英飞凌与Wolfspeed的长期供应协议扩大并延长至8英寸碳化硅晶圆
英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
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英飞凌根据一项扩大并延长的长期供应协议，从Wolfspeed获得8英寸碳化硅(SiC)晶圆供应。该协议使这家德国芯片制造商为其SiC晶圆厂转换所需的更大尺寸衬底获得了另一个供应来源；对这家美国材料供应商而言，该协议意味着一家顶级客户在其财务重组约一年后作出的采购承诺。
RAONTECH于10月16日表示，已于10月15日与SN Display签署谅解备忘录（MOU），共同开发面向增强现实（AR）和虚拟现实（VR）应用的下一代微显示技术。双方将研究将钙钛矿色转换技术整合到微型LED和微型OLED显示器中的可行性，以实现超细像素和全彩成像。RAONTECH专注于微显示器和驱动技术，SN Display则具备钙钛矿纳米晶体和色转换技术专长。文中提到，AR用microLED显示器面临在单面板上集成红绿蓝（RGB）像素的挑战，量子点色转换虽可在单面板实现全彩成像，但在生产小于4微米（µm）像素方面存在局限，且转换效率低会降低亮度；SN Display的钙钛矿技术可在厚度低于0.5µm时实现高色转换效率，并支持使用半导体工艺进行精细图案化。两家公司将评估该技术能否作为小于4µm的microLED像素的色转换材料，并将视研究结果考虑扩大合作，共同开发原型和AR/VR显示解决方案。
首程控股宣布投资沛塬电子与元环智能：前者聚焦高密度算力场景下的供电基础设施，专注高功率密度集成电源模组，构建覆盖HVDC、IBC、VRM/VPD及高性能DC/DC的端到端产品体系，并已建成2000平方米研发办公及研发实验中试线；后者专注AI for AI递归自我改进系统研发。文中背景称，北美四大云厂商2026年合计资本开支指引达7100亿-7500亿美元，同比增长超过70%，国内头部四家云厂商AI相关资本开支合计超过4300亿元；2026年一季度国内AI算力需求同比上涨417%，而供给增速仅为128%。文中还提到，AIDC建设成本中供配电系统占比达55.6%，运营成本中电费占比达56.7%，智算中心单机架功率可达传统IDC的3至5倍。此外，首程控股在泛机器人产业链累计投资超过20亿元，覆盖宇树科技、银河通用、星海图、加速进化等20余家企业，投资组合估值增长约4倍；2026年7月战略投资烁光精密切入AI算力光互连上游环节，6月旗下基金投资智子芯元。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
英飞凌科技与Wolfspeed签署一项多年期协议，以确保200mm碳化硅(SiC)晶圆的供应，支持其向更大直径制造的转变。该协议建立在两家公司20年合作关系的基础上，并将双方现有的晶圆供应安排从150mm衬底转向200mm衬底。
洛克希德·马丁臭鼬工厂与荷兰国家航空航天中心（NLR）宣布将战略合作伙伴关系扩大为高影响力合作，旨在将先进技术从研究实验室转化为支持荷兰皇家空军任务准备度的作战解决方案。下一阶段合作旨在聚焦与荷兰工业基础的连接、军事作战分析协调、技术路线图对接以及无人机系统（UAS）方面的合作。NLR首席执行官Tineke van der Veen提及《2026年荷兰国防白皮书》，表示北约是荷兰国防的基石，美国是最重要的盟友；Skunk Works副总裁兼总经理Ron Fehlen表示通过扩大该MOU将继续与NLR合作，并称已成熟推进包括热塑性塑料在内的具体项目。
Wolfspeed Inc（美国北卡罗来纳州达勒姆）与英飞凌科技（德国慕尼黑）签署了一项新的多年期协议，将两家公司之间现有的长期碳化硅（SiC）衬底供应安排从150mm直径晶圆过渡到200mm直径晶圆，并扩大和延长了该长期供应协议。原文未说明原因。
Infineon 和 Wolfspeed 签署了一份多年供应协议，以 200mm SiC 晶圆取代 150mm 晶圆。
Altair Semiconductor宣布正在将Iridium NTN Direct能力集成到其ALT1350及下一代ALT1550物联网芯片组中。通过在单一芯片组上结合地面蜂窝物联网与Iridium卫星连接，设备制造商、模块厂商和移动网络运营商可通过Iridium卫星网络扩展物联网连接，无需在设计中外加独立卫星调制解调器。该合作将Altair的蜂窝物联网芯片组技术与Iridium基于3GPP标准的非地面网络(NTN)服务相结合。ALT1350为超低功耗LTE-M/NB-IoT芯片组，适用于资产追踪、物流、智能计量、农业、车载远程信息处理、工业监控和远程基础设施；ALT1550为5G eRedCap芯片组，面向智能眼镜、AI助手及可穿戴设备等新一代AI驱动的5G eRedCap设备。Iridium NTN Direct利用Iridium完全运行的LEO卫星星座和全球协调的L波段频谱，支持采用兼容3GPP标准芯片组的NB-IoT和直连设备(D2D)应用。原文未说明该集成完成的具体时间，此为合作/集成计划公告。
Infineon与Wolfspeed扩大合同，加强8英寸SiC采购。原文未说明原因，正文亦未提供具体时间、数量、金额或其他细节。
据韩国媒体ZDNet 10月15日报道（IT之家10月16日消息），因Galaxy Z Fold8市场需求超出预期，三星此前要求独家代工方联电追加生产DDI，但联电的22纳米DDI产线已满负荷运转，无法承接紧急订单，导致三星削减Z Fold8部分零部件的9月生产计划并顺延至10月，拖累出货节奏与营收表现。为降低对单一供应商的依赖并避免再度出现生产瓶颈，三星正考虑为Galaxy手机OLED DDI引入第二家代工厂，格芯成为主要评估对象，消息称三星正在考察格芯位于新加坡和德国的22纳米、28纳米生产设施。若合作落地，格芯代工的DDI芯片最快可能在2027年底进入Galaxy供应链，并率先用于搭载OLED屏幕的中低端Galaxy A系列机型。三星尚未正式公布相关供应安排，格芯能否获得订单仍取决于产能、良率、成本及认证测试等因素。
Infineon与Wolfspeed签署了一项多年期协议，由Wolfspeed供应200mm碳化硅(SiC)晶圆，该协议将两家公司现有的供应关系从150mm衬底转向200mm衬底。据Infineon新闻稿，该协议支持Infineon从150mm到200mm SiC制造的转换。Infineon为其全球制造网络（包括位于马来西亚居林的200mm SiC晶圆厂）从多家供应商采购SiC衬底，公司表示这一多源战略旨在确保供应的灵活性和质量。Infineon首席运营官Alexander Gorski表示，该协议进一步扩大了公司用于200mm大批量制造的供应基础，并建立在两家公司20年的供应关系之上。转向更大晶圆主要是成本问题：200mm晶圆比150mm晶圆提供更多可用裸片面积，从而降低单位衬底成本并提高整体制造效率。SiC功率半导体的需求主要来自电动汽车驱动系统、太阳能逆变器和工业电机驱动，Infineon还指出AI数据中心是新兴需求驱动力。两家公司均未披露协议金额或涉及的数量。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
超级电容器制造商Skeleton Technologies完成了一轮由Siemens牵头的新投资，公司估值超过10亿美元。据Skeleton新闻稿，本轮融资为“九位数”金额，即至少1亿美元，但具体金额未披露。资金将主要用于在美国建设制造能力，包括自有的电芯生产，面向AI数据中心的电源系统。公司计划在硅谷投资超过2亿美元以扩大运营和研发，并与超大规模云厂商直接合作；美国扩建包括本土电芯制造计划，使Skeleton拥有从电芯到完整系统的美国全价值链。公司称其基于Curved Graphene材料的超级电容器电芯结合电力电子与控制系统，可平抑GPU集群毫秒级功率切换带来的负载波动，据称可实现最高40%的节能并带来两位数的GPU性能提升。Siemens曾于2023年支持Skeleton的扩建，Siemens Digital Industries设计并自动化了Skeleton位于德国莱比锡的SuperFactory；双方将共同为AI数据中心开发和商业化产品。Skeleton尚未披露融资规模、Siemens所持股份比例，以及美国电芯生产将在何地何时启动。
IBM(纽约证券交易所代码:IBM)与西门子今日宣布开展新研究合作,旨在推进IBM今年早些时候发布的纳米堆叠(nanostack)晶体管架构。该合作将结合IBM在半导体器件创新方面的领先地位与西门子在电子设计自动化(EDA)、工艺仿真、光刻优化和先进制造软件方面的专业知识,以加速nanostack的开发。据原文,nanostack是业界已知首个三维纳米片(nanosheet)设计,通过垂直堆叠和交错排列晶体管在芯片上容纳更多晶体管,在当前7埃(angstrom)节点上于指甲大小的空间内实现近1000亿个晶体管;该设计还可在每个堆叠层内使用不同材料组合,独立优化每个晶体管的性能和能效,为能效、性能和SRAM缩放带来提升。此为合作研究宣布,属计划阶段,原文未说明原因。
10月14日，iQOO Neo12 首发搭载由 iQOO、维信诺、清华大学共同研发的第四代 OLED 发光技术——“天空之镜” pTSF 发光材料。相比上代，发光效率提升 8%，全局峰值亮度提升 10%，屏幕功耗降低 6.5%，最核心的屏幕使用寿命提升 50%；视角色偏改善，30° 色偏减少 18%，75° 色偏降低 40%。事件为已观察到的产品确认，来源未说明原因。
应用材料联合台积电、英特尔等五大厂商在加州建立耗资50亿美元的EPIC研发中心。该中心整合材料、设备与工艺研发，旨在加速先进半导体技术商业化，特别是AI领域。
长期利好半导体设备与材料需求，但短期对现货价格无直接影响。
英飞凌与伊顿合作开发AI数据中心800VDC SiC功率模块。此举旨在满足AI基础设施对高功率密度的需求。
SiC功率模块供应链。
Navitas半导体完成对Claros的收购，旨在拓展AI基础设施电源组合。Claros专注于为下一代AI数据中心开发集成电压调节器（IVR）技术。
此次并购将强化Navitas在AI电源管理领域的布局，可能影响未来功率器件供应格局。
希腊METLEN与日本化工巨头签署16%镓长期供应协议。该协议锁定其希腊在建工厂未来16%的年产量，旨在保障供应安全。
镓作为半导体关键材料，长期供应协议虽锁定需求，但产能尚未落地，短期价格影响中性。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |