Aixtron 2026年第三季度初步业绩显示订单量、营业利润(EBIT)及EBIT利润率显著超出当前市场预期
沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
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沉积设备制造商Aixtron SE（位于德国亚琛附近的Herzogenrath）表示，其2026年第三季度初步业绩显示，订单量、营业利润（EBIT）及EBIT利润率均显著超出当前市场预期。原文未说明原因。
瑞萨电子近日发布了基于Gen 4+技术的650-V、20-mΩ d-mode GaN FET，采用8×8 mm双面散热（DSC）PQFN封装，型号为TP65H020G4PLSGBD，目前已向AI数据中心OEM和ODM送样，量产计划于2027年中。据瑞萨称，Gen 4+相较Gen 4通过单元设计和比导通电阻的渐进式改进，实现更低的RDS(on)、更小的尺寸、更低的栅极电容（CGS、CGD）和输出电容（Coss）；Gen 6预计要到2027年才提供样品。该器件为d-mode，与LV硅MOSFET配对使用。封装支持顶面、底面或双面散热，当前支持20-mΩ器件，未来10–15-mΩ器件或可单冷板散热。相比TOLT封装，DSC PQFN在x-y轴封装面积减少约57%至60%，高度约1 mm（对比TOLT的2.35 mm，表格中为2.3 mm），热阻抗低9%至10%（0.36 °C/W对比0.4 °C/W），四开关功率级PCB面积可减少约15%至25%。在6-kW、800 V转48 V、运行于650 kHz至1 MHz的IBC演示板风冷测试中，DSC全负载效率提升0.14%，相当于6-kW转换器中约10+ W的额外功率；测试未使用液冷，下一步将进行液冷测试。DSC 8×8（含650-V GaN）应用于初级侧，每个模块仅承受约400 V，两个模块串联以适应800 V总线。DSC封装技术的主要应用是初级侧800 V DC转换为48 V、12 V和6 V的中间总线转换器（IBC）。针对800 V转6 V输出电流超过3,000 A的情况，瑞萨正与EPC合作推进LV GaN的DSC封装选项。瑞萨在10月12日至15日于加州圣何塞举行的OCP全球峰会上展示了该器件，作为其800-V电源解决方案的一部分。
立昂微公告预计2026年前三季度归属于上市公司股东的净利润为1.74亿元左右，同比扭亏为盈；预计归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.33亿元左右，同比扭亏为盈。公司称半导体硅片板块盈利能力大幅改善，主要受益于产品结构升级、产销规模扩张及产品销售单价上涨等。上述数据为公司预计的业绩预告，并非已实现结果。
北京恒州博智（QYResearch）于2026年10月发布《2026年全球镍及镍合金电镀产品行业总体规模、主要企业国内外市场占有率及排名》报告。据QYResearch调研统计，2025年全球镍及镍合金电镀产品市场销售额达到108亿元，预计2032年将达到150.5亿元，2026-2032年复合增长率（CAGR）为4.9%。报告覆盖全球及中国市场占有率、收入份额、企业排名、三年数据对比、产能、销量、价格及市场份额等指标，并列出上村化工、安美特、Dupont、麦德美乐思、奥野制药工业株式会社、日本JCU、光华科技等主要企业；产品类型包括镀镍产品和镀镍合金产品，应用领域涵盖半导体、PCB、汽车、装饰、光学器件、航天航空、电器、工业机械、石油化工等。该内容为市场研究报告数据及预测，非价格波动或供需事件。
QYResearch（北京恒州博智国际信息咨询有限公司）发布《2026-2032中国工业水处理阴离子交换树脂市场现状研究分析与发展前景预测报告》，统计显示工业水处理阴离子交换树脂年复合增长率为6.3%（2026-2032年预测期）。报告覆盖中国本土生产情况、进出口情况、市场规模及增长趋势，历史数据为2021至2025年，预测数据为2026至2032年。产品按功能特点分为强碱阴离子交换树脂、弱碱阴离子交换树脂、混床树脂及特殊功能树脂，按产品类型分为凝胶类型和大孔类型；应用领域包括发电、化工和石油化工、制药、食品和饮料、半导体等，其中半导体、电力、制药及高端化工产业发展被报告称正推动高性能水处理树脂需求增长。报告列出的主要厂商包括DuPont、LANXESS、Purolite、Mitsubishi Chemical Corporation、Sumitomo Chemical、Thermax、Evoqua Water Technologies、Samyang Corporation、Aldex Chemical Company、蓝晓科技、浙江争光实业股份有限公司、江苏苏青水处理工程集团有限公司、天津南开和成科技股份有限公司。该内容为市场研究报告性质，未涉及具体价格变动、产能事件或供应中断。
英特尔首席执行官陈立武近日在接受《日经亚洲》采访时，被问及中国能否在未来5至10年内赶上美国的芯片能力，他回应称“现在我认为，差距并没有那么大”；他未说明所指的芯片类型、制造节点、良率或成本，也未给出量化指标，原文亦说明该表态不能解读为中国已在先进制程上追平美国。他表示美中企业各有优势与短板，并提到地缘政治限制带来的敏感问题，但未将其归结为某一项政策或技术突破。报道背景包括：ASML此前确认其EUV系统销售已受限制，荷兰政府对部分先进浸没式DUV设备实施出口许可制度；上海朗道科技展示了FlintNano LPP-OXXO低功率激光诱导等离子体EUV光源原型，公司公布的参数为驱动激光功率1000瓦、工作频率1至20千赫兹、转换效率超过2%、EUV输出功率超过15瓦、可连续运行100小时以上、国产化率约90%，但这些为企业公布指标，未经独立验证，朗道称商业化仍需数年。同场采访中陈立武称英特尔重组已完成约八成，重建有竞争力的晶圆代工业务还需要多年，并以台积电用了10至20年成为全球领先代工企业为例。
QYResearch（北京恒州博智）发布中国涂层熔融石英毛细管市场研究报告，该报告为市场分析背景信息，不涉及具体价格变动、产能调整或企业事件。报告称中国涂层熔融石英毛细管市场受精密分析检测、制药研发、实验室仪器及半导体等领域需求影响，聚酰亚胺涂层是市场的重要产品类型，主要应用领域包括气相色谱、毛细管电泳和毛细管液相色谱。研究覆盖2021至2025年历史数据以及2026至2032年预测数据，分析市场销量、销售收入、产品价格、毛利率、市场份额和行业集中度等指标。报告列出的中国市场核心厂商包括Polymicro Technologies、Heraeus、Agilent Technologies、Restek和Merck等，同时将Postnova、Trajan、PerkinElmer、Harbor Group、GL Sciences、Next Advance、IDEX Health & Science及Technical Glass Products纳入研究范围。报告还提及2025年美国关税政策给全球经济格局带来不确定性，相关贸易调整可能影响精密材料、实验室耗材及仪器配套产品的跨境流通与供应链安排，但具体影响仍需结合产品贸易路径、原材料来源、生产布局及终端客户采购结构判断。原文未说明原因，本文为背景性研究报告，无即时交易信号。
据行业消息人士10月19日消息，三星显示正在开发一款不使用精细金属掩膜版（FMM）的7英寸级OLED原型，并准备采用其自主的Micro Patterned OLED（MPO）技术制作工程样品（ES）。该项目自3月启动，并非针对特定客户，而是基于假设的客户需求按接近量产标准开发；初步目标为2026年底，若样品准备情况不足，开发可能延至2027年第一季度。MPO开发在2026年初之前实际处于搁置状态：2025年9月，三星显示在其忠清南道牙山A2产线安装了应用材料旗下AKT的5.5代四分之一尺寸垂直沉积设备以评估无FMM技术，但该技术据称与公司现有中小尺寸及大尺寸OLED面板开发路线图不符，商业化方向也不明确。在3月获得并分析了一块采用Visionox无FMM ViP技术的智能手表OLED面板后，开发获得动力——分析结果显示其器件特性与FMM技术相当，与此前认为ViP良率和器件性能明显较低的判断不同；行业消息人士称Visionox仍在努力确保足够良率，但三星显示内部认为良率提升是其强项并可实现大幅进步。MPO通过微观隔离结构和光刻形成RGB像素而不使用FMM，且据称在制造后移除隔离结构，与保留隔离结构的ViP和LG Display的FliPP不同；业界观察人士认为这些工艺顺序与最终结构差异或可避开涵盖Visionox ViP、LG Display FliPP及应用材料无FMM技术的专利。该工艺被认为尤其适合高分辨率OLED显示：更易实现更紧的像素间距、减少有机层损伤和精细工艺控制复杂度、降低材料消耗和制造步骤数，省去蚀刻步骤也有望简化制造并降低成本。消息人士称MPO的开发方向比中大型面板更适合高分辨率OLED显示，一旦7英寸级样品可用，即可评估MPO技术优势在实际产品尺寸上的实现程度。
FADU宣布于10月19日实现第三季度收入1436亿韩元、营业利润363亿韩元，较上季度增长96%和124%；收入同比增长460%，营业利润转正。截至10月，公司基于监管披露获得约4563亿韩元新订单，是其2025年全年收入924亿韩元的四倍多，增长源于全球科技巨头和主要云服务提供商对用于AI基础设施的内存需求上升。FADU已完成下一代PCI Express Gen6固态硬盘（SSD）控制器的开发，计划年底开始全规模销售，同时开发面向2028年向客户交付样品的Gen7控制器。在2026年10月15日的开放计算项目（OCP）全球峰会上，FADU发布了文件语义SSD（FS-SSD）技术，使SSD能够理解数据结构的意义和上下文。公司还在扩展产品组合，超越功率管理集成电路（PMICs）和防掉电保护IC（PLP ICs），将半导体设计能力延伸至AI数据中心的数据信号恢复和高速信号解决方案。
Hanul Semiconductor于10月19日披露，其目标募集约20亿韩元的新股公开发行认购额达到目标金额的5.24倍。在10月15日开始、为期两天的公募认购期间，公司共收到1,276,705股认购，按发行价计算价值10,481,750,000韩元（104.8175亿韩元）。公司表示，鉴于近期韩国股市大幅回调及投资者情绪走弱，强劲的认购需求具有意义。此次小规模增发旨在筹集营运资金，发行价为每股8,210韩元，缴款定于10月20日，新股份额预计于11月4日上市。Hanul Semiconductor供应多层陶瓷电容器（MLCC）检测设备。
显示贴合设备制造商Shindo Eng Lab于当地时间10月15日在旧金山SEMICON West 2026上公布了一种芯片封装架构，将图形处理器（GPU）与高带宽存储器（HBM）垂直堆叠，中间夹一层约200微米厚的玻璃陶瓷中介层。该架构中GPU位于中介层上方、HBM位于下方，两者通过中介层中的垂直导电通孔连接；液冷模块分别置于GPU上方和HBM下方以相反方向散热；电力由底部印刷电路板（PCB）经金属柱输送至中介层并分配给两颗芯片。原文指出，当前AI半导体封装采用将GPU与HBM并排放置在硅中介层上的2.5D架构，垂直堆叠会缩短芯片间距离，但带来热量集中和热胀冷缩导致翘曲等挑战；Shindo声称其可调整热膨胀特性的玻璃陶瓷中介层结合两侧冷却可缓解这些问题。形成垂直导电通孔的技术为透过玻璃陶瓷通孔（TGCV），公司于9月发布，该工艺在玻璃陶瓷基板上用光刻同时形成孔洞图案并以铜填充；Shindo最初将TGCV作为倒装芯片球栅阵列（FC-BGA）基板中有机核心的潜在替代品提出。Shindo主要为显示面板与盖板玻璃贴合提供层压和真空贴合设备，此前无半导体基板业务经验。该公司已为该架构提交专利申请，并正与约10家公司进行技术讨论，已向其中部分公司提供样品；尚未披露其打算直接制造并销售中介层还是供应设备。Shindo一位官员表示，最终目标是实现以TGCV为基础技术、垂直集成GPU与HBM的3D架构，并计划将该结构提交给委外封测（OSAT）公司讨论潜在应用。该架构尚属提案阶段，未见量产或商业化实现。
SK hynix于10月19日宣布，将与商业银行共同出资2万亿韩元，支持韩国半导体材料、零部件和设备供应商。SK hynix CEO郭鲁正出席了在京畿道龙仁集群展示中心举行的出口供应链强化保证协议签署仪式，出席者还包括产业通商资源部长官金正宽、韩国贸易保险公社(K-SURE)、四大商业银行(KB国民银行、新韩银行、友利银行、韩亚银行)的代表以及主要供应商。协议旨在扩大国内供应商的借款额度、提供优惠利率并降低贷款相关保证费用；SK hynix和参与银行出资，K-SURE提供保证。入选供应商已收到首批保证证书，受益方名单未披露。据SK hynix称，供应商因缺乏在实际半导体制造环境中测试的机会，难以将新开发的技术和产品商业化。与会者还参观了龙仁半导体集群首座晶圆厂工地及Trinity Fab设施；Trinity Fab是由中央政府、地方当局和SK hynix在首座龙仁晶圆厂内联合开发的先进半导体设施，项目价值8700亿韩元，旨在强化国内材料、零部件和设备供应商的技术独立性并加速本地化。
Infineon 在 SEDEX 2026（于 2026 年 10 月 16 日在韩国首尔 COEX 举行）上推出其面向人形机器人手部的半导体解决方案，重点是微控制器（MCU）、功率半导体和触觉传感器，并展示了配备 MCU、氮化镓（GaN）功率半导体及功率/位置传感器的驱动板，可驱动最高 1.2 千瓦的电机，尺寸约 66 毫米。
快科技10月19日消息，根据Counterpoint Research市场监测服务初步数据，2026年第三季度中国智能手机出货量同比下降10%，创自2012年以来第三季度最低水平，但华为和苹果逆势上涨，合计占40%市场份额。华为出货量同比增长19%，以21.3%的份额升至国内市场第一；苹果以19.5%的市场份额位居第二，iPhone 18 Pro系列上市前三周销量较iPhone 17 Pro系列同比增长23.5%，基础款iPhone 18发布推迟促使部分消费者转购Pro系列。市场整体下滑的部分原因是存储元器件涨价推升手机制造成本、新机售价上涨、换机周期拉长。华为自9月1日起正式上调产品价格，可能给未来销售带来进一步压力；9月安卓旗舰集中发布预计对第四季度有一定拉动，但存储成本居高不下，市场难现大幅反弹。
韩国企划财政部部长李炯日近日在曼谷出席IMF与世界银行年会期间接受采访时表示，全球半导体市场强劲增长势头至少延续至2027年，理由是半导体供需缺口仍然巨大且供给端仍在持续扩张。韩国《每日经济》专栏则援引首尔大学教授黄哲成的判断称，2028年之前是安全区，2029年起新建产能将集中释放，存储市场将转为红海，到2030年超级周期可能结束、产业进入下行阶段；专栏列出的风险包括AI投资速度调整、美国长期国债收益率逼近6%，以及中国长鑫存储与韩国的技术差距已缩小至1至2年。特斯拉CEO马斯克在X平台回应称中国将在2028年大量生产RAM。文中提到存储产能从投资到量产通常有2至3年滞后期，两种时间表可以同时成立。目前三星2026年产能扩张约50%，SK海力士基础设施投资增至原计划4倍；SK海力士2026年第二季度营业利润同比增长557.2%，管理层重申需求到2030年都将超过供给；TrendForce集邦咨询预测2027年HBM价格将较2026年上涨121%，全球存储市场规模有望突破1.28万亿美元。以上均为预测或报道观点，非已实现结果。
香港《首个五年计划（2026–2030）》及行政长官2026年施政报告重申香港微电子研发院（MRDI）为香港五大研发机构之一的地位，并支持加快建立香港首个国家制造业创新中心，该中心将由MRDI牵头并运营。原文未说明该中心的具体落成时间表或资金安排，目前仅为计划/获支持状态，尚未证明已建成或投入运营。
Keysight Technologies Inc(美国加州Santa Rosa,通过其英国Winnersh办公室)与格拉斯哥大学、英国Teddington的国家物理实验室(NPL)以及总部位于台湾的MPI Corp合作,开发了一种针对下一代亚太赫兹(sub-THz)半导体器件的宽带表征新方法。这些机构共同演示了对磷化铟高电子迁移率晶体管(InP HEMT)在单次扫描中从近直流到250GHz的连续在片表征,简化了先进半导体研发中的宽带测量。
一篇发布于Semiconductor Engineering的技术文章，主题为突破AI与HPC（高性能计算）SoC中的内存瓶颈，内容涉及针对RibbonFET与PowerVia工艺优化嵌入式内存IP。文章为技术背景内容，未报告任何价格变动、产能变化、政策事件或供需数据。
台湾显示器产业曾是全球LCD制造重镇，历经金融风暴、反垄断处罚以及来自中国政府支持的竞争对手的激烈竞争，经过三十年的繁荣与衰退周期后，其领先厂商正寻求超越屏幕的新方向，利用精密制造专长进入汽车电子、先进半导体封装和AI相关技术领域。原文未说明具体厂商名称或时间表。
三安光电（Sanan Optoelectronics Co.）作为中国化合物半导体及LED芯片行业的主要厂商，正处于关键节点：一方面在股东层面面临严重的公司治理挑战，另一方面在下一代显示技术方面取得重大技术进展（文中提及Micro LED突破）。原文未说明治理问题的具体原因，也未说明相关技术进展的具体细节。
爆款新品里，到底装了谁的芯片？拆开，一颗一颗给你看。
全部拆解| Analog | $0.68 | −5.9% |
|---|---|---|
| 连接器 | $0.75 | +0.2% |
| CPU | $386.74 | −21.3% |
| DDR4 | $88.40 | −0.2% |
| DDR52026-W13 | $14.89 | −11.2% |
| GPU | $478.20 | +8.2% |
| MCU | $0.68 | −61.7%异常波动 |
| MLCC | $0.01 | +54.0%异常波动 |
| MOSFET | $0.12 | −82.8%异常波动 |
| PMIC2026-W13 | $0.44 | −12.5% |
| SSD/HDD | $288.43 | 暂无 |