GF新一代FD-SOI技术：不使用FinFET即可实现7nm级性能，推出面向AI的「FDX Fusion」
GF被报道推出新一代FD-SOI技术，其要点是在不使用FinFET的情况下实现7nm级性能。该新世代技术名称为「FDX Fusion」，与AI应用相关。原文为一篇技术介绍文章（第1/2页），属于新技术的发布/介绍性质，公告本身并不能证明该技术已实现量产或商业化，原文亦未说明量产时间表、成本或具体客户。
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GF被报道推出新一代FD-SOI技术，其要点是在不使用FinFET的情况下实现7nm级性能。该新世代技术名称为「FDX Fusion」，与AI应用相关。原文为一篇技术介绍文章（第1/2页），属于新技术的发布/介绍性质，公告本身并不能证明该技术已实现量产或商业化，原文亦未说明量产时间表、成本或具体客户。
pSemi（穆拉塔公司）推出两款完全集成的2.4 GHz前端模块PE566212和PE566213，集成功率放大器、低噪声放大器和RF开关，采用硅-on-绝缘体(SOI)设计，旨在提升物联网设备的无线连接能力。
GlobalFoundries以称为FDX Fusion的方案重回先进节点竞赛，该方案基于全耗尽绝缘体上硅（FD-SOI）技术。背景方面：2018年，GlobalFoundries曾宣布无限期停止其7 nm节点开发，原文将此归因于节点设计成本日益高昂（需要数十亿美元投资）、复杂度提升以及许多厂商遇到良率与制造困难；此后该公司继续开发不专注于更小晶体管尺寸的独特半导体方案。原文称FDX Fusion通过在沟道下方创建全绝缘层进一步强化衬底隔离，可实现超低功耗存内计算、嵌入式非易失性存储（如eMRAM）的无缝集成以及高效密集逻辑设计。GlobalFoundries声称FDX Fusion在尺寸方面具备7 nm级节点特性，且晶体管密度为第一代22FDX节点（22 nm级设计）的两倍。上述性能数据为公司声称，事件状态为公布/计划性质。
GlobalFoundries表示，应变硅FD-SOI（FDX Fusion）技术可以在不使用EUV光刻的情况下实现7纳米级性能，并有望为欧洲开辟一个新市场。该消息由Manfred Horstmann以'GlobalFoundries押注FDX Fusion瞄准Physical AI'为题发表。原文未给出具体时间、产能计划或投资金额，上述性能与市场前景属于公司宣称的技术潜力，并非已实现的结果。
村田旗下射频芯片设计公司pSemi任命来自母公司的高管Tatsuo Bizen为新任CEO。此次任命属于集团内部正常的人事变动。
/利多/关注: 中性，该管理层变动对射频开关等元件的供应、价格及交易无直接影响。
已经到底了