ASM技术副总裁Glen Wilk在SEMICON West 2026期间于旧金山Moscone Center举行的CEO Summit面板会议上(当地时间10月14日)表示，传统微缩实际上已走到其使用寿命的尽头，材料将不再仅仅支持微缩，而是将驱动半导体创新。他解释，仅靠工艺微型化已无法满足人工智能对计算性能和能效的要求，并以晶体管栅极为例：作为栅介质使用超过50年的二氧化硅被氧化铪等高k材料取代，以降低栅极漏电流并改善晶体管性能；他还强调热管理领域需要材料创新。ASM的主要收入来源是ALD和外延设备；钼等新型互连金属也可用ALD沉积，GAA晶体管所需的硅和硅锗薄膜则用外延设备生长，因此新材料的引入对ASM构成收入增长机会。会议发言未涉及具体价格、产量或订单数据，原文未说明原因之外的额外背景。
据市场研究机构Sigmaintell于10月15日发布的数据，三星显示为各大笔电品牌供应超过70%的OLED面板。随着OLED在笔电市场的普及，供应日趋集中：联想目前主要依赖三星显示，同时从京东方和 EverDisplay (EDO) 采购部分面板；惠普也高度依赖三星显示，并在部分机型使用EDO面板；华硕从三星显示、京东方和EDO采购；宏碁约75%的OLED面板来自三星显示；戴尔XPS系列的面板来自LG Display，其他产品则主要依赖三星显示。出货量方面，笔电OLED面板出货量从去年第一季度的210万片增至今年第二季度的430万片，预计第三季度将达到490万片；今年下半年OLED占整体笔电面板市场的份额预计超过10%；联想、惠普和华硕今年各自预计将有超过10%的笔电配备OLED面板。Sigmaintell表示，由于对单一供应商依赖加深会削弱议价能力并增加协调负担，主要笔电品牌正将采购策略转向多元供应商。在入门级市场，TCL华星准备供应喷墨打印(IJP)OLED面板，其已于第三季度开始出货显示器面板，并计划于第四季度启动笔电面板量产；在中高端市场，京东方和维信诺正在扩大柔性OLED面板供应，京东方B16产线已于今年第二季度量产，维信诺已于第三季度开始生产笔电用柔性OLED面板。Sigmaintell预测，到2030年非晶硅(a-Si)LCD在笔电面板中的占比将从2024年的约79%降至约48%，OLED份额预计升至约20%，氧化物LCD预计达到约29%。
快科技10月16日消息，元太科技(E Ink)正式推出新一代彩色电子纸技术E Ink Kaleido 4。该面板延续低功耗、类纸阅读等核心优势，并提升彩色显示的色彩表现、亮度、对比度与动态显示能力。具体指标为：色域容积提升2倍至40K以上，白画面反射率提升15%，对比度提升50%；其采用全新Oxide TFT背板，支持更高驱动电压以提升画面刷新速率，并结合新算法支持18FPS视频播放，同时配备全新设计的前光系统。汉王科技率先基于该面板推出M10C二代彩墨办公本，其翻页、滑动速度提升27%，覆盖微蚀刻AG黑色钢化玻璃面板，搭配8192级压感无源数位笔，基于高通8核处理器，存储器组合为4GB+128GB。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国高阻隔氧化铝膜市场现状研究分析与发展前景预测报告》。据其最新市场数据统计，高阻隔氧化铝膜年复合增长率为4.4%（2026-2032，预测值）；2025年中国高阻隔氧化铝膜市场销售收入达到了 万元（原文数值缺失），预计2032年可以达到 万元（原文数值缺失），2026-2032期间年复合增长率为 %（原文数值缺失）。高阻隔氧化铝膜以透明PET或BOPP薄膜为基材，在真空状态下气相沉积氧化铝制成，对氧气和水蒸气有高阻隔性。报告研究的产品类型包括高阻隔氧化铝PET膜、高阻隔氧化铝BOPP膜，应用领域包括食品包装、药品包装、电子及半导体、其他；历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。报告覆盖的主要厂商包括Toppan Printing、Dai Nippon Printing、Amcor、Ultimet Films Limited、DuPont、Toray Advanced Film、Mitsubishi PLASTICS、Toyobo、Schur Flexibles Group、Sealed Air、Mondi、Wipak、3M、Flex Films、佛山市彩龙金属包装材料、广东正一包装、广东华都城集团、浙江长宇新材料、杭州明日软包装。报告还提及2025年美国关税政策带来的不确定性，并分析中国本土生产、进出口情况、产能产量供需及美国对华关税对行业的影响。本文为市场研究报告介绍，原文未说明价格变动，未给出任何价格涨跌数据。
Delta（台达电子）在Energy Taiwan 2026展会上以"Resilient Energy, Powering the AI Future"为主题，展示了面向AI工厂与高密度计算的微电网与电力基础设施方案。正值该公司55周年，其全球首发了全球首个实体化、可投产的集装箱式固态变压器（SST）直流电力系统，并同时展示了固态氧化物燃料电池（SOFC）分布式发电系统。原文未说明价格或市场影响。
SK hynix于2026年10月14日在Newsroom系列文章[Inside the Research]第2部分介绍其发表于2025 IEEE国际电子器件会议(IEDM)的研究论文《Co-Optimizing Cell, Non-Cell, and Page Schemes for Energy Efficient Analog Computing in 3D FeNAND》,作者为Won-Tae Koo与Jihun Kim。研究提出基于3D FeNAND的模拟存内计算(A-CiM)架构,通过对单元(cell)、非单元(互连/字线)和页(page)三类方案进行协同优化,在相同芯片面积约束下,相比传统3D阵列实现约10至20倍的吞吐量提升和约4,000至5,000倍的能效提升;文中亦说明这些数字反映了3D FeNAND相较被广泛研究的2D非易失性存储阵列的高密度优势。各项优化包括:字线采用低电阻金属使吞吐量最高提升16%、能效最高提升3%;引入空气间隙使字线间寄生电容降低约60%,吞吐量提升1.2倍、能效提升2倍;字线电阻与电容联合优化后吞吐量最高提升1.4倍、能效最高提升2.2倍;页内流水线(IPP)使能效翻倍、吞吐量提升9倍;将16KB页拆分为4个4KB子页使能效提升1.2倍、吞吐量提升1.7倍。研究团队还在300mm晶圆规模上演示了低电流区每单元四电平操作及稳定数据保持。文章称该研究展示NAND从存储介质向计算介质扩展的潜力,未涉及价格、出货、产能或市场状况。
伊利诺伊大学香槟分校、美国国家能源技术实验室、阿贡国家实验室和莫纳什大学的研究人员发表了一篇题为《Integration of high-κ oxide on 2D semiconductors with carbon-dot monolayer assembly as van der Waals interfacial layer》的技术论文。论文摘要摘录称：这种原子级厚度的组装结构形成了一种范德华界面层，能够实现（high-κ氧化物的）沉积。该内容为研究进展类背景信息，未涉及价格、产能或供需变化，原文未说明其商业应用时间表。
坤彩科技公告，预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.70亿元-2.00亿元，同比增长178.35%-227.47%。此为业绩预告数据，尚非实际实现结果。公司称业绩变动主要系钛白粉行业市场价格回升，叠加公司钛白粉及氧化铁业务产能释放带来的规模效应与成本优势显现，销售业绩显著提高，盈利弹性释放。
KAIST与韩国初创公司TDS Innovation的研究人员参与的团队于10月7日在Nature发表论文《Spatially deterministic nucleation of 2D semiconductors by etching flux》，展示了一种控制二维半导体晶体生长起始位置的方法：EF-SCN（刻蚀通量介导的单中心成核）工艺利用氧化阻挡层释放的氧产生横向刻蚀通量，抑制图案化生长区内除几何中心外的所有成核。该工艺制得的MoS₂场效应晶体管报告了高于此前已报道的选择性生长MoS₂晶体管的载流子迁移率；在2厘米衬底的单独测试中，400个图案化位点中有397个形成单晶，良率99.3%，但这尚非商业化芯片生产的验证。论文共同作者Kibum Kang为TDS Innovation联合CEO，该公司开发二维半导体设备与材料。TDS的Jony Jung表示目标是让二维半导体在2030年前后实现商用，并称AI（包括物理AI和机器人）需求加速可能提前采用，但量产时间将取决于进一步验证；论文未说明该工艺何时可用于量产芯片。
已经到底了
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |