英飞凌与Wolfspeed达成200mm SiC晶圆供应协议
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
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英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
Gaonchips于10月15日宣布加入Arm Total Design for Physical AI，成为首家参与该倡议的韩国设计解决方案提供商，作为技术合作伙伴支持Arm-based半导体在物理AI应用中的实施，并将通过硅到系统的合作提供从芯片设计到系统实施的全过程支持。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
根据标题，本文为分析文章，讨论TSMC-GF交易将成熟制程引入AI封装及其对中国的影响。正文指出，随着全球晶圆产能快速扩张，TSMC和GlobalFoundries (GF)正在强调一个服务于先进应用、快速增长的成熟制程市场。具体而言，先进封装中对硅中介层、硅通孔(TSV)和嵌入式深沟槽电容器(eDTC)的需求，正在为成熟制程产能创造一个可观的蓝海市场。正文未说明交易的具体条款、状态或进展细节。
据韩国ZDNet援引业内人士，三星电子正考虑为OLED版Galaxy手机的显示驱动芯片（DDI）增加第二家代工供应商，以降低对台湾联电（UMC）的依赖，并可能从2027年底起在部分中低端Galaxy A系列手机中采用格芯（GF）生产的DDI。目前相关芯片由三星系统LSI部门设计、全部交由UMC以22纳米制程代工；三星据称正评估让GF使用22纳米或28纳米制程代工，候选产能涉及新加坡和德国工厂，但具体设计导入、验证及量产安排尚未公布，三星和GF也未正式确认合作，2027年底的时间点仅为业内预计。报道称此调整与存储器需求旺盛带动成熟制程产能吃紧有关：三星7月推出Galaxy Z Fold8后市场需求高于预期，曾要求UMC加急生产，但UMC的22纳米产线已接近满载，三星因此将原定9月Fold8零部件生产计划中的约10%顺延至10月，并据称动用了原本留给下一代产品开发的部分DDI库存。此次调整针对OLED Galaxy手机DDI的晶圆制造，并不意味着三星将把自家芯片设计业务或全部手机处理器转交给GF。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
10月15日消息，据中国台湾地区媒体《太报》报道，台积电董事长暨总裁魏哲家今日透露，马斯克将于美国得州启动Terafab超级晶圆厂计划，并希望与台积电合作。魏哲家表示已从亚利桑那派出团队去得州评估，也与客户进行初步沟通；相关细节和原则都在讨论中。他强调，若两家公司启动合作，厂房必须由台积电运营。该合作目前处于评估和讨论阶段，尚未确认落地。背景信息：据IT之家此前报道，马斯克最近公布其对Terafab芯片工厂的愿景，表示特斯拉和SpaceX计划每年在Terafab位于美国得克萨斯州的Giga Texas研究设施制造和测试约10款芯片，以加快开发进程。
GlobalFoundries 已与 TSMC 达成多年制造协议，以扩大其位于纽约 Malta 工厂的硅间隔器产能，供应 TSMC 的 Chip-on-Wafer-on-Substrate (CoWoS) 先进封装生态系统。该协议预计价值为 20 亿美元，为期五年。
IBM与西门子宣布开展联合研究，推进IBM今年公布的NanoStack晶体管架构，重点开发新一代芯片设计、仿真与制造所需的工具和工艺；IBM负责半导体器件技术，西门子贡献电子设计自动化、工艺模拟、光刻优化及先进制造软件能力。NanoStack把传统并排排布的晶体管改为垂直堆叠并让不同层错位排列，IBM称其为业界已知首种基于纳米片的三维晶体管设计。IBM今年6月公布其7埃米级（0.7纳米）技术研究成果，称在指甲大小的芯片上可集成近1000亿个晶体管，密度约为其2纳米芯片的两倍；据IBM论文估算，与其2纳米节点相比最高可带来约50%的性能提升，或在性能相当时降低约70%的能耗；另有研究显示NanoStack架构可使SRAM面积缩小约40%——这些均属IBM对研究技术的测算和预测，不是已量产产品的实测表现。IBM表示已通过超薄介电键合、双沟道工程及可正常切换的CMOS反相器等实验验证NanoStack具备实际制造和运算可行性，但量产仍需解决晶圆键合与对准、层间散热、微细布线、背面供电及三维检测等问题；IBM曾称最早可能在未来五年内推进至生产阶段。此次合作公告未公布具体开发时间表、投资金额或商业量产客户，重点在于建立工具链而非宣布新芯片投产。
快科技10月9日消息，据财联社报道：上周末，马斯克透露正在讨论让台积电参与Terafab项目，有爆料称台积电可能将合资运营Terafab在美国得克萨斯州的工厂；但马斯克周三表示，SpaceX与特斯拉不会与台积电合作建设和运营晶圆厂，Terafab仍致力于自行建设和运营晶圆厂，他只是提议台积电租赁Terafab的部分设施并生产芯片，此为提议而非已达成合作的计划。同在周三，英特尔CEO陈立武重申英特尔将继续参与Terafab项目。今年4月，由英特尔与SpaceX和特斯拉共同成立的合资企业Terafab宣布将采用英特尔的下一代14A制程工艺生产芯片；目前三方合作细节尚不清楚，但市场普遍认为英特尔将向Terafab授权其制造技术。报道指出，台积电自有生产设施并计划未来几年新建约10个晶圆厂，几乎不需要转租第三方产能；且若Terafab按英特尔14A工艺完成设备与认证，未来5年内台积电若改造部分设施采用其A14、A13或A12工艺，则需要不同的工艺流程、设备配置、材料、自动化、认证和污染控制；此外台积电在厂内租用产线也可能触及英特尔的敏感红线。马斯克的态度可能暗示Terafab正在待价而沽，与台积电或英特尔的合作均可能出现新变数。原文未说明马斯克提出该提议的具体原因。
Nexstrom 筹集 1200 万美元用于扩大 12 英寸单晶 2D 平台。该资金将加速先进半导体制造用材料生长的产能扩张。这对 2D 材料供应链是一个关注信号。
昌红科技9月以来持续获得半导体晶圆载具新客户订单，涵盖FOUP、FOSB及光罩载具等产品。公司正推进相关产品的验证与市场拓展。
预示晶圆载具需求回暖及公司产能利用率提升潜力。
OpenAI计划让三星代工其下一代AI芯片，与台积电形成双供应商模式。现有Jalapeño芯片已在台积电量产，下一代芯片研发接近流片。
表明AI算力需求巨大，利好三星代工产能利用率及台积电长期订单。
SK海力士否认Solidigm拟募资3.6亿美元，但韩媒称估值或达360亿美元。高盛牵线阿布扎比主权基金拟参与IPO。
M&A与扩产动态。
Nexperia与Aurobay探索电动汽车动力总成用先进功率半导体合作。Aurobay是吉利与雷诺的合资企业，专注电动化动力总成。
Nexperia汽车功率半导体需求及产能布局。
ASMPT于7月下旬获得超过50台芯片到基板热压键合（TCB）工具的批量订单，主要用于先进AI计算芯片封装。该订单确认了ASMPT在C2S TCB应用领域的主要供应商地位。
表明AI投资推动下先进封装设备需求强劲。
AMD与Cerebras宣布合作，将Instinct GPU与Cerebras的SRAM加速器结合，打造低延迟推理平台。该组合预计可将每瓦特生成的Token数提升5倍，直接对标Nvidia的Groq LPUs。
AMD及Cerebras的AI芯片需求，对Nvidia构成竞争压力。
英特尔与Fortinet达成合作，将代工其第六代安全处理器SP6，这是英特尔4工艺的首个外部代工客户。此前英特尔曾计划将英特尔3作为首个对外代工节点，此次合作证实了IFS在先进制程上的客户拓展进展。
提升英特尔代工产能利用率预期。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |