三星与台积电合作并成为其客户。该安排仅针对基底裸片；在存储部分，三星将继续使用其第六代10nm工艺（HBM制造的典型工艺），即仅部分生产由台积电负责。
10月19日消息，RISC-V AI计算企业Tenstorrent于美国当地时间今日宣布完成总额达15亿美元（约合100.39亿元人民币）的E轮融资，投后估值达到62亿美元（约合414.95亿元人民币）。该企业由知名芯片设计师Jim Keller领导，此前在2024年底以约27亿美元的投后估值进行了D轮融资。本轮融资由Trace Capital和Innovation X领投，多家新老投资者参与。资金将用于支持Tenstorrent的大规模量产和全球商业扩张。Jim Keller表示其构建了统一架构并以各种规格销售，投资者认同这一模式。
10 月 19 日消息，SK 海力士今日宣布与商业银行共同出资 2 万亿韩元（约合 99.86 亿元人民币），扶持韩国半导体材料、零部件和设备供应商，旨在提升韩国本土半导体产业。参与机构包括 KB 国民银行、新韩银行、友利银行和韩亚银行，以及多家主要半导体材料、零部件及设备供应商；SK 海力士和参与银行将共同提供资金，K-SURE（韩国贸易保险公社）负责提供担保。此外，该项目部分资金将用于建设 Trinity Fab，以支持与半导体大规模量产相关的技术研发，该项目投资额为 8,700 亿韩元（约合 43.44 亿元人民币），目标是增强韩国本土材料、零部件及设备供应商的技术自主能力，并加快相关技术和产品的国产化进程。
10月19日，北京铭芯启睿科技有限公司宣布完成超4亿元A轮融资，由博原资本领投，博世创投、米哈游、兆易创新等跟投，小米战投等老股东持续加注；相关报道未披露本轮估值及股权稀释比例。本轮资金将用于RRAM（阻变存储器）产业化、商业化及新产品LPU（语言处理单元）研发。同日披露前Graphcore总裁兼大中华区总经理卢涛加入公司，出任CEO兼联合创始人，并启动第一代LPU研发，面向大模型推理场景；卢涛表示第一代LPU不采用RRAM，将使用更成熟的存储介质，目标为支持数万亿参数完整模型、实现每用户每秒1000 Token，该指标为研发目标，尚无实测性能支撑；LPU目前处于研发阶段，未披露流片、验证或交付时间表。此前10月14日，公司发布首代1Gb RRAM芯片泰山一号流片信息，基于1TnR技术路线（1T4R结构，一个选择晶体管对应四个阻变存储单元），搭配28纳米CMOS工艺，披露存储密度30Mb/mm²、访问延时小于20纳秒，并集成片上硬件纠错电路；泰山一号已完成流片、正在推进验证，尚未披露量产进展。公司三条产品线中的嵌入式RRAM IP已进入客户场景并计划扩大规模，但未披露客户名称、订单金额或出货量；混合存算产品未披露具体芯片型号、流片进度或商业化节点。
日本三菱重工(MHI)与西班牙公司Ingeteam宣布签署谅解备忘录(MOU),结成战略合作伙伴关系,面向美国数据中心分销、集成并联合开发先进能源基础设施解决方案。该联盟将MHI在集成电力、冷却和能源管理方面的专长,与Ingeteam在旋转电机、电力电子、控制与自动化及数字技术方面的专长相结合,帮助数据中心运营商应对下一代AI工作负载带来的电能质量和电网接入挑战。双方计划通过MHI集团扩大Ingeteam电力转换解决方案及相关软件在美国数据中心市场的供应,并探索将部分技术集成到MHI集团为客户开发的先进能源基础设施架构中。该合作目前为签署MOU层面的规划,联合开发与市场拓展尚属意向性安排。
Clunix与NeoAI Cloud签署谅解备忘录，计划在浦合AI数据中心构建AI与HPC一体化运行环境，Clunix将把其AI与HPC管理技术集成到NeoAI Cloud正在建设的下一代GPU基础设施中，并使用其AI编排平台NovaTier建立裸金属GPU集群供给、AI与HPC一体化工作负载调度以及NVL72等机架级系统的运行环境。该数据中心为全液冷AI专用设施，项目总成本6000亿韩元，一期目标容量40兆瓦，可容纳约10000颗Nvidia下一代Vera Rubin GPU，机架功率密度超过150千瓦，完工时间定于2027年11月；NHN Cloud已预租一半可用容量即16兆瓦并将联合运营。双方还将利用Clunix在制造业和研究领域的HPC客户基础，吸引浦合钢铁、材料、二次电池产业及本地研究机构的计算需求。
据Seoul Economic Daily报道（ZDNet曾在9月报道三星为定制HBM采取双轨策略，同时利用自家代工和竞争对手台积电），NVIDIA已要求三星、SK hynix和美光在其于8月发布的NVHBM基底层中采用台积电3nm工艺。据称三星设备解决方案（DS）部门经内部评估后同意了这一要求。报道给出的原因是：NVIDIA推动供应商间生产标准化以确保HBM性能一致并简化产品验证；此外行业估计台积电3nm良率超过90%，而三星代工2nm（SF2）工艺良率约为60%。NVHBM的定制基底层集成了传统上由GPU承载的内存控制器；据NVIDIA称，相比标准HBM4E，该技术提供最多30%的更高内存带宽、15%的更低HBM功耗和25%的更多XPU计算裸片面积。该合作并非全新：据Seoul Economic Daily，三星和台积电四年前首次合作以确保HBM与台积电GPU封装工艺兼容，此次是首次延伸至HBM制造。三星仍保留自有代工选项：由于台积电3nm产能面临AI加速器和智能手机芯片的竞争需求，三星正在2nm工艺上验证NVHBM基底层生产，作为台积电产能受限时的潜在替代方案。台积电在10月15日的财报电话会议上提示3nm产能紧张，该节点占第三季度晶圆销售额的33%，为其所有工艺节点中最大份额；据Economic Daily News，董事长兼CEO魏哲家宣布在台南再建一座3nm晶圆厂的计划（叠加亚利桑那、日本熊本和台湾南部科学园区的现有扩建项目），新厂定于2028年上半年开始量产。三星还继续为标准HBM产品线自制基底层：今年早些时候进入量产的HBM4和正在进行生产验证的HBM4E均使用三星代工4nm工艺制造基底层，其核心裸片在其华城和平泽园区的1c DRAM产线上制造；三星计划对供应其他客户（包括AMD）的定制HBM保持基底层turnkey生产方式。
RAONTECH于10月16日表示，已于10月15日与SN Display签署谅解备忘录（MOU），共同开发面向增强现实（AR）和虚拟现实（VR）应用的下一代微显示技术。双方将研究将钙钛矿色转换技术整合到微型LED和微型OLED显示器中的可行性，以实现超细像素和全彩成像。RAONTECH专注于微显示器和驱动技术，SN Display则具备钙钛矿纳米晶体和色转换技术专长。文中提到，AR用microLED显示器面临在单面板上集成红绿蓝（RGB）像素的挑战，量子点色转换虽可在单面板实现全彩成像，但在生产小于4微米（µm）像素方面存在局限，且转换效率低会降低亮度；SN Display的钙钛矿技术可在厚度低于0.5µm时实现高色转换效率，并支持使用半导体工艺进行精细图案化。两家公司将评估该技术能否作为小于4µm的microLED像素的色转换材料，并将视研究结果考虑扩大合作，共同开发原型和AR/VR显示解决方案。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
据TrendForce转发的报道，市场传闻三星可能终结UMC在三星Galaxy OLED显示驱动芯片（DDI）上的独家供应地位：在成熟节点产能趋紧的背景下，三星据报正在考虑将GlobalFoundries作为第二家DDI供应商，采用时间最早可能在2027年底。原文未说明原因。该消息目前仅为传闻/报道，尚无确认的合同或量产事实。
媒体从知情人士处获悉，德国联邦政府计划与美国芯片厂商英伟达开展大规模合作，目标是奠定实体人工智能（可用于机器人、自动驾驶车辆训练）落地基础，并训练具备国际竞争力的高性能工业大模型。德国联邦政府准备投入数亿欧元推进该项目，资金将用于采购算力、训练全新AI模型，英伟达方面显然也将提供配套支持，包括派驻工程师。约12家德国企业计划参与该项目，包括西门子、奥迪以及AI企业黑森林实验室（Black Forest Labs）。联邦政府计划于下周在“投资德国”投资峰会上正式公布这项合作；英伟达CEO黄仁勋预计周一抵达柏林，总理默茨与英伟达总裁将于周一晚间在柏林发电厂活动现场的招待会上会面，闭门会谈后还将与梅赛德斯集团首席执行官奥拉·凯勒纽斯举行三方会晤。该协议将依托尚处于起步阶段的Soofi项目展开，Soofi是“Sovereign Open Source Foundation Models（主权开源基础模型）”联盟的缩写，该联盟于2025年9月由科研机构、高校与AI企业共同发起，目标是开发并训练新一代高性能人工智能基础模型。此项合作目前仅为计划，尚未正式公布。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
据彭博社报道（IT之家10月15日消息），字节跳动正与联发科深入洽谈定制芯片供货事宜，芯片将用于支撑字节跳动数据中心运行；联发科将提供数量待定的专用集成电路（ASIC）。如果交易落地，字节跳动或将成为联发科 ASIC 业务继谷歌（Alphabet）之后的第二大客户，交易尚未落地。原文说明的原因是：字节跳动无法采购英伟达等厂商最顶尖的 AI 芯片，华为等本土芯片厂商也难以完全满足其全部算力需求，因此寻求替代方案，包括和芯片设计公司合作；在当前美国出口管制规则下，只要中国企业采购的 AI 算力不超过特定阈值，这类合作模式是允许的。字节跳动今年早些时候曾与高通达成类似协议，采购数百万颗 AI 芯片。对联发科而言，该合同有助于其摆脱对手机业务的依赖，在数据中心赛道与高通、博通竞争。联发科预计今年 AI 芯片营收约 20 亿美元（约合 134.13 亿元人民币），目标明年在 800 亿美元（约合 5,365.2 亿元人民币）数据中心芯片市场拿下 15% 份额；英伟达 9 月宣布向联发科投资 35 亿美元（约合 234.73 亿元人民币）。字节跳动考虑将今年资本开支最高提升至 700 亿美元（约合 4,694.55 亿元人民币），为去年总额两倍以上，若经济与经营环境向好，2027 年资本开支或进一步达 1,000 亿美元（约合 6,706.49 亿元人民币）；其 9 月获得一笔 300 亿美元（约合 2,011.95 亿元人民币）贷款为相关投入提供资金。