高通在与Arm诉讼中赢得关键主张，但判赔总额仅为2美元
高通在与Arm的知识产权诉讼中赢得关键主张，法院判定的赔偿总额仅为2美元。原文说明该判决是两家芯片巨头之间长达四年知识产权纠纷的最新一章；这一结果维护了高通的自研处理器，同时给Arm带来财务压力。原文未说明判决对未来许可条款或产品供应的具体影响。
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高通在与Arm的知识产权诉讼中赢得关键主张，法院判定的赔偿总额仅为2美元。原文说明该判决是两家芯片巨头之间长达四年知识产权纠纷的最新一章；这一结果维护了高通的自研处理器，同时给Arm带来财务压力。原文未说明判决对未来许可条款或产品供应的具体影响。
英特尔在开放计算项目全球峰会上公布面向AI推理的GPU D系列，代号Crescent Island，产品页面称为D270。该加速卡最高可配置480GB LPDDR5X显存，但英特尔品牌PCIe卡配置为160GB LPDDR5X，设计允许ODM合作伙伴推出最高480GB的定制卡，480GB为系列支持的上限而非每张卡的实际容量。英特尔称单卡可承载最多3000亿参数的模型，八卡系统可运行参数量超过1万亿的模型，主打长上下文和多路并发推理。其他指标包括最高1.5TB/s显存带宽、FP8格式下1.3 petaflops算力、350W功耗上限，采用Xe3P架构，支持标准PCIe形态和风冷设计。该系列已进入客户送样阶段，但尚未公布一般上市日期或公开售价。
SK Hynix正在强化其量测与检测（MI）能力，因为向3D DRAM架构的过渡以及日益复杂的NAND堆叠给传统半导体检测技术带来了新的挑战。原文未说明原因以外的具体措施、时间表或对产能与价格的影响。
长鑫存储技术（CXMT）预计将在2026年前九个月实现净利润人民币131亿至132.5亿元（约合195.8亿至198亿美元），扭转去年同期的亏损，原因是人工智能算力需求激增导致内存芯片短缺和价格上涨。
快科技10月19日消息，REDMI K100已官宣10月27日发布，官方确认新机搭载骁龙8至尊版旗舰芯片，并首次加入游戏独显D2，形成"狂暴双芯"组合。骁龙8至尊版是高通首款采用自研Oryon CPU架构、台积电3nm工艺的旗舰平台，配2颗超大核与6颗性能核、Adreno 830 GPU；游戏独显D2为REDMI此前在至尊版机型上采用的定制独显芯片，承担硬件级画面超分与超帧补帧任务。官方确认屏幕升级为165Hz高刷电竞直屏。根据爆料（非官方确认），该机将升级为6.9英寸大屏直屏方案，搭载超级像素屏幕技术，内置10000mAh级硅碳负极电池（小米手机史上最大电池）并支持100W有线快充。官方已公布新机外观，推出与Pro同款的流萤绿配色，背部右侧有Bose调音标识。原文未说明原因（无价格/供应相关事件）。
9月22日，高通联合阶跃星辰、无量火和江波龙，将30B MoE模型完整部署在第六代骁龙8超级至尊版移动平台上，并在参考设计设备上完成验证，模型推理无需调用云端；9月16日，vivo宣布预研蓝心30B MoE端侧模型；10月13日，面壁智能发布35B-A3B开源模型MiniCPM-V 4.7，并公布在iPhone 17 Pro Max上的实机运行结果。原文明确将这一变化归因于MoE（混合专家）等技术逐渐成熟，使模型总参数规模与单次推理计算量部分解耦。文章指出该变化发生在手机存储成本持续上涨的背景下，并引述集邦咨询称2026年高端手机运行内存配置更多集中在12GB、16GB配置受到压缩。按高通公布数据，经联合优化后模型运行内存需求较常规方案降低超过50%，预填充吞吐超过每秒330个Token、解码吞吐超过每秒28个Token；面壁MiniCPM-V 4.7在iPhone 18 Pro Max上测试仅用约3GB运行内存实现每秒20个以上Token解码。vivo周围认为30B MoE工作电流低于500毫安是较理想目标，到2028年底若能控制在600毫安上下有望具备实际使用条件；文章同时强调芯片从规划到落地约需24个月，技术路线仍存变数，商业价值尚无定论。
美光正在为物理AI应用开发边缘推理内存（EIM），该内存通过将低功耗DRAM堆叠在逻辑芯片上以提高数据处理效率，预计将在2028年下半年实现量产。
加州大学伯克利分校、三星电子和英特尔的研究人员发表了题为“Nanoelectromechanically Gated Gain Cell eDRAM”的研究论文。论文摘要节选指出，存储墙以及静态随机存取存储器（SRAM）缩放放缓重新引发了对增益单元嵌入式动态随机存取存储器（gain-cell eDRAM）的兴趣；增益单元虽可提供高密度和能效，但其保留时间（retention）有限。该文属于研究发布，为背景信息，原文未提及价格、产能或商业化安排。
据Wccftech对英伟达Vera团队采访时披露（2026年10月19日报道），英伟达为其Vera CPU选择了单片式（monolithic）计算裸片，而非主要x86竞争对手所采用的chiplet架构；Vera还配备定制LPDDR5X内存子系统和英伟达第二代Scalable Coherent Fabric。原因方面，报道解释称与传统云端工作负载优先考虑高核心数和吞吐量不同，agentic AI需要强大的单线程性能、高内存带宽和低延迟，以快速执行顺序任务并保持GPU高利用率。单片式设计使CPU核心无需跨越chiplet之间边界即可通信，降低数据移动延迟。英伟达称Vera提供3.4 TB/s的双向（bisection）带宽，为其对比中领先的x86处理器的三倍；Vera性能为前代Grace的1.5倍；对于Python脚本和代码编译等顺序任务型agentic工作负载，公司宣称最高达领先x86处理器的2倍性能，几何平均基础上为1.6倍优势。Vera还引入Spatial Multithreading技术。英伟达最初主要将Grace CPU定位为GPU系统的主机处理器，但报道指出agentic AI和强化学习需求的增长促使其转向独立Vera CPU机架。另据中央社报道，英伟达个人计算高级副总裁Jeff Fisher在台湾接受采访时否认将停产旗舰GeForce RTX 5090显卡的传闻，称其不属实，并表示RTX 5090仍是英伟达将持续供应的关键产品；他承认供应紧张正影响整个全球行业而非仅英伟达，但称公司正尽一切可能将产品推向市场。TechPowerUp补充称，RTX 5090在其1,999美元的建议零售价（MSRP）附近仍难觅货，亚马逊和Newegg上的部分 listings 超过8,000美元。
英伟达高管表示，消费者图形处理单元（GPU）短缺源于内存供应不足，这是公司无法控制的。该公司旗舰消费级GPU RTX 5090的交易价格最高达1500万韩元或更高，约为其含税建议零售价的五倍。RTX Spark笔记本起价约470万韩元，最高可达1000万韩元。公司将高价归因于内存成本上升。上述言论是在首尔江南区三成洞的RTX Spark发布会上于10月16日发表的。
原文为Critical Manufacturing联合创始人兼CEO Francisco Almada Lobo的访谈。公司2009年成立于葡萄牙波尔图，核心产品为以制造执行系统(MES)为核心的工业运营平台；自2018年起成为ASMPT的一部分。其最强应用领域为半导体后段与先进封装，且该领域需求增长最快。公司提到新产能正在美国、欧洲、印度和东南亚建设，并指出先进封装将前端复杂性带入后段。这是背景性访谈内容，原文未涉及任何元件价格变动、产能关停或政策事件。
据SPIE Digital Library的技术分析，常规极紫外（EUV）光刻使用13.5纳米波长、通过反射光学系统配合定制光掩模，虽能以高产能打印极小特征，但每个新设计都需要昂贵的掩模组。无掩模EUV光刻提出不将图形存储在物理掩模上，而是使用可编程阵列或其他快速可寻址光学元件，将数字图形直接写入晶圆，从而避开电子束光刻串行逐点写入的速度瓶颈，缩短设计迭代周期并降低小批量生产的固定成本。文章指出该技术并非对EUV扫描仪或电子束工具的简单替代：EUV辐射被大多数材料强吸收，系统需在真空和专用反射光学下运行；可编程图形发生器需在EUV曝光下保持纳米级定位精度、控制热量与污染并避免缺陷；光刻胶在极小尺寸下的随机变异以及海量图形文件的实时处理也是挑战。首批成功应用可能是有选择性的，如快速原型、小批量先进器件、研究、掩模修复或特定关键层，而非全面取代大规模量产光刻。此内容为技术背景分析，不涉及具体厂商、产量、价格或订单数据。
据首尔经济日报10月18日报道，业内消息人士18日称，英伟达已向三家NVHBM供应商——三星电子、SK海力士（000660.KS）和美光提出要求：基底裸片统一使用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代下一代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达在8月发布的定制版高带宽内存。英伟达提出该要求的原因是各家HBM供应商制造方案各不相同，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能，同时标准化可减轻针对每家供应商单独开展产品验证的工作量。负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部（Device Solutions）经过内部评估，决定接受英伟达的要求，即三星将采用台积电工艺为英伟达下一代定制HBM生产基底裸片，调整此前HBM核心裸片与基底裸片均自主生产的一站式全包制造模式。报道同时提到：对于标准HBM产品，三星仍保留一站式全包生产策略；三星今年全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正在进行量产验证，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片在三星华城、平泽厂区的1c产线生产；面向AMD等其他客户的定制HBM，三星计划继续沿用一站式全包生产方案；三星也保留了在自家晶圆厂研发、生产NVHBM的可能性，业内人士称三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，作为防止NVHBM需求超出台积电产能上限的预案。
快科技10月18日消息，海外用户DallasGrave继为RTX 5090加装两个8pin接口分担16pin原装接口负载后，推出全新设计，在PCB上焊接四个8pin接口，可完全脱离原装16pin接口独立供电；新PCB直接焊接在显卡供电触点上，可与原有12V-2x6接口并联使用，也可完全独立运行。DallasGrave表示设计采用保险丝连接和等长PCB走线分配电流，600W负载下每根导线电流约4.1至4.4A，相比标准16pin接口几乎减半；该方案已在分流改装的显卡上测试至800W，PCB温度达到45°C。原文指出，RTX 5090自发售以来12V-2x6接口熔毁事故反复出现，主要原因是显卡功耗高达575W，逼近接口600W理论上限，未完全插紧或极端负载下容易过热熔毁。DallasGrave正在为多款显卡设计适配版本，团队还在开发可选的主动监控模块和定制背板；改装计划通过邮寄服务提供，12月还将在拉斯维加斯开设实体店提供当日安装。DallasGrave还承认，原计划出售预改装RTX 5090的方案已行不通，因为库存预计即将售罄。
Kulicke & Soffa 财政第三季度 2026 年净收入为 3.304 亿美元，同比增长 123%，毛利率 47.8%，非GAAP每股收益 1.20 美元，超出预期。公司预计财政 2026 年第四季度收入约为 3.75 亿美元，截至 2026 年 10 月 3 日，因半导体、存储、汽车和工业市场需求增强。
硬件爆料者KeplerL2近日在NeoGAF论坛称，索尼下一代PlayStation主机的RAM与NAND闪存成本合计已超过680美元；该数字仅来自论坛发言，没有公开成本拆分、供应商报价或计算方法，索尼也尚未公布PS6的硬件规格、售价或上市时间，属于未经证实的估算。此前流传的配置包括GDDR7统一内存、160位总线、30GB容量（传闻容量上限可能达40GB，较可能为30GB），数据传输速率可能达每引脚32Gb/s、对应理论带宽约640GB/s，均未获索尼确认。报道未给出NAND闪存容量，也未说明680美元中RAM与存储各自占比。TechPowerUp此前引用KeplerL2的另一估算称，PS6整机物料成本可能从今年3月的约760美元升至7月的约960美元，该整体成本同样没有公开明细；现阶段关于PS6最终售价超过1000美元的说法也只是市场推测。文中将成本压力归因于DRAM与NAND市场供应紧张，以及人工智能数据中心对内存和存储的需求挤压其他产品供应；若内存成本持续高企，索尼可能需要调整容量、硬件配置、补贴策略或上市节奏。
IT之家10月18日消息，极夜 (TOPFEEL) 在发布 DeskOne A1 的同时带来体积更小的 DeskOne W2 迷你工作站，体积约 7.3L，三维仅 245×249×120 (mm)，采用全铝机身。该机型配备 FCLGA1700 插槽，支持第 12~14 代英特尔桌面处理器，提供 2 个 DDR4-3200 SO-DIMM 内存插槽和 1 条 PCIe Gen4 ×16 插槽（扩展卡限长 245mm、限宽 45mm）。存储方面拥有 3 个 PCIe Gen4 ×4 的 M.2 SSD 盘位，另一个 M.2 为 Gen4 ×2，另有 2 个 2.5" SATA 盘位；预留 M.2 无线网卡插槽，外部接口包括 2 个 2.5GbE RJ-45 在内的一系列接口。整机集成定制 650W TFX 金牌电源，处理器散热为 6 热管风冷 + 12025 风扇，系统散热为 2 颗 9015 规格风扇。原文未说明该发布与半导体价格或供需变化相关的信息。
Micron副总裁Lee Cheol于10月16日在首尔COEX举行的SEDEX 2026“Semiconductors Powering Humanoids”会议上表示，Micron正为物理AI应用准备边缘推理内存（EIM），并与主要客户讨论开发适合自动驾驶、人形机器人、AR/VR等新兴市场的产品。EIM定位于AI芯片与内存之间，用于降低数据处理延迟并提升带宽；其将LPDDR堆叠在逻辑裸片之上，与PIM不同，EIM的计算架构尚未公开，Micron也未披露具体性能目标。该公司正在开发将EIM应用于LPDDR6的方法，业界观察人士预期2028年下半年量产。Micron指出，当前机器人AI模型约使用10亿至20亿参数，内存带宽要求不高，但随着更先进的视觉-语言模型（VLM）出现，仅靠LPDDR将不足，需要转向HBM。Micron预计未来高性能人形机器人将需要约200GB DRAM和4TB存储，而目前服务机器人使用12GB DRAM和256GB存储。该公司称正从早期设计阶段与机器人制造商、芯片组公司及超大规模云厂商合作。
据韩国媒体The Elec报道，美光正与主要客户讨论面向物理AI的新型内存产品，开发名为"边缘推理内存"（EIM）的方案，重点应用包括人形机器人、自主驾驶以及AR、VR设备。美光高管李哲在SEDEX 2026相关活动上表示，物理AI市场正快速发展，公司正与客户推进适配新市场的产品开发。EIM的设想是在逻辑裸片上堆叠低功耗LPDDR，目标与HBM类似但更注重降低功耗，适合电池供电的机器人；EIM不同于PIM，其具体计算结构、容量、带宽、延迟、功耗或性能目标均未公布。报道称美光正研究将EIM与LPDDR6结合，业界预期量产时间可能在2028年下半年，但这是产业界预测，并非美光公布的正式量产承诺。美光估算目前机器人使用的AI模型约有10亿至20亿个参数，现有LPDDR仍可满足不少需求；美光预计未来高性能人形机器人可能需要约200GB DRAM和4TB存储，而目前工厂服务型机器人常见配置约为12GB DRAM和256GB存储，这些是估算不代表所有在售机器人配置。美光认为未来机器人或许会采用HBM，但需考虑功耗、散热和空间；EIM若能以较低功耗提升传输效率，可能成为LPDDR与HBM之间的新选择。在规格、功耗和实际产品公布前，EIM能否满足下一代机器人需求仍有待验证。
据快科技10月17日报道，日前流传的HBM专家纪要信息称，国产HBM内存预计会在六个月内将良率提升到40-50%，高于此前传闻的25%良率（25%意味着3/4的芯片不能用），50%左右的良率意味着国产HBM内存明年的供应量会有较大增长，报道称昇腾960提前三个季度量产是一个证据。HBM芯片需要多个DRAM内存芯片堆叠，1个HBM大约折抵2.5-3倍通用内存产能，且对3D封装要求很高，导致良率比较低、拉高成本。此前国产AI芯片用的HBM要么是囤货、要么向三星、SK海力士购买，规格较低，能拿到HBM2都很难。报价方面，国产HBM因成本依然较高，不会走低价抢市场路线，而是接近三星的报价，仅低20%以内。背景方面，三星等公司已量产HBM4，很快要量产HBM4e，国产还在追赶HBM3/3e。良率提升为流传的预期信息，能否实现尚未确认。