三星电子公布下一代内存战略：以速度、可扩展性和持久性为重点，涵盖HBM5、定制HBM、zHBM、PIM及CXL等技术
三星电子于10月12日在加利福尼亚举行的开放计算项目（OCP）全球峰会上公布其下一代内存战略，三星DS部门内存业务AE团队副总裁Shim Ho-joon提出速度、可扩展性和持久性三大战略重点。原文给出的原因是：随着AI模型增长，其需处理的数据量不断增加，Shim表示内存容量扩展和数据存储技术正变得与内存带宽同等重要。三星计划通过第八代高带宽内存（HBM5）、定制HBM、zHBM和处理内存（PIM）技术提升数据处理速度与计算效率；利用CMM-D和基于CXL的技术扩展AI系统内存容量并提升数据管理效率；下一代SSD、QLC技术和FDP将增加AI数据存储容量并改善管理效率。上述均为计划内容，属于战略公布而非已实现的结果。此外，三星展示了与Nvidia合作的成果，展出Groq晶圆（Nvidia的语言处理单元LPU）和Groq 3 LPX系统，其代工业务使用4纳米工艺制造Groq芯片；三星还与AMD联合演示了基于CXL的内存扩展解决方案，双方正与全球客户在产品开发早期阶段合作设计并扩大技术验证。
- 相关厂商
- Samsung Electronics、Nvidia、Groq、AMD
- 料号
- Groq 3 LPX
- 影响评分
- 55 / 100，中等影响