英伟达定制HBM计划促成罕见合作 三星与台积电联手开发3纳米基底芯片
英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
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英伟达推动NVHBM标准化计划，要求三星、台积电、美光和SK海力士统一采用台积电3纳米工艺生产基底芯片，核心存储芯片采用第六代DRAM工艺。三星首次接受放弃HBM完全自主的“交钥匙”模式。NVHBM预计带宽增加30%，功耗降低15%。三星代工亏损从2025年6.74万亿韩元降至2026年3.92万亿韩元，降幅41%。
onsemi与Sungrow宣布将onsemi的EliteSiC混合功率模块技术集成到Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，用于电网级储能系统的高功率DC-AC转换。据onsemi称，与上一代平台相比，新架构将逆变器级效率提升0.4个百分点，支持额定功率最高450 kW的功率转换单元，峰值效率超过99.3%。onsemi的分析显示，在100 MW电池储能装置中，0.4%的效率提升每年可节省超过475 MWh电量（与上一代模块相比）。该SiC混合技术结合碳化硅与硅功率器件，采用三级逆变器架构，提供更高功率密度和更好热性能。双方曾在平台开发、系统优化、工程验证和资格认证方面合作，此次采用建立在两家公司既有的战略关系之上。
Navitas Semiconductor宣布与NVIDIA合作开发一款24 kW、800 VDC转12 VDC的电源传输板(PDB),面向下一代AI数据中心基础设施，基于Navitas的GaNFast技术，支持NVIDIA MGX生态系统，可将电源直接传送给高性能计算处理器(xPU)。该方案计划在2026年OCP全球峰会的NVIDIA AI Factory MGX Wall合作伙伴展示区展出。此板为Navitas此前与NVIDIA合作发布的20 kW、800 V转6 V电源板的后续产品，两者均支持高压直流配电过渡及GaN和SiC技术在AI基础设施中的应用。新板设计目标为最高24 kW输出、满载效率97%、功率密度超过2,000 W/in³,采用NVIDIA 400 mm × 60 mm外形规格，可集成在计算主板靠近xPU处；采用单级转换架构，直接将800 VDC转换为12 VDC,省去常规50 V转12 V中间总线转换器(IBC)级，减少转换步骤、功率损耗和元件数量；12 V输出向VRM供电。初级侧功率级使用16颗NV6034 GaNFast FET(650 V耐压、18 mΩ导通电阻)，采用堆叠半桥拓扑和8 mm × 8 mm双冷却DFN封装。
Siemens宣布与高功率储能系统专业厂商Skeleton Technologies达成战略投资及独家全球合作协议，计划将Skeleton的超容（supercapacitor）技术整合进其电气基础设施产品中，以帮助运营商应对AI工作负载日益严苛的功率需求；Siemens借此扩展其AI数据中心基础设施产品组合。原文仅披露协议安排，未说明投资金额、时间表或该合作已实际实施。
Onsemi表示，其最新的EliteSiC混合功率模块现已被用于Sungrow的PowerTitan 3.0储能平台，此举旨在提升公用事业级电池系统的效率、功率密度和可靠性。文章指出，该合作凸显了在AI、电气化和可再生能源推动电力需求上升的背景下，转换效率的小幅提升正变得愈发重要。原文未说明除上述目标之外的其他原因。
据2026年10月13日报道，Jabil与Adani Enterprises已签署一份不具约束力的谅解备忘录（MoU），计划在印度成立一家各占50%股权的合资企业，制造AI机架、服务器和数据中心设备，目标制造能力为数千兆瓦（several gigawatts）。该拟议合资企业将制造和组装AI机架、服务器、存储与网络设备，以及供电和散热系统（包括电源分配单元、液冷系统和变压器），并提供安装与调试服务；其机架制造产能预计可支持总功率达数千兆瓦的计算系统。合资企业仍取决于最终协议的签署及必要的审批。此举延续了双方于6月宣布的、在印度建设AI与数据中心基础设施制造的战略联盟。合资企业旨在服务印度市场并支持出口；文中提到印度数据中心容量预计到2030年达5–8吉瓦，两家公司估计未来七年全球AI计算基础设施市场机会超过3万亿美元。对Adani而言，该项目契合其到2035年投资1000亿美元建设5吉瓦可再生能源供电的AI就绪数据中心的计划；对Jabil而言（其2026财年营收为360亿美元），该合资企业将扩大其在印度数据中心市场的布局，公司近期还通过收购Hanley Energy Group（电力与能源管理）和Mikros Technologies（液冷）强化了数据中心业务。
Astute Group与Samwha Capacitor Group签署特许经销协议，将Samwha的电容器、储能元件、铁氧体产品、电感和变压器技术纳入Astute的产品组合，为Astute客户提供获得Samwha元件的授权渠道，覆盖电子、工业、汽车和能源应用。Samwha Capacitor Group由五家关联公司组成，在全球拥有11家工厂和17个销售办事处。其产品组合包括多层陶瓷电容器（MLCC，含标准、软端子、开放模式和浮动模式产品）、圆片陶瓷电容器（含温度补偿、高压、交流电压和超高压类型）、压敏电阻、电力电容器和电容器组、DC-Link电容器和缓冲电容器、双层电容器（EDLC，支持储能和备份应用）、导电聚合物混合电容器（低ESR和高纹波电流能力）以及铝电解电容器；其中特定低压电力电容器范围覆盖0.2至50kvar电容、220至1,000 V额定电压。Astute客户还可通过集团组合获得Samwha的变压器、电感产品和EMI元件。原文未说明原因之外的价格或供应影响；双方将在electronica展会C5:421展位进行介绍。
希捷与东芝竞购TDK硬盘磁头业务，交易额达数十亿美元。TDK是全球唯一独立硬盘磁头供应商，东芝完全依赖其供应。若并购成功将重塑行业竞争格局，东芝供应风险剧增。
智能内存与Sourceability达成分销合作，将DRAM、NAND及模组纳入其产品线。此次合作旨在帮助工业及嵌入式客户应对DDR3/DDR4停产及供应波动风险。
分销渠道的供应稳定性改善，但短期现货价格波动性可能仍存。
英飞凌将NOR Flash业务出售并在硅谷独立运营。此举表明公司正在调整产品组合以聚焦核心业务。
重大并购影响供应链格局。
Solidigm拟募资150亿美元，目标估值高达1500亿美元。受AI基础设施对高容量存储需求驱动，且计划在美国建设NAND工厂。
AI存储板块估值重估及未来产能扩张计划。
Solidigm计划2027年赴美上市估值高达1500亿美元，并考虑在美建设NAND工厂以利用AI数据中心需求。
此举反映市场对AI存储的信心，未来产能扩张可能增加NAND供应，但当前现货价格影响中性。
欧康诺与海光信息联合开发国产化内存存储芯片测试平台，预计年底发布。该项目以海光CPU为核心，结合存储厂商底层技术与欧康诺自研整机，旨在解决国产化测试瓶颈。
该合作有助于提升国产存储芯片测试能力，加速国产替代进程。
Eelpower Energy收购了位于英格兰的50MW/200MWh Silkstead电池储能项目。这是该公司自2025年9月以来的第五次收购，旨在未来几年内运营超过1GW的电网级储能资产。
该交易预示着电网级储能基础设施对功率半导体（如IGBT、BMS控制器）的长期需求增长。
Winbond将以11.2亿美元收购英飞凌NOR Flash业务，市占率将超30%。此举恰逢NOR Flash价格暴涨100-120%的供需紧缩周期。
并购强化头部份额，价格维持高位。
华邦电子拟以 11.2 亿美元收购英飞凌 NOR 闪存与 F-RAM 业务，Spansion 品牌将回归。Spansion 曾是 AMD 与富士通的合资企业，后被 Cypress 收购，最终并入英飞凌。
此次并购重塑了 NOR 闪存供应格局，但交割需待 2027 年下半年。
InoBat与PETL签署协议，2026年PETL向InoBat供货，2027年可获BESSMONT供货。双方结合InoBat的875MWh合同产能与PETL的BMS技术，聚焦欧洲及AI数据中心市场。
欧洲BESS供应链稳定性，但产能扩张可能压制短期价格涨幅。
Intel 与 SK hynix 正商讨在美国启动 DRAM 产线，或通过合资或租赁 Intel 俄亥俄州工厂实现。此举旨在缓解因 AI 需求激增导致的供应链紧张。
产能扩张计划将导致 DRAM 价格下行压力。
SK海力士正与英特尔洽谈租用俄亥俄州工厂或成立合资企业，计划在美国生产HBM及DRAM。此举旨在应对美国关税威胁及英特尔项目延期，但面临韩国政府技术审查及本土产业布局的阻力。
潜在合作将重塑美国存储供应链，但最终落地存在不确定性。
Kioxia CEO Hiroo Ota否认与海力士就NAND生产进行合资谈判，并指出反垄断及与SanDisk的合作问题。尽管海力士有意入股并寻找日本建厂地，但Kioxia计划在未来五年内与SanDisk投资330亿美元扩大产能。
确认日企扩产计划将增加NAND Flash供应，加剧市场供需失衡风险。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |